多级半导体结构中对准带帽金属线和互连的形成
专利汇可以提供多级半导体结构中对准带帽金属线和互连的形成专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且在集成 电路 技术中，提供了例如 铜 的金属的电迁移和扩散敏感导体及其加工程序，其中在平整化的化学 机械加工 的界面处，在可选择的低Keff介质材料的用一种材料围绕的区中 定位 该导体金属。选择所述一种材料以便防止外扩散并且作为膜形成厚度帽的源，该膜形成厚度帽将形成在导体金属上和/或起到催化层的作用，用于CoWP成帽层的化学选择淀积。，下面是多级半导体结构中对准带帽金属线和互连的形成专利的具体信息内容。
1.一种电迁移和扩散敏感金属的集成电路导电元件，所述电迁移 和扩散敏感金属由保护帽覆盖，并且所述电迁移和扩散敏感金属定位 在延伸至介质的平整表面的沟槽中，在所述沟槽中，由抗该电迁移和 扩散敏感金属的外扩散的、并且作为所述帽材料的扩散源的材料构成 的衬垫环绕所述电迁移和扩散敏感金属。
2.权利要求1的集成电路导电元件，其中所述介质是从各种 SiO2基介质中选取的至少一种材料。
3.权利要求2的集成电路导电元件，其中所述介质是SiCOH或 SILK材料。
4.权利要求2或3的集成电路导电元件，其中所述导电元件的金 属是铜。
5.权利要求4的集成电路导电元件，其中所述衬垫是由来自组A 和B的至少一种成分构成的衬垫叠层或一种合金，其中A选自W、 Ta、Ti、它们的氮化物和硅化物；B选自Ru、Rh、Pd、Pt、Ag、Co和Ir。
6.权利要求5的集成电路导电元件，其中所述帽是Ru、Pd、 Rh、Ir、Ag、Pt和Co中的至少一个元素。
7.带帽集成电路导体线和互连部件的制造方法，包括步骤：
形成延伸至介质的平整化表面的具有侧面和底部的沟槽，
在所述沟槽中定位衬垫材料，使其位于所述侧面和底部，
所述衬垫材料具有抗原子扩散通过所述衬垫材料的性能，
所述衬垫材料还具有作为成帽材料的扩散原子源的性能，
用导体金属填充所述带衬垫的沟槽，
平整化所述经填充的带有衬垫材料的沟槽，直到所述介质的所述 平整化表面，和
在以下温度循环中对所述介质中所述填充了的带衬垫的沟槽进行 退火，该温度循环使所述成帽材料的原子扩散，以便在所述平整化表 面处在所述导体金属上形成层。
8.权利要求7的方法，其中所述导体金属是Cu。
9.权利要求8的方法，其中所述介质是从SiO2基介质中选取的 至少一种材料。
10.权利要求9的方法，其中所述介质是SiCOH或SILK材料。
11.权利要求9或10的方法，其中所述衬垫是由来自组A和B的 至少一个成分构成的衬垫叠层或合金，其中A选自W、Ta、Ti、它们 的氮化物和硅化物；B选自Ru、Rh、Pd、Pt、Ag、Co和Ir。
12.权利要求11的方法，其中来自所述组B的元素的扩散原子在 后续的CoWP层的淀积中起到催化层的作用。
13.在介质层型集成电路导电元件中提供抗环境和抗电迁移和扩 散的方法，其改进在于在所述介质中的沟槽中形成导体和互连部件的 金属部分，用衬垫给所述沟槽作衬，所述衬垫抵抗原子扩散通过所述 衬垫，并且所述衬垫起到成帽材料的扩散原子源的作用，对所述金属 和所述衬垫施加扩散退火热循环。
技术领域
本发明涉及使用会表现出扩散和电迁移性能的金属例如铜(Cu) 作为半导体集成电路中线和互连中的金属导体的领域，尤其是介质材 料内的这种集成电路中该材料的导体的形成，并且具有自对准金属帽 层。
背景技术
