A B A B
1.包含重复单元{M(ER)(ER)}和{M(ER)(ER)}的化合物，其中各M 为Cu，各M 为In
或Ga，各E为S、Se或Te，并且各R于每次出现时独立地选自烷基、芳基、杂芳基、烯基、酰氨基、甲硅烷基及无机和有机配体。
2.如权利要求1所述的化合物，其中各E为硫或硒。
3.如权利要求1所述的化合物，其中E为硒。
4.如权利要求1所述的化合物，其中所述化合物为CIGS、CIS或CGS的前体化合物。
5.如权利要求1所述的化合物，其中所述化合物具有实验式Cux(In1-yGay)v((S1-zSez)R)
w，其中x为0.5至1.5，y为0至1，z为0至1，v为0.5至1.5，w为2至6，并且R代表数
目为w的独立选自烷基、芳基、杂芳基、烯基、酰氨基、甲硅烷基及无机和有机配体的R基团。
6.如权利要求5所述的化合物，其中x为0.7至1.2，y为0至0.5，z为0.5至1，v为
0.9至1.1，且w为2至6。
7.如权利要求5所述的化合物，其中x为0.7至1.2，y为0至0.3，z为0.7至1，v为
1，且w为3至5。
8.如权利要求5所述的化合物，其中x为0.7至1.2，y为0至0.2，z为0.8至1，v为
1，且w为3.5至4.5。
9.如权利要求1所述的化合物，其中所述化合物缺乏Cu或富含Cu。
10.如权利要求1所述的化合物，其中所述化合物为无机聚合物或配位聚合物。
11.如权利要求1所述的化合物，其中所述化合物为直链、支链、环状或前述的任何混
合物。
12.如权利要求1所述的化合物，其中各R于每次出现时独立地选自(C1～8)烷基。
13.如权利要求1所述的化合物，其中各R于每次出现时独立地选自(C1～6)烷基。
14.如权利要求1所述的化合物，其中各R于每次出现时独立地选自(C1～4)烷基。
15.如权利要求1所述的化合物，其中各R于每次出现时独立地选自(C1～3)烷基。
16.如权利要求1所述的化合物，其中各R于每次出现时独立地选自(C1～2)烷基。
17.如权利要求1所述的化合物，其中所述化合物在低于约100℃的温度下为油状。
B
18.如权利要求1所述的化合物，其包含三个或更多个重复单元{M(ER)(ER)}。
A
19.如权利要求1所述的化合物，其包含三个或更多个重复单元{M(ER)(ER)}。
20.如权利要求1所述的化合物，其中所述化合物为交替共聚物、嵌段共聚物或无规共
聚物。
A
21.如权利要求1所述的化合物，其还包含式(AB)n，其中A为重复单元{M(ER)(ER)}，
B
B为重复单元{M(ER)(ER)}，n为二或更高，且R于每次出现时独立地选自烷基、芳基、杂芳
基、烯基、酰氨基、甲硅烷基及无机和有机配体。
22.如权利要求1所述的化合物，其中所述化合物具有下式中的任一个：
(RE)2-BB(AB)n、(RE)2-B(AB)nB、(RE)2-B(AB)nB(AB)m、(RE)2-(BA)nBB、(RE)2-B(BA)nB、环状 环 状
(RE)2-(BA)nB(BA)mB、 (AB)n、 (BA)n、(RE)2-(BB)(AABB)n、(RE)2-(BB)(AABB)n(AB)m、- -
(RE)2-(B)(AABB)n(B)(AB)m、(RE)2-[B(AB)n]、(RE)2-[(BA)nB]、
1 2 3
……ABABAB……、
1 2 1 2 1
(RE)2-BB(AB)n(AB)m，、(RE)2-BB(AB)n(AB)m(AB)p以及其混合物，其中A为重复单元
A B
{M(ER)(ER)}，B为重复单元{M(ER)(ER)}，n为一或更高，m为一或更高，且p为一或更高。
23.如权利要求1所述的化合物，其中所述化合物具有下列的任何一种重复单元式：
t i i t t t n n
{Cu(SBu)(SPr)In(S Pr)2}；{Cu(SBu)2In(SBu)2}；{Cu(SBu)(SBu)In(SBu)2}；
t n n t t t t t
{Cu(Se Bu)(SeBu)In(Se Bu)2}；{Cu(SBu)(Se Bu)In(SeBu)2}；{Cu(Se Bu)(S Bu)
t t t t t t t
Ga(SBu)2}；{Cu(SeBu)2Ga(SeBu)2}；{Cu(SBu)2Ga(S Bu)2}；{Cu(SeBu)2In(SeBu)2}；
t i i t s s t i
