互连接触的干法回蚀
专利汇可以提供互连接触的干法回蚀专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且一种用于具有减小的 接触 电阻 以及改进的可靠性的复合柱体接触接合的方法和结构。使用选择性干法蚀刻，该选择性干法蚀刻包括含氟气体。通过在M1 RIE工艺之后或期间部分地干法回蚀钨接触，来减小接触电阻。接着，随后在M1加衬/电 镀 工艺期间使凹入的接触 金属化 。在完全形成后，减少了钨接触的高度。，下面是互连接触的干法回蚀专利的具体信息内容。
1.一种制造电子器件的方法，包括如下步骤：
提供将在其上形成接触的衬底；
提供形成在所述衬底上的氧化物中的包括第一导电材料的导电过孔；
在所述导电过孔上提供电介质层；
在所述电介质层上提供氧化物硬掩膜；
在所述氧化物硬掩膜上提供光致抗蚀剂层；
在所述光致抗蚀剂层中形成开口；
使用除基于碳氟化合物的气体之外的含氟气体来去除所述光致抗蚀剂层以及去除在所述开口中的所述电介质层和所述氧化物硬掩膜以及所述第一导电材料的一部分；
在所述开口中沉积第二导电材料，以形成包括所述第一导电材料和所述第二导电材料的复合导电过孔。
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述含氟气体选自由NF3、F2和SF6组成的组。
3.根据权利要求1所述的方法，其中所述电介质层是低K SiCOH材料。
4.根据权利要求3所述的方法，其中所述低K SiCOH材料是多孔超低K材料。
5.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一导电材料是钨，以及所述第二导电材料是铜。
6.根据权利要求2所述的方法，其中所述含氟气体包括500sccm的氩以及50sccm的NF3。
7.根据权利要求6所述的方法，其中所述含氟气体的压力是100mTorr到200mTorr。
8.一种制造电子器件的方法，包括如下步骤：
提供将在其上形成接触的衬底；
提供形成在所述衬底上的氧化物中的包括第一导电材料的导电过孔；
在所述导电过孔上提供电介质层；
在所述电介质层上提供氧化物硬掩膜；
在所述氧化物硬掩膜上提供光致抗蚀剂层；
在所述光致抗蚀剂层中形成开口；
使用含碳氟化合物的气体来去除在所述开口中的所述电介质层和所述氧化物硬掩膜以及去除所述光致抗蚀剂层；
使用除基于碳氟化合物的气体之外的含氟气体来去除在所述开口中的所述第一导电材料的一部分；
在所述开口中沉积第二导电材料，以形成包括所述第一导电材料和所述第二导电材料的复合导电过孔。
9.根据权利要求8所述的方法，其中所述含氟气体选自由NF3、F2和SF6组成的组。
10.根据权利要求8所述的方法，其中所述电介质层是低KSiCOH材料。
11.根据权利要求10所述的方法，其中所述低K SiCOH材料是多孔超低K材料。
12.根据权利要求8所述的方法，其中所述第一导电材料是钨，以及所述第二导电材料是铜。
13.根据权利要求9所述的方法，其中所述含氟气体包括500sccm的氩以及50sccm的NF3。
14.根据权利要求13所述的方法，其中所述含氟气体的压力是100mTorr到200mTorr。
15.一种制造电子器件的方法，包括如下步骤：
提供将在其上形成接触的衬底；
提供形成在所述衬底上的氧化物中的包括第一导电材料的导电过孔；
在所述导电过孔上提供电介质层；
在所述电介质层上提供氧化物硬掩膜；
在所述氧化物硬掩膜上提供光致抗蚀剂层；
在所述光致抗蚀剂层中形成开口；
使用含碳氟化合物的气体来去除在所述开口中的所述电介质层和所述氧化物硬掩膜；
使用除基于碳氟化合物的气体之外的含氟气体来去除所述光致抗蚀剂层和去除在所述开口中的所述第一导电材料的一部分；
在所述开口中沉积第二导电材料，以形成包括所述第一导电材料和所述第二导电材料的复合导电过孔。
16.根据权利要求15所述的方法，其中所述含氟气体选自由NF3、F2和SF6组成的组。
17.根据权利要求15所述的方法，其中所述电介质层是低KSiCOH材料。
18.根据权利要求17所述的方法，其中所述低K SiCOH材料是多孔超低K材料。
19.根据权利要求15所述的方法，其中所述第一导电材料是钨，以及所述第二导电材料是铜。
20.根据权利要求16所述的方法，其中所述含氟气体包括500sccm的氩以及50sccm的NF3。
21.根据权利要求20所述的方法，其中所述含氟气体的压力是100mTorr到200mTorr。
22.一种电子器件，包括：
形成在衬底上的多晶硅栅极；
与所述多晶硅栅极相接触的复合柱体过孔结构，所述复合柱体过孔结构具有第一部分和第二部分，
其中所述第一部分位于所述第二部分的下部和部分侧部，并且
其中所述第一部分与所述多晶硅栅极和导电金属互连相接触。
23.根据权利要求22所述的电子器件，其中所述第一部分由钨组成，所述第二部分由铜组成。
24.根据权利要求23所述的电子器件，其中只有所述第一部分与所述多晶硅栅极相接触。
25.根据权利要求24所述的电子器件，其中所述复合柱体过孔结构的宽度为100nm以及高度为2000埃。
26.根据权利要求24所述的电子器件，其中所述第一部分的高度为500埃。
互连接触的干法回蚀
技术领域
背景技术
发明内容
附图说明
具体实施方式
| 标题 | 发布/更新时间 | 阅读量 |
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