例如铜(Cu)的材料在本领域正引起人们的注意，因为它具有能 够通过减小导体电阻改进性能的潜在能力。然而，由增加性能的愿望 驱动而导致的越来越小的尺寸和不断增加电流的物理条件下，这种材 料的扩散和电迁移性能难以解决污染和泄漏控制问题和可靠性问题。
通常以术语“衬垫”、“阻挡”或者“帽”相称的保护层正在被 采用，试图限制外扩散和电迁移。然而，任何保护材料还必须对结构 中其它各种介质材料具有好的粘结性。
在目前的技术状态，在一个方案中，通过下列方式解决上述问 题，对于硅衬底上的铜导体线来说，使用二氧化硅作为互连介质材 料，氮化硅材料作为帽材料。然而，目前依赖的氮化硅材料在具有理 想的高电阻率性能的同时，还具有7至8的相当高的介电常数，因此 增加了结构的有效介电常数(Keff)，也不利地影响了级内电容 (intralevel capacitance)。
在另一个方案中，也涉及材料Cu的扩散和电迁移问题，所实现的 理想结果包括进一步能够选择保持理想的低(Keff)的帽材料，该帽 材料通过环绕的介电材料建立。该技术在Hu等人于7/27/99申请的 申请序列号No.09/361,573中描述了，该申请转让给了本申请的受让 人。在该技术中，在包括钴钨磷(CoWP)淀积的两步工序中生成自对 准金属帽。所淀积的材料覆盖和保护顶部铜表面，同时实现了结构中 理想的粘结，并且起到阻抗电迁移的作用。
当在本领域寻求更大的进步时，低介电常数(低K)金属间 (intermetal)的介质材料表现出更有前途的性能。
在集成电路技术中需要更简单的加工方法，其中保护导体材料例 如Cu免受电迁移和扩散的影响，并且能够定位在可选择的低Keff介 电结构中。
发明内容
附图简述
图1是本发明的带帽扩散-电迁移保护的导电元件的截面图。
图2A至2G表明在本发明的带帽导电元件的形成中，在几个加工 步骤的部分制造的结构。
本发明的描述
在目前的技术状态，在利用扩散和电迁移敏感金属例如铜作为布 线导体和互连的集成电路的发展中，问题的主要根源来自金属外扩散 到介质中从而在支撑介质界面处造成污染，以及金属与下一级的界面 处的跟其它材料反应。
参考图1，图1示出了本发明的扩散-迁移保护导电元件的截面 图。在图1中，介质2在平面化学机械加工(CMP)的平整表面3下 延伸，在延伸到介质2中的沟槽1中，沿着沟槽1的侧面和底部在衬 垫5内定位本发明的扩散-电迁移保护导电元件4。衬垫5中的铜制 成的导体6具有与衬垫5的外侧侧表面8对准的帽7，并且能够加工 成与(CMP)平整表面3齐平。在进一步的使用中，如果需要，可以 进一步从下面CMP加工介质材料2，以便在示为点划线9A和9B的将 被平整化的表面中露出导体6的底部，点划线9A所示的表面用于被 露出导体，点划线9B所示的表面具有与帽7对应的帽。
参考图2A-2G，在本发明的使用金属铜(Cu)作为导体的扩散-迁 移保护导体元件的形成中，在说明性的制造步骤中提供了结构的部分 产品图。其中适当采用了与较早的图中所用的参考标号对应的参考标 号。
参考图1和2，从图2A开始，介质材料2的层11已经淀积在例 如氧化硅材料的衬底上，该层11的介质材料2例如选自通常由Si、 C、O和H构成、具有如CORAL和Black DIAMOND等商标的SiO2、 SILK、FSG、SiCOH和Si基低k介质，其深度例如达到大约1000- 10000埃，该深度大约比将形成的导体6的设计高度在同一数量级或 稍大。暴露表面12。至此在用于层11的介质材料2的性能选择上存 在灵活性，使得可以选择低k介质。