{Cu(Se Bu)(SePr)In(Se Pr)2}；{Cu(Se Bu)(S Bu)In(S Bu)2}；{Cu(Se Bu)(Se Pr)
i t i i t n n t
Ga(SePr)2}；{Cu(SBu)(SPr)Ga(SPr)2}；{Cu(SeBu)(SeBu)In(SeBu)2}；{Cu(S Bu)
i i n t t n t t t
(SPr)In(SPr)2}；{Cu(SBu)(SBu)In(SBu)2}；{Cu(SeBu)(SeBu)In(SeBu)2}；{Cu(SBu)
t t t t t n t t
(Se Bu)In(Se Bu)2}；{Cu(Se Bu)(S Bu)Ga(S Bu)2}；{Cu(S Bu)(S Bu)Ga(S Bu)2}；
s t t t i i t s
{Cu(SeBu)(Se Bu)In(Se Bu)2}；{Cu(Se Bu)(SePr)In(SePr)2}；{Cu(SeBu)(SBu)
s t i i t i i t
In(S Bu)2}；{Cu(Se Bu)(SePr)Ga(SePr)2}；{Cu(S Bu)(SPr)Ga(SPr)2}；{Cu(SBu)
i i t t t n n
(SPr)(In，Ga)(SPr)2}；{Cu(SBu)2(In，Ga)(SBu)2}；{Cu(SBu)(SBu)(In，Ga)(SBu)2}；
t n n t t t t
{Cu(SeBu)(SeBu)(In，Ga)(SeBu)2}；{Cu(SBu)(SeBu)(In，Ga)(SeBu)2}；{Cu(SeBu)
t t t t t t
(SBu)(In，Ga)(SBu)2}；{Cu(SeBu)2(In，Ga)(SeBu)2}；{Cu(SBu)2(In，Ga)(SBu)2}；
t t t i i t s
{Cu(SeBu)2(In，Ga)(SeBu)2}；{Cu(SeBu)(SePr)(In，Ga)(SePr)2}；{Cu(SeBu)(SBu)
s t i i t i i
(In，Ga)(SBu)2}；{Cu(SeBu)(SePr)(In，Ga)(SePr)2}；{Cu(SBu)(SPr)(In，Ga)(SPr)2}；
t n n t i i n
{Cu(SeBu)(SeBu)(In，Ga)(SeBu)2}；{Cu(S Bu)(S Pr)(In，Ga)(S Pr)2}；{Cu(S Bu)
t t n t t t t
(SBu)(In，Ga)(SBu)2}；{Cu(SeBu)(SeBu)(In，Ga)(SeBu)2}；{Cu(SBu)(SeBu)(In，
t t t t n t t
Ga)(Se Bu)2}；{Cu(SeBu)(SBu)(In，Ga)(SBu)2}；{Cu(SBu)(S Bu)(In，Ga)(SBu)2}；
s t t t i i t
{Cu(SeBu)(SeBu)(In，Ga)(SeBu)2}；{Cu(SeBu)(SePr)(In，Ga)(SePr)2}；{Cu(SBu)
i i t n n
(SPr)(In，Ga)(SPr)2}；{(1.2Cu)(1.2SeBu)(SeBu)(0.7In，0.3Ga)(SeBu)2}；{(1.3Cu)
t t t
(1.3SBu)(SBu)(0.85In，0.15Ga)(SBu)2}；{(1.5Cu)(1.5SeHexyl)(SeHexyl)(0.80In，
t n n
0.20Ga)(SeHexyl)2}；{(0.85Cu)(0.85SeBu)(SeBu)(0.7In，0.3Ga)(SeBu)2}；{(0.9Cu)
t t t t n
(0.9SBu)(SBu)(0.85In，0.15Ga)(SBu)2}；{(0.75Cu)(0.75SBu)(SBu)(0.80In，0.20Ga)
n t n n t
(SBu)2}；{(0.8Cu)(0.8SeBu)(SeBu)(0.75In，0.25Ga)(SeBu)2}；{(0.95Cu)(0.95SBu)
t t t t
(SeBu)(0.70In，0.30Ga)(SeBu)2}；{(0.98Cu)(0.98SeBu)(SBu)(0.600In，0.400Ga)
t t t t
(SBu)2}；{(0.835Cu)(0.835SeBu)2(0.9In，0.1Ga)(SeBu)2}；{Cu(SBu)2(0.8In，0.2Ga)
t t t t i
(SBu)2}；{Cu(SeBu)2(0.75In，0.25Ga)(SeBu)2}；{Cu(SeBu)(SePr)(0.67In，0.33Ga)
