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接触探针

阅读：75发布：2020-05-13

专利汇可以提供接触探针专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且提供一种抑制接触探针与引导板干涉所引起的削屑的产生的电接触构件。其具备接触部(2)、弹性变形部(4)及前端部(3)，接触部(2)具有由外侧的金属层(11、13)夹着中间的金属层(12)的层叠构造，且抵接于检查对象物，弹性变形部(4)在长边方向的压缩力的作用下，以向预先确定的弯曲方向(N)弯曲的方式弹性变形，前端部(3)形成在接触部(2)以及弹性变形部(4)之间，并被引导板(120)的贯通孔(121)支承为使得接触部(2)在长边方向上能够移动，在弹性变形部(4)的弯曲方向(N)及其反方向(N’)形成的前端部(3)的侧面由三个金属层(11～13)构成，在该侧面中，中间的金属层(12)比外侧的金属层(11、13)更突出。，下面是接触探针专利的具体信息内容。

权利要求

1.一种接触探针，其特征在于，具备：
接触部，其抵接于检查对象物；
端子部，使其与配线基板导通；
弹性变形部，其设置在上述接触部与上述端子部之间，具有预先确定弯曲方向的弯曲形状；以及
滑动部，其由引导板的贯通孔支承为能够在长边方向上移动，通过上述弹性变形部的弯曲而朝规定的方向偏斜，
上述弯曲方向是与上述弹性变形部的长边方向正交的上述弹性变形部的挠曲方向，上述滑动部具有在上述规定的方向上与上述贯通孔的内侧平面对置的侧面，上述侧面包括在宽度方向上位于外侧的两个外侧部以及由上述两个外侧部夹着的中间部，上述中间部比上述外侧部更向上述规定的方向突出。
2.如权利要求1所述的接触探针，其特征在于，
在上述滑动部的侧面，以覆盖上述中间部以及上述外侧部的方式形成有镀层。
3.如权利要求1所述的接触探针，其特征在于，
上述滑动部形成在上述接触部与上述弹性变形部之间。
4.如权利要求1所述的接触探针，其特征在于，
上述滑动部形成在上述端子部与上述弹性变形部之间。

说明书全文

接触探针

[0001] 本申请是国际申请日为2013年11月27日、申请号为201380056852.6(国际申请号为PCT/JP2013/081957)、发明名称为“电接触构件”的发明申请的分案申请。

技术领域

[0002] 本发明涉及一种电接触构件，更详细地说，涉及一种伴随着弹性变形部的弹性变形而使接触部接触于电极端子的电接触构件，例如涉及用于半导体设备的电特性试验中的接触探针的改良。

背景技术

[0003] 半导体设备的电特性试验是通过使半导体晶片接近在配线基板上形成有许多接触探针的探针板，从而使各接触探针与半导体晶片上的电极衬垫接触，经由接触探针进行测试信号的输入输出而进行的。

[0004] 在使接触探针与电极衬垫接触时，在两者到达开始接触的状态后，进而进行使半导体晶片接近探针板的处理。将这种处理称为过激励(overdrive)，另外，将过激励的距离称为过激励量。过激励是使接触探针弹性变形的处理，通过进行过激励，即便在电极衬垫的高度和接触探针的高度上存在偏差，也能够使所有的接触探针可靠地接触于电极衬垫。

[0005] 本申请发明人在早先的专利申请中，提出了一种使接触探针的高频特性提高的方法(专利文献1)。专利文献1所记载的接触探针具备隔着空隙而使主面对置的多个细长的板状体所构成的弹性变形部。通过采用这种结构，在确保过激励量以及针压的同时，能够缩短探针长度，可以提高接触探针的高频特性。

[0006] 另外，本申请发明人还对上述接触探针进一步改良，提出了使其耐电流特性提高的方法(专利文献2)。专利文献2所记载的接触探针具有上述板状体在其宽度方向上由应力层夹着导电层的三层构造。因此，在确保过激励量、针压以及高频特性的同时，可使耐电流特性提高。

[0007] 在先技术文献

[0008] 专利文献

[0009] 专利文献1：日本特开2012-173263号公报

[0010] 专利文献2：日本特愿2011-141751号

[0011] 这种接触探针在如下状态下使用，即，其根部被固定于配线基板，并且为了使前端部在长边方向能够移动，前端附近由引导板支承的状态。引导板具有供接触探针贯通的贯通孔，进行前端部在二维面内的定位。因此，在过激励时，接触探针的侧面与贯通孔的内表面接触，任一方被削刮而产生削屑。若产生这样的削屑，存在过激励时接触探针的运动变差的顾虑。另外，在导电性材料的削屑的情况下，存在在相邻的接触探针间发生短路的顾虑。

