一种新型制备tic晶须的生产工艺方法
专利汇可以提供一种新型制备tic晶须的生产工艺方法专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 公开了一种新型制备tic晶须的生产工艺方法，该新型制备tic晶须的生产工艺方法包括二 氧 化 钛 50%-70%、 碳 30%-45%、卤化物5%-15%和催化剂2%-8%，本发明提供的一种新型制备tic晶须的生产工艺方法采用原料 粉碎 后进行混合，然后再进行压制后进行 烧结 ，利于材料和反应稳定，保证高效催化生产，同时再烧结是采用阶梯式升温的方式，利于稳定控制，同时保证受热催化均匀性，最后再用 水 洗过滤取出杂质，提高产品 质量 ，保证生产效率，有效降低成本，利于大规模生产推广。，下面是一种新型制备tic晶须的生产工艺方法专利的具体信息内容。
1.一种新型制备tic晶须的生产工艺方法，其特征在于：该新型制备tic晶须的生产工艺方法包括二氧化钛50%-70%、碳30%-45%、卤化物5%-15%和催化剂2%-8%。
2.根据所述权利要求1的一种新型制备tic晶须的生产工艺方法，其特征在于：该新型制备tic晶须的生产工艺方法包括如下步骤
S1、备料：按照质量百分比称取相应的原料，备用；
S2、预处理：将二氧化钛和碳分别加入粉碎机进行磨碎处理，然后过200目-250目筛网，得到原料粉末；
S3、混料：将原料粉末和卤化物、催化剂加入到混料机内，在35转每分钟至40转每分钟速率下，均匀搅拌25分钟至35分钟，得到混合原料；
S4、预制：将混合原料压制成型，得到块状原料；
S5、烧结：将块状原料放入高温炉中，通入氩气进行保护，升温至1100摄氏度至1500摄氏度，保温2小时至4小时；
S6、后处理：将产物快速冷却后，用水洗去可溶物，然后经过过滤和烘干，得到晶须制品。
3.根据所述权利要求1的一种新型制备tic晶须的生产工艺方法，其特征在于：所述卤化物为氯化钠、氯化镁或氯化钙的一种或多种混合物。
4.根据所述权利要求1的一种新型制备tic晶须的生产工艺方法，其特征在于：所述催化剂为镍粉或钴粉。
5.根据所述权利要求2的一种新型制备tic晶须的生产工艺方法，其特征在于：所述S2步骤中采用行星式球磨机，速率为300转每分钟至400转每分钟，时间为1小时至2小时。
6.根据所述权利要求2的一种新型制备tic晶须的生产工艺方法，其特征在于：所述S4步骤中预制压力为180MPa-220MPa。
7.根据所述权利要求1的一种新型制备tic晶须的生产工艺方法，其特征在于：所述S5步骤中烧结温度为先升温至1100摄氏度至1150摄氏度，保温30分钟至60分钟，再升温至
1200摄氏度至1300摄氏度，保温1小时至1.5小时，最后升温至1450摄氏度至1500摄氏度，保温1小时至2小时。
8.根据所述权利要求1的一种新型制备tic晶须的生产工艺方法，其特征在于：所述S6步骤中冷却速率为20摄氏度每分钟至25摄氏度每分钟。
9.根据所述权利要求1的一种新型制备tic晶须的生产工艺方法，其特征在于：所述S6步骤中烘干方式采用热风烘干，温度为60摄氏度至80摄氏度，时间为50分钟至90分钟。
一种新型制备tic晶须的生产工艺方法
技术领域
背景技术
发明内容
S2、预处理：将二氧化钛和碳分别加入粉碎机进行磨碎处理，然后过200目-250目筛网，得到原料粉末；
S3、混料：将原料粉末和卤化物、催化剂加入到混料机内，在35转每分钟至40转每分钟速率下，均匀搅拌25分钟至35分钟，得到混合原料；