i t s s t i
(SePr)2}；{Cu(SeBu)(SBu)(0.875In，0.125Ga)(SBu)2}；{Cu(SeBu)(SePr)(0.99In，
i t i i s s
0.01Ga)(SePr)2}；{Cu(SBu)(SPr)(0.97In，0.030Ga)(SPr)2}；{Cu(SeBu)2In(SeBu)2}；
s s t t t n
{Cu(Se Bu)2Ga(Se Bu)2} ；{Cu(S Bu)2In(S Bu)2} ；{Cu(S Bu)2In(S Bu)2} ；
t n t t t t n
{Cu(SeBu)2Ga(SeBu)2}；{Cu(SeBu)2Ga(SeBu)2}；{Cu(SBu)2In(SBu)2}；{Cu(Se Bu)
t t t t n t t t
(SeBu)In(SeBu)2}；{Cu(SBu)2Ga(SBu)2}；{Cu(SeBu)(SeBu)Ga(SeBu)2}；{Cu(SeBu)
n n t n n
(Se Bu)(0.5In，0.5Ga)(SeBu)2}；{Cu(Se Bu)(Se Bu)(0.75In，0.25Ga)(Se Bu)2}；
t t t t
{Cu(SBu)2(0.75In，0.25Ga)(SBu)2}；{Cu(SBu)2(0.9In，0.1Ga)(SBu)2}；{Cu(Se( 正
n n n
戊 基))(SeBu)(0.5In，0.5Ga)(SeBu)2}；{Cu(Se( 正 己 基 ))(SeBu)(0.75In，0.25Ga)
n t t t
(SeBu)2}；{Cu(S(正庚基))(SBu)(0.75In，0.25Ga)(SBu)2}；和{Cu(S(正辛基))(SBu)
t
(0.9In，0.1Ga)(SBu)2}。
24.墨水，其包含一种或多种权利要求1至23中任一项所述的化合物以及一种或多种
载体。
25.如权利要求24所述的墨水，其中所述墨水是所述化合物在有机载体内所形成的溶
液。
26.如权利要求24所述的墨水，其中所述墨水是所述化合物在有机载体内所形成的浆
液或悬浮液。
27.如权利要求24所述的墨水，其进一步包含掺杂物或碱性掺杂物。
28.如权利要求24所述的墨水，其进一步包含加入附加的含铟化合物、附加的含镓化
合物或含钼化合物。
29.如权利要求24所述的墨水，其进一步包含一种或多种选自由表面活性剂、分散剂、
乳化剂、消泡剂、干燥剂、填充剂、树脂粘合剂、增稠剂、粘度调节剂、抗氧化剂、助流剂、增塑剂、导电剂、促结晶剂、补充剂、薄膜调节剂、助粘剂和染料组成的组中的成分。
30.如权利要求24所述的墨水，其进一步包含一种或多种选自由导电聚合物、铜金属、
铟金属、镓金属、锌金属、碱金属、碱金属盐、碱土金属盐、硫族化钠、硫族化钙、硫化镉、硒化镉、碲化镉、硫化铟、硒化铟、碲化铟、硫化镓、硒化镓、碲化镓、硫化锌、硒化锌、碲化锌、硫化铜、硒化铜、碲化铜、硫化钼、硒化钼、碲化钼及上述的任何混合物组成的组中的成分。
31.用于制造前体化合物的方法，包含：
B1 B2 A
(a)提供单体化合物M (ER)3、M (ER)3和M(ER)；以及
(b)使所述单体化合物接触；
B1 B2 A
其中M 为In，M 为Ga，M 为Cu，各E为S、Se或Te，且R于每次出现时独立地选自烷
基、芳基、杂芳基、烯基、酰氨基、甲硅烷基及无机和有机配体。
B1 B2
32.如权利要求31所述的方法，其中M 和M 均为In或均为Ga。
33.如权利要求31所述的化合物，其中各E为硫或硒。
34.如权利要求31所述的化合物，其中E为硒。
35.如权利要求31所述的化合物，其中所述化合物为CIGS、CIS或CGS的前体化合物。
36.如权利要求31所述的化合物，其中所述化合物缺乏Cu或富含Cu。
37.如权利要求31所述的方法，其中使所述单体化合物在沉积、喷雾、涂布或印刷过程
中接触。
38.如权利要求31所述的方法，其中使所述单体化合物在约-60℃至约100℃或约0℃
至约200℃的温度下接触。
B1 B2
39.化合物，其是通过以下方法制备的，所述方法包括使单体M (ER)3、M (ER)3和
A B1 B2 A
M(ER)反应，其中M 为In，M 为Ga，M 为Cu，各E为S、Se或Te，且R于每次出现时独立
地选自烷基、芳基、杂芳基、烯基、酰氨基、甲硅烷基及无机和有机配体。
B1 B2