[0012] 专利文献2的接触探针由于是通过应力层夹着导电层而构成的，因此具有由三层构成的侧面。在这种侧面上存在着易产生台阶易产生削屑的问题。尤其，在专利文献2的接触探针的情况下，朝向折曲方向的侧面由三层构成，在过激励时，该侧面被压接到贯通孔的内表面，因此存在产生削屑的问题。另外，当将产生台阶的上述侧面压接于贯通孔的内表面时，存在着在接触探针上产生扭转，引导板的定位精度下降的问题。另外，由于在接触探针上产生扭转，存在着容易产生削屑的问题。

[0013] 另外，根据本申请发明人的实验，若重复使用专利文献2记载的上述接触探针，则知道了在导电层表面形成凹凸，成为粗糙的状态。该现象认为是因为导电层重复进行塑性变形而产生的。在过激励时，应力层进行弹性变形，相对于此，导电层进行塑性变形。因此，若重复使用接触探针，则认为重复塑性变形的导电层的表面变粗糙。

[0014] 其结果是，例如，当通过在导电层表面形成绝缘层，从而防止接触探针间的短路的情况下，在导电层上形成的绝缘层断裂或剥离，在接触探针间产生短路。即，由于导电层的表面变粗糙，产生使接触探针的耐久性下降的问题。

[0015] 这种问题不仅存在于在半导体设备的电特性试验中使用的接触探针，在伴随于弹性变形部的弹性变形而使接触部与电极端子接触的电接触构件中是共通的问题。

发明内容

[0016] 本发明是鉴于上述情况而提出的，其目的在于，提供一种能够抑制由于与引导板发生干涉而产生削屑的电接触构件。另外，本发明的目的在于，抑制由于与引导板发生干涉而在电接触构件上产生扭转的情况。

[0017] 尤其，本发明的目的在于，提供一种在由三层以上的层形成的电接触构件中，能够抑制因为由三层构成的侧面上的台阶而引起的削屑的产生的电接触构件。另外，目的在于，抑制由上述台阶而引起的在电接触构件上产生扭转、引导板的定位精度下降的情况。

[0018] 另外，本发明的目的在于，提高具有由应力层夹着导电层的三层构造的电接触构件的耐久性。另外，目的在于，在弹性变形部被分割为两个以上的板状体且各个板状体具有三层构造的电接触构件中，在不使耐电流特性或过激励特性显著下降的情况下，使耐久性提高。进而，目的在于，防止相邻配置的电接触构件间发生短路。

[0019] 第一本发明的电接触构件，具备：接触部，其抵接于检查对象物；端子部，使其与配线基板导通；弹性变形部，其设置在上述接触部以及端子部之间，并在长边方向的压缩力的作用下以弯曲的方式弹性变形；以及滑动部，其由引导板的贯通孔支承为能够在长边方向上移动，上述弹性变形部具有预先确定弯曲方向的弯曲形状，上述滑动部具有由外层夹着中间层、层叠面在长边方向上延伸的层叠构造，在上述滑动部的侧面，上述中间层比上述外层更向上述弯曲方向以及上述弯曲方向的反方向突出。

[0020] 通过采用这种结构，在过激励时，相对于引导板的贯通孔的内表面，不按压外层，可以按压中间层。因此，与外层比中间层更突出、外层被按压于贯通孔的内表面的情况相比，能够抑制在过激励时在电接触构件上产生扭转。另外，能够抑制因在电接触构件上产生扭转而造成在滑动时易产生削屑。

[0021] 第二本发明的电接触构件，除了上述结构，在上述滑动部的侧面，以覆盖中间层以及外层的方式形成有镀层。根据这种结构，可以使中间层以及外层的台阶的顶角变钝，能够使侧面平缓。因此，相对于贯通孔的内表面，在前端部的侧面以在局部与之接触的状态滑动时，能够增大接触面积。因此，能够抑制在滑动时产生削屑。

[0022] 第三本发明的电接触构件，除了上述结构，上述滑动部构成为形成在上述接触部以及上述弹性变形部之间。根据这种结构，能够通过引导板的贯通孔进行接触部在二维平面内的定位，并且抑制过激励时在电接触构件上产生扭转。另外，能够抑制在滑动时易产生削屑。