参考图2B，用掩模材料13平版印刷覆盖露出的表面12，使得留 下暴露的区域14，以便制造加工。掩模材料13应能够抵抗通过区域 14对层11的任何想要的腐蚀操作，例如化学或者反应离子蚀刻。
参考图2C，图2C示出了层11中沟槽15的形成，该沟槽通过表 面12利用例如化学或者反应离子蚀刻已经形成，深度大约为1000- 10000埃，该深度比将形成的导体6的设计高度在同一数量级或稍 大。
在图2D中，标为部件16的衬垫区可淀积在沟槽15中，采用的淀 积技术例如有物理汽相淀积(PVD)即溅射等、化学汽相淀积 (CVD)、原子层淀积(ALD)、化学或者电解淀积。衬垫区16将覆 盖沟槽15的侧面和底部，并且最初允许覆盖表面12。部件16可以 是结构中一个或者多个单独的层、合金或者相，并且可以形成为例如 由钨(W)与钌(Ru)构成的双层。或者可选择的组合可以是 TaN/Ta/Ru、TiW/Ru、TiN/Ru。衬垫区16中材料的扩散源性能产生了 在结构中还能够起催化作用的金属帽。该性能给予成份是Ru，它能 够由如Pd、Rh、Co、Pt、Ir和Ag元素代替。
衬垫区16的作用是提供对于包含在沟槽15中的导体金属的外扩 散和电迁移抑制能力，并且衬垫区16的作用还包括作为扩散剂元素 源，后来该扩散剂元素穿过所述将提供的导体金属扩散出衬垫区 16，然后作为其上面的自对准帽。衬垫区16具有层的形式，可以选 自下面的成份：
对于叠层衬垫A/B：A可以选自W、Ta或者Ti、它们的氮化物和 硅化物及其组合，B可以选自Pd、Rh、Co、Pt、Ir、Ru和Ag，B层 的厚度＜100A。对于合金衬垫A(B)来说，保持上面的成份关系，且 合金中B的比例＜75％。对于大约0.1微米的衬垫宽度跨距来说，总 的衬垫区16的厚度在大约30-300埃范围内。
参考图2E，描述了已经进行了填充操作，其中利用标为部件17 的导体材料的淀积操作填充沟槽15内衬垫区16的开放部分。淀积操 作可以是本领域的标准技术，例如电解镀或者化学镀。当选择的导体 金属是铜时，在活化任何电镀操作中可以需要或者不需要籽晶。导体 材料17的淀积操作填充了衬了衬垫区16的沟槽15的开口，可能有 延伸区延伸到衬垫区16的部分表面上。
参见图2F，已进行平整化操作，其中利用如化学-机械抛光技术 的技术，除去所有的材料，直到表面12，留下包含衬垫区16、继而 用导体材料17填充的沟槽15，所有都与表面12齐平。
参考图2G，对图2F所示的结构进行退火热循环操作，以便使成 帽材料扩散，例如已经包含在衬垫16区中的钌穿过填充沟槽15开口 的导体材料17到达表面12，由此在表面形成帽18，帽18在表面12 处与衬垫区16的边缘自对准。帽18的厚度可以大约为5-50埃，对 于环境保护或者作为大约50-500埃厚量级的电镀或化学镀操作的催 化剂来说，上述帽18的厚度足够了。
图2G所示的中间产物可以用作表面12处的电衬垫，或者通过使 用帽18作为更多帽层的籽晶或者催化剂，或者进一步通过从下面腐 蚀加工该中间产物例如CMP，腐蚀到所示的点划线19，从而露出扩散 和电迁移保护和带帽的线或者互连，用于其它用途。
已经描述的技术是提供在介质中具有自对准帽的一种具有的扩散 和电迁移保护的导电元件，介质中的导体由抗外扩散并且作为成帽材 料源的材料围绕，该成帽材料能够扩散到帽位置。
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