40.如权利要求39所述的化合物，其中M 和M 均为In。
41.如权利要求39所述的化合物，其中各E为硫或硒。
42.如权利要求39所述的化合物，其中E为硒。
43.如权利要求39所述的化合物，其中所述化合物为CIGS、CIS或CGS的前体化合物。
44.如权利要求39所述的化合物，其中所述化合物具有实验式Cux(In1-yGay)v((S1-zSez)
R)w，其中x为0.5至1.5，y为0至1，z为0至1，v为0.5至1.5，w为2至6，且R代表数
目为w的独立选自烷基、芳基、杂芳基、烯基、酰氨基、甲硅烷基及无机和有机配体的R基团。
45.如权利要求44所述的化合物，其中x为0.7至1.2，y为0至0.5，z为0.5至1，v
为0.9至1.1，且w为2至6。
46.如权利要求44所述的化合物，其中x为0.7至1.2，y为0至0.3，z为0.7至1，v
为1，且w为3至5。
47.如权利要求44所述的化合物，其中x为0.7至1.2，y为0至0.2，z为0.8至1，v
为1，且w为3.5至4.5。
48.如权利要求39所述的化合物，其中所述化合物缺乏Cu。
49.如权利要求39所述的化合物，其中所述化合物为无机聚合物或配位聚合物。
50.如权利要求39所述的化合物，其中所述化合物为直链、支链、环状或前述的任何混
合物。
51.如权利要求39所述的化合物，其中各R于每次出现时独立地选自(C1～8)烷基。
52.如权利要求39所述的化合物，其中各R于每次出现时独立地选自(C1～6)烷基。
53.如权利要求39所述的化合物，其中各R于每次出现时独立地选自(C1～4)烷基。
54.如权利要求39所述的化合物，其中各R于每次出现时独立地选自(C1～3)烷基。
55.如权利要求39所述的化合物，其中各R于每次出现时独立地选自(C1～2)烷基。
56.如权利要求39所述的化合物，其中所述化合物在低于约100℃的温度下为油状。
B
57.如权利要求39所述的化合物，其包含三个或更多个重复单元{M(ER)(ER)}。
A
58.如权利要求39所述的化合物，其包含三个或更多个重复单元{M(ER)(ER)}。
59.如权利要求39所述的化合物，其中所述化合物为交替共聚物、嵌段共聚物或无规
共聚物。
A
60.如权利要求39所述的化合物，其还包含式(AB)n，其中A为重复单元{M(ER)(ER)}，
B
B为重复单元{M(ER)(ER)}，n为二或更高，且R于每次出现时独立地选自烷基、芳基、杂芳
基、烯基、酰氨基、甲硅烷基及无机和有机配体。
61.如权利要求39所述的化合物，其中所述化合物具有下式中的任一个：
(RE)2-BB(AB)n、(RE)2-B(AB)nB、(RE)2-B(AB)nB(AB)m、(RE)2-(BA)nBB、(RE)2-B(BA)nB、环状 环 状
(RE)2-(BA)nB(BA)mB、 (AB)n、 (BA)n、(RE)2-(BB)(AABB)n、(RE)2-(BB)(AABB)n(AB)m、- -
(RE)2-(B)(AABB)n(B)(AB)m、(RE)2-[B(AB)n]、(RE)2-[(BA)nB]、
1 2 3
……ABABAB……、
1 2 1 2 1
(RE)2-BB(AB)n(AB)m，、(RE)2-BB(AB)n(AB)m(AB)p以及其混合物，其中A为重复单元
A B
{M(ER)(ER)}，B为重复单元{M(ER)(ER)}，n为一或更高，m为一或更高，且p为一或更高。
62.如权利要求39所述的化合物，其中所述化合物具有下列的任何一种重复单元式：
t i i t t t n n
{Cu(SBu)(SPr)In(S Pr)2}；{Cu(SBu)2In(SBu)2}；{Cu(SBu)(SBu)In(SBu)2}；
t n n t t t t t
{Cu(Se Bu)(SeBu)In(Se Bu)2}；{Cu(SBu)(Se Bu)In(SeBu)2}；{Cu(Se Bu)(S Bu)
t t t t t t t
Ga(SBu)2}；{Cu(SeBu)2Ga(SeBu)2}；{Cu(SBu)2Ga(S Bu)2}；{Cu(SeBu)2In(SeBu)2}；
t i i t s s t i
{Cu(Se Bu)(SePr)In(Se Pr)2}；{Cu(Se Bu)(S Bu)In(S Bu)2}；{Cu(Se Bu)(Se Pr)
i t i i t n n t