S4、预制：将混合原料压制成型，得到块状原料；
S5、烧结：将块状原料放入高温炉中，通入氩气进行保护，升温至1100摄氏度至1500摄氏度，保温2小时至4小时；
S6、后处理：将产物快速冷却后，用水洗去可溶物，然后经过过滤和烘干，得到晶须制品。
具体实施方式
S2、预处理：将二氧化钛和碳分别加入粉碎机进行磨碎处理，然后过200目-250目筛网，得到原料粉末；
S3、混料：将原料粉末和卤化物、催化剂加入到混料机内，在35转每分钟至40转每分钟速率下，均匀搅拌25分钟至35分钟，得到混合原料；
S4、预制：将混合原料压制成型，得到块状原料；
S5、烧结：将块状原料放入高温炉中，通入氩气进行保护，升温至1100摄氏度至1500摄氏度，保温2小时至4小时；
S6、后处理：将产物快速冷却后，用水洗去可溶物，然后经过过滤和烘干，得到晶须制品。
1450摄氏度至1500摄氏度，保温1小时至2小时。
S2、预处理：将二氧化钛和碳分别加入粉碎机进行磨碎处理，然后过200目-250目筛网，得到原料粉末；
S3、混料：将原料粉末和卤化物、催化剂加入到混料机内，在35转每分钟至40转每分钟速率下，均匀搅拌25分钟至35分钟，得到混合原料；
S4、预制：将混合原料压制成型，得到块状原料；
S5、烧结：将块状原料放入高温炉中，通入氩气进行保护，升温至1100摄氏度至1500摄氏度，保温2小时至4小时；
S6、后处理：将产物快速冷却后，用水洗去可溶物，然后经过过滤和烘干，得到晶须制品。
1450摄氏度至1500摄氏度，保温1小时至2小时。
S2、预处理：将二氧化钛和碳分别加入粉碎机进行磨碎处理，然后过200目-250目筛网，得到原料粉末；
S3、混料：将原料粉末和卤化物、催化剂加入到混料机内，在35转每分钟至40转每分钟速率下，均匀搅拌25分钟至35分钟，得到混合原料；
S4、预制：将混合原料压制成型，得到块状原料；
S5、烧结：将块状原料放入高温炉中，通入氩气进行保护，升温至1100摄氏度至1500摄氏度，保温2小时至4小时；
S6、后处理：将产物快速冷却后，用水洗去可溶物，然后经过过滤和烘干，得到晶须制品。
1450摄氏度至1500摄氏度，保温1小时至2小时。
S2、预处理：将二氧化钛和碳分别加入粉碎机进行磨碎处理，然后过200目-250目筛网，得到原料粉末；
S3、混料：将原料粉末和卤化物、催化剂加入到混料机内，在35转每分钟至40转每分钟速率下，均匀搅拌25分钟至35分钟，得到混合原料；
S4、预制：将混合原料压制成型，得到块状原料；
S5、烧结：将块状原料放入高温炉中，通入氩气进行保护，升温至1100摄氏度至1500摄氏度，保温2小时至4小时；
S6、后处理：将产物快速冷却后，用水洗去可溶物，然后经过过滤和烘干，得到晶须制品。
1450摄氏度至1500摄氏度，保温1小时至2小时。
S2、预处理：将二氧化钛和碳分别加入粉碎机进行磨碎处理，然后过200目-250目筛网，得到原料粉末；
S3、混料：将原料粉末和卤化物、催化剂加入到混料机内，在35转每分钟至40转每分钟速率下，均匀搅拌25分钟至35分钟，得到混合原料；
S4、预制：将混合原料压制成型，得到块状原料；
S5、烧结：将块状原料放入高温炉中，通入氩气进行保护，升温至1100摄氏度至1500摄氏度，保温2小时至4小时；
S6、后处理：将产物快速冷却后，用水洗去可溶物，然后经过过滤和烘干，得到晶须制品。
1450摄氏度至1500摄氏度，保温1小时至2小时。
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