Ga(SePr)2}；{Cu(SBu)(SPr)Ga(SPr)2}；{Cu(SeBu)(SeBu)In(SeBu)2}；{Cu(S Bu)
i i n t t n t t t
(SPr)In(SPr)2}；{Cu(SBu)(SBu)In(SBu)2}；{Cu(SeBu)(SeBu)In(SeBu)2}；{Cu(SBu)
t t t t t n t t
(Se Bu)In(Se Bu)2}；{Cu(Se Bu)(S Bu)Ga(S Bu)2}；{Cu(S Bu)(S Bu)Ga(S Bu)2}；
s t t t i i t s
{Cu(SeBu)(Se Bu)In(Se Bu)2}；{Cu(Se Bu)(SePr)In(SePr)2}；{Cu(SeBu)(SBu)
s t i i t i i t
In(S Bu)2}；{Cu(Se Bu)(SePr)Ga(SePr)2}；{Cu(S Bu)(SPr)Ga(SPr)2}；{Cu(SBu)
i i t t t n n
(SPr)(In，Ga)(SPr)2}；{Cu(SBu)2(In，Ga)(SBu)2}；{Cu(SBu)(SBu)(In，Ga)(SBu)2}；
t n n t t t t
{Cu(SeBu)(SeBu)(In，Ga)(SeBu)2}；{Cu(SBu)(SeBu)(In，Ga)(SeBu)2}；{Cu(SeBu)
t t t t t t
(SBu)(In，Ga)(SBu)2}；{Cu(SeBu)2(In，Ga)(SeBu)2}；{Cu(SBu)2(In，Ga)(SBu)2}；
t t t i i t s
{Cu(SeBu)2(In，Ga)(SeBu)2}；{Cu(SeBu)(SePr)(In，Ga)(SePr)2}；{Cu(SeBu)(SBu)
s t i i t i i
(In，Ga)(SBu)2}；{Cu(SeBu)(SePr)(In，Ga)(SePr)2}；{Cu(SBu)(SPr)(In，Ga)(SPr)2}；
t n n t i i n
{Cu(SeBu)(SeBu)(In，Ga)(SeBu)2}；{Cu(S Bu)(S Pr)(In，Ga)(S Pr)2}；{Cu(S Bu)
t t n t t t t
(SBu)(In，Ga)(SBu)2}；{Cu(SeBu)(SeBu)(In，Ga)(SeBu)2}；{Cu(SBu)(SeBu)(In，
t t t t n t t
Ga)(Se Bu)2}；{Cu(SeBu)(SBu)(In，Ga)(SBu)2}；{Cu(SBu)(S Bu)(In，Ga)(SBu)2}；
s t t t i i t
{Cu(SeBu)(SeBu)(In，Ga)(SeBu)2}；{Cu(SeBu)(SePr)(In，Ga)(SePr)2}；{Cu(SBu)
i i t n n
(SPr)(In，Ga)(SPr)2}；{(1.2Cu)(1.2SeBu)(SeBu)(0.7In，0.3Ga)(SeBu)2}；{(1.3Cu)
t t t
(1.3SBu)(SBu)(0.85In，0.15Ga)(SBu)2}；{(1.5Cu)(1.5SeHexyl)(SeHexyl)(0.80In，
t n n
0.20Ga)(SeHexyl)2}；{(0.85Cu)(0.85SeBu)(SeBu)(0.7In，0.3Ga)(SeBu)2}；{(0.9Cu)
t t t t n
(0.9SBu)(SBu)(0.85In，0.15Ga)(SBu)2}；{(0.75Cu)(0.75SBu)(SBu)(0.80In，0.20Ga)
n t n n t
(SBu)2}；{(0.8Cu)(0.8SeBu)(SeBu)(0.75In，0.25Ga)(SeBu)2}；{(0.95Cu)(0.95SBu)
t t t t
(SeBu)(0.70In，0.30Ga)(SeBu)2}；{(0.98Cu)(0.98SeBu)(SBu)(0.600In，0.400Ga)
t t t t
(SBu)2}；{(0.835Cu)(0.835SeBu)2(0.9In，0.1Ga)(SeBu)2}；{Cu(SBu)2(0.8In，0.2Ga)
t t t t i
(SBu)2}；{Cu(SeBu)2(0.75In，0.25Ga)(SeBu)2}；{Cu(SeBu)(SePr)(0.67In，0.33Ga)
i t s s t i
(SePr)2}；{Cu(SeBu)(SBu)(0.875In，0.125Ga)(SBu)2}；{Cu(SeBu)(SePr)(0.99In，
i t i i s s
0.01Ga)(SePr)2}；{Cu(SBu)(SPr)(0.97In，0.030Ga)(SPr)2}；{Cu(SeBu)2In(SeBu)2}；
s s t t t n
{Cu(Se Bu)2Ga(Se Bu)2} ；{Cu(S Bu)2In(S Bu)2} ；{Cu(S Bu)2In(S Bu)2} ；
t n t t t t n
{Cu(SeBu)2Ga(SeBu)2}；{Cu(SeBu)2Ga(SeBu)2}；{Cu(SBu)2In(SBu)2}；{Cu(Se Bu)
t t t t n t t t
(SeBu)In(SeBu)2}；{Cu(SBu)2Ga(SBu)2}；{Cu(SeBu)(SeBu)Ga(SeBu)2}；{Cu(SeBu)
n n t n n
(Se Bu)(0.5In，0.5Ga)(SeBu)2}；{Cu(Se Bu)(Se Bu)(0.75In，0.25Ga)(Se Bu)2}；
t t t t
{Cu(SBu)2(0.75In，0.25Ga)(SBu)2}；{Cu(SBu)2(0.9In，0.1Ga)(SBu)2}；{Cu(Se( 正
n n n
戊 基))(SeBu)(0.5In，0.5Ga)(SeBu)2}；{Cu(Se( 正 己 基 ))(SeBu)(0.75In，0.25Ga)
n t t t
(SeBu)2}；{Cu(S(正庚基))(SBu)(0.75In，0.25Ga)(SBu)2}；和{Cu(S(正辛基))(SBu)
t
(0.9In，0.1Ga)(SBu)2}。
63.物件，其含有一种或多种沉积于基板上的权利要求1至30所述的化合物或墨水。
64.如权利要求63所述的物件，其中所述沉积通过喷雾、喷涂、喷雾沉积、喷雾热解、印
刷、丝网印刷、喷墨印刷、气溶胶喷射印刷、油墨印刷、喷射印刷、印台印刷、转移印刷、移印、柔性版印刷、凹版印刷、接触印刷、背面印刷、热敏印刷、平版印刷、电子照相印刷、电解沉积、电镀、无电式电镀、浴沉积、涂布、湿式涂布、旋涂、刮刀涂布、辊涂、棒式涂布、狭缝模具涂布、麦勒棒涂布、唇口型直接涂布、毛细管涂布、液相沉积、溶液沉积、逐层沉积、旋浇铸、溶液浇铸及任何上述组合来完成。
65.如权利要求63所述的物件，其中所述基板选自由下列组成的组：半导体、掺杂半导
体、硅、砷化镓、绝缘体、玻璃、钼玻璃、二氧化硅、二氧化钛、氧化锌、氮化硅、金属、金属箔、钼、铝、铍、镉、铈、铬、钴、铜、镓、金、铅、锰、钼、镍、钯、铂、铼、铑、银、不锈钢、钢、铁、锶、锡、钛、钨、锌、锆、金属合金、金属硅化物、金属碳化物、聚合物、塑料、导电聚合物、共聚物、聚合物掺合物、聚对苯二甲酸乙二酯、聚碳酸酯、聚酯、聚酯薄膜、迈拉、聚氟乙烯、聚偏二氟乙烯、聚乙烯、聚醚酰亚胺、聚醚砜、聚醚酮、聚酰亚胺、聚氯乙烯、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯聚合物、聚硅氧烷、环氧树脂、纸、涂布纸及任何上述组合。
66.如权利要求63所述的物件，其中所述基板是包括管状、圆柱状、滚筒状、棒状、针
状、轴状、平面、板状、叶状、翼片状、弯曲表面或球体的成型基板。
67.制造物件的方法，该方法包含：
(a)提供一种或多种权利要求1至30中任一项所述的化合物或墨水；
(b)提供基板；以及
(c)将所述化合物或墨水沉积于所述基板上。
68.如权利要求67所述的方法，其中所述沉积通过喷雾、喷涂、喷雾沉积、喷雾热解、印
刷、丝网印刷、喷墨印刷、气溶胶喷射印刷、油墨印刷、喷射印刷、印台印刷、转移印刷、移印、柔性版印刷、凹版印刷、接触印刷、背面印刷、热敏印刷、平版印刷、电子照相印刷、电解沉积、电镀、无电式电镀、浴沉积、涂布、湿式涂布、旋涂、刮刀涂布、辊涂、棒式涂布、狭缝模具涂布、麦勒棒涂布、唇口型直接涂布、毛细管涂布、液相沉积、溶液沉积、逐层沉积、旋浇铸、溶液浇铸及任何上述组合来完成。
69.如权利要求67所述的方法，其中所述基板选自由下列组成的组：半导体、掺杂半导
体、硅、砷化镓、绝缘体、玻璃、钼玻璃、二氧化硅、二氧化钛、氧化锌、氮化硅、金属、金属箔、钼、铝、铍、镉、铈、铬、钴、铜、镓、金、铅、锰、钼、镍、钯、铂、铼、铑、银、不锈钢、钢、铁、锶、锡、钛、钨、锌、锆、金属合金、金属硅化物、金属碳化物、聚合物、塑料、导电聚合物、共聚物、聚合物掺合物、聚对苯二甲酸乙二酯、聚碳酸酯、聚酯、聚酯薄膜、迈拉、聚氟乙烯、聚偏二氟乙烯、聚乙烯、聚醚酰亚胺、聚醚砜、聚醚酮、聚酰亚胺、聚氯乙烯、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯聚合物、聚硅氧烷、环氧树脂、纸、涂布纸及任何上述组合。
70.如权利要求67所述的方法，其中步骤(c)被重复进行。
71.如权利要求67所述的方法，其进一步包含将所述基板在约100℃至约400℃的温度
下加热，以便将所述化合物或墨水转化成材料。
72.如权利要求67所述的方法，其进一步包含将所述基板在约100℃至约400℃的温度
下加热，以便将所述化合物或墨水转化成材料，接着重复步骤(c)。
73.如权利要求67所述的方法，其进一步包含通过将所述基板在约300℃至约650℃的
温度下加热以使材料退火。
74.如权利要求67所述的方法，其进一步包含将所述基板在约100℃至约400℃的温度
下加热，以便将所述化合物或墨水转化成材料，然后通过将所述基板在约300℃至约650℃
的温度下加热以使所述材料退火。
75.如权利要求67所述的方法，其进一步包含将所述基板在约100℃至约400℃的温度
下加热以便将所述化合物或墨水转化成材料，将所述化合物或墨水沉积于所述基板上，以
及通过将所述基板在约300℃至约650℃的温度下加热以使所述材料退火。
76.如权利要求67所述的方法，其进一步包含：
(d)将所述基板在约100℃至约400℃的温度下加热以便将所述化合物或墨水转化成
材料；
(e)将所述化合物或墨水沉积于所述基板上；
(f)重复步骤(d)和(e)；以及
(g)通过将所述基板在约300℃至约650℃的温度下加热以使所述材料退火。
77.如权利要求67所述的方法，其进一步包含：
(d)将所述基板在约100℃至约400℃的温度下加热以便将所述化合物或墨水转化成
材料；
(e)通过将所述基板在约300℃至约650℃的温度下加热以使所述材料退火；以及
(f)重复步骤(c)、(d)和(e)。
78.如权利要求67-77中任一项所述的方法，其进一步包含于任何加热或退火步骤之
前、期间或之后进行硒化或硫化的任选步骤。
79.物件，其通过权利要求67-77中任一项所述的方法制成。
80.光伏装置，其通过权利要求67-77中任一项所述的方法制成。
81.用于制备材料的方法，包含：
(a)提供一种或多种权利要求1至30中任一项所述的化合物或墨水；
(b)提供基板；
(c)将所述化合物或墨水沉积于所述基板上；以及
(d)在惰性环境中将所述基板在约20℃至约650℃的温度下加热，从而产生具有0.001
至100微米厚度的材料。
82.如权利要求81所述的方法，其中在约100℃至约550℃或约200℃至约400℃的温
度下加热所述基板。
83.如权利要求81所述的方法，其中所述沉积通过喷雾、喷涂、喷雾沉积、喷雾热解、印
刷、丝网印刷、喷墨印刷、气溶胶喷射印刷、油墨印刷、喷射印刷、印台印刷、转移印刷、移印、柔性版印刷、凹版印刷、接触印刷、背面印刷、热敏印刷、平版印刷、电子照相印刷、电解沉积、电镀、无电式电镀、浴沉积、涂布、湿式涂布、旋涂、刮刀涂布、辊涂、棒式涂布、狭缝模具涂布、麦勒棒涂布、唇口型直接涂布、毛细管涂布、液相沉积、溶液沉积、逐层沉积、旋浇铸、溶液浇铸及任何上述组合来完成。
84.如权利要求81所述的方法，其中所述基板选自由下列组成的组：半导体、掺杂半导
体、硅、砷化镓、绝缘体、玻璃、钼玻璃、二氧化硅、二氧化钛、氧化锌、氮化硅、金属、金属箔、钼、铝、铍、镉、铈、铬、钴、铜、镓、金、铅、锰、钼、镍、钯、铂、铼、铑、银、不锈钢、钢、铁、锶、锡、钛、钨、锌、锆、金属合金、金属硅化物、金属碳化物、聚合物、塑料、导电聚合物、共聚物、聚合物掺合物、聚对苯二甲酸乙二酯、聚碳酸酯、聚酯、聚酯薄膜、迈拉、聚氟乙烯、聚偏二氟乙烯、聚乙烯、聚醚酰亚胺、聚醚砜、聚醚酮、聚酰亚胺、聚氯乙烯、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯聚合物、聚硅氧烷、环氧树脂、纸、涂布纸及任何上述组合。
85.如权利要求81所述的方法，其进一步包含在步骤(c)或(d)之前、期间或之后进行
硒化或硫化的任选步骤。
86.如权利要求81所述的方法，其中所述材料为半导体。
87.如权利要求81所述的方法，其中所述材料为薄膜的形式。
88.材料，其通过权利要求81-87中任一项所述的方法制成。
89.光伏装置，其含有通过权利要求81-87中任一项所述的方法制成的材料。
90.薄膜材料，其通过以下方法制备，所述方法包括：
(a)提供一种或多种权利要求1至30中任一项所述的化合物或墨水；
(b)提供基板；
(c)将所述化合物或墨水沉积于所述基板上；以及
(d)在惰性环境中将所述基板在约20℃至约650℃的温度下加热，从而产生具有0.001
至100微米厚度的薄膜材料。
91.如权利要求90所述的薄膜材料，其中在约100℃至约550℃或约200℃至约400℃
的温度下加热所述基板。
92.如权利要求90所述的薄膜材料，其中所述沉积通过喷雾、喷涂、喷雾沉积、喷雾热
解、印刷、丝网印刷、喷墨印刷、气溶胶喷射印刷、油墨印刷、喷射印刷、印台印刷、转移印刷、移印、柔性版印刷、凹版印刷、接触印刷、背面印刷、热敏印刷、平版印刷、电子照相印刷、电解沉积、电镀、无电式电镀、浴沉积、涂布、湿式涂布、旋涂、刮刀涂布、辊涂、棒式涂布、狭缝模具涂布、麦勒棒涂布、唇口型直接涂布、毛细管涂布、液相沉积、溶液沉积、逐层沉积、旋浇铸、溶液浇铸及任何上述组合来完成。
93.如权利要求90所述的薄膜材料，其中所述基板选自由下列组成的组：半导体、掺杂
半导体、硅、砷化镓、绝缘体、玻璃、钼玻璃、二氧化硅、二氧化钛、氧化锌、氮化硅、金属、金属箔、钼、铝、铍、镉、铈、铬、钴、铜、镓、金、铅、锰、钼、镍、钯、铂、铼、铑、银、不锈钢、钢、铁、锶、锡、钛、钨、锌、锆、金属合金、金属硅化物、金属碳化物、聚合物、塑料、导电聚合物、共聚物、聚合物掺合物、聚对苯二甲酸乙二酯、聚碳酸酯、聚酯、聚酯薄膜、迈拉、聚氟乙烯、聚偏二氟乙烯、聚乙烯、聚醚酰亚胺、聚醚砜、聚醚酮、聚酰亚胺、聚氯乙烯、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯聚合物、聚硅氧烷、环氧树脂、纸、涂布纸及任何上述组合。
94.如权利要求90所述的薄膜材料，其中所述方法进一步包含在步骤(c)或(d)之前、
期间或之后进行硒化或硫化的任选步骤。
95.光伏吸收剂，其由权利要求90-94中任一项所述的薄膜材料制成。
96.光伏装置，其包含通过权利要求90-94中任一项所述的方法制备的薄膜材料。
97.光伏系统，其包含权利要求96所述的光伏装置，用于提供电力。
98.电力供应方法，其包括使用权利要求97所述的光伏系统将光转化成电能。
99.用于在基板上制造光伏吸收剂层的方法，包括：
(a)提供一种或多种权利要求1-30中任一项所述的化合物或墨水；
(b)提供基板；
(c)将所述化合物或墨水沉积于所述基板上；以及
(d)在惰性环境中将所述基板在约100℃至约650℃的温度下加热，从而产生具有
0.001至100微米厚度的光伏吸收剂层。
100.如权利要求99所述的方法，其中在约100℃至约550℃或约200℃至约400℃的温
度下加热所述基板。
101.如权利要求99所述的方法，其中所述沉积通过喷雾、喷涂、喷雾沉积、喷雾热解、
印刷、丝网印刷、喷墨印刷、气溶胶喷射印刷、油墨印刷、喷射印刷、印台印刷、转移印刷、移印、柔性版印刷、凹版印刷、接触印刷、背面印刷、热敏印刷、平版印刷、电子照相印刷、电解沉积、电镀、无电式电镀、浴沉积、涂布、湿式涂布、旋涂、刮刀涂布、辊涂、棒式涂布、狭缝模具涂布、麦勒棒涂布、唇口型直接涂布、毛细管涂布、液相沉积、溶液沉积、逐层沉积、旋浇铸、溶液浇铸及任何上述组合来完成。
102.如权利要求99所述的方法，其中所述基板选自由下列组成的组：半导体、掺杂半
导体、硅、砷化镓、绝缘体、玻璃、钼玻璃、二氧化硅、二氧化钛、氧化锌、氮化硅、金属、金属箔、钼、铝、铍、镉、铈、铬、钴、铜、镓、金、铅、锰、钼、镍、钯、铂、铼、铑、银、不锈钢、钢、铁、锶、锡、钛、钨、锌、锆、金属合金、金属硅化物、金属碳化物、聚合物、塑料、导电聚合物、共聚物、聚合物掺合物、聚对苯二甲酸乙二酯、聚碳酸酯、聚酯、聚酯薄膜、迈拉、聚氟乙烯、聚偏二氟乙烯、聚乙烯、聚醚酰亚胺、聚醚砜、聚醚酮、聚酰亚胺、聚氯乙烯、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯聚合物、聚硅氧烷、环氧树脂、纸、涂布纸及任何上述组合。
103.如权利要求99所述的方法，其进一步包含在步骤(c)或(d)之前、期间或之后进
行硒化或硫化的任选步骤。
104.光伏装置，其包含通过权利要求99-103中任一项所述的方法制备的光伏吸收剂
层。