[0023] 第四本发明的电接触构件，除了上述结构，上述滑动部构成为形成在上述端子部以及上述弹性变形部之间。根据这种结构，能够通过引导板的贯通孔进行端子部在二维平面内的定位，并且抑制过激励时在电接触构件上产生扭转。另外，能够抑制在滑动时易产生削屑。

[0024] 第五本发明的电接触构件，除了上述结构，上述弹性变形部由细长的板状体构成，上述板状体具有：由第1金属构成的导电层、在宽度方向上以夹着上述导电层的方式形成的由第2金属构成的应力层、在上述板状体的主面上以覆盖上述导电层的方式形成的由第3金属构成的薄膜层。而且，第1金属的电阻率小于第2金属的电阻率，第2金属以及第3金属的机械强度比第1金属的机械强度高。

[0025] 通过将电接触构件的一部分做成板状体，能够降低在使板状体向厚度方向折曲时产生的应力。因此，在弹性限界内，能够更大地使其弯曲，在确保希望的过激励量的同时，能够缩短电接触构件。其结果是，不会使电接触构件的接触特性下降，能够提高高频特性。

[0026] 另外，上述板状体具有在其宽度方向上排列的导电层以及应力层，导电层由电阻率小的第1金属构成，应力层由机械强度高的第2金属构成。通过采用这种结构，能够在维持机械强度的同时，降低电阻。因此，能够确保过激励时的针压，同时使电接触构件的耐电流特性提高。另外，通过配置成由应力层夹着导电层，能够防止过激励时在板状体上产生扭转或偏斜。

[0027] 进而，上述板状体具有在板状体的主面上以覆盖导电层的方式形成的薄膜层，该薄膜层由机械强度比第1金属高的第3金属构成。通过采用这种结构，在过激励时塑性变形的导电层被弹性变形的薄膜层覆盖，能够防止板状体主面变粗糙。

[0028] 第六本发明的电接触构件，除了上述结构，上述弹性变形部由以隔着空隙而使上述主面对置的方式配置的两个以上的上述板状体构成，上述板状体在长边方向的两端相互结合。

[0029] 通过具备两个以上的板状体，并使这些板状体的主面隔着空隙对置，由此，不使各板状体的厚度增大，就可使电接触构件的剖面面积增大，能够确保针压或耐电流特性。

[0030] 第七本发明的电接触构件，除了上述结构，上述薄膜层形成在配置于两端的上述板状体的外侧的主面上，而未形成在与上述空隙相邻的主面上。

[0031] 通过采用这种结构，若与在板状体的两主面形成薄膜层的情况相比，只要板状体是相同的厚度，就可使中间的金属层更厚地形成，能够降低电接触构件的电阻。另外，当在与狭窄空隙相邻的内侧的主面上形成薄膜层的情况下，与在外侧主面上形成薄膜层的情况相比，难以进行膜厚的控制，因此，通过不在内侧的主面上形成薄膜层，由此，能够容易制造电接触构件，另外，能够抑制电接触构件的特性的偏差。

[0032] 第八本发明的电接触构件，除了上述结构，构成为具备三个以上的上述板状体，上述板状体具有相互大致相同的厚度。

[0033] 通过采用这种结构，在过激励时，可使板状体分别变形，使得按压力向各板状体均等分散，成为相互大致相同的弯曲形状。因此，能够确保更大的过激励量，并且能够抑制在过激励时电接触构件偏斜。

[0034] 第九本发明的电接触构件，除了上述结构，在上述薄膜层上形成有绝缘膜。通过采用这种结构，能够防止因重复过激励而造成的绝缘膜断裂或剥离，能够防止相邻的电接触构件间的短路。

[0035] 发明效果

[0036] 根据本发明，能够抑制由于电接触构件与引导板干涉而产生削屑。另外，能够抑制由于电接触构件与引导板干涉而在电接触构件上产生扭转的情况。

[0037] 尤其，在由三层以上的层形成的电接触构件中，在由三层构成的侧面上形成台阶，能够抑制由该台阶引起的削屑的产生。其结果是，能够抑制由于削屑而使得电接触构件的运动变差。另外，能够防止由于产生导电性削屑而使得相邻的电接触构件间发生短路。

[0038] 另外，能够抑制由上述台阶引起的在电接触构件上产生扭转，导致引导板的定位精度下降。进而，能够抑制由于在电接触构件上产生扭转而产生削屑。

[0039] 进而，根据本发明，能够提高具有由应力层夹着导电层的三层构造的电接触构件的耐久性。另外，在弹性变形部被分割为两个以上的板状体，各个板状体具有上述三层构造的电接触构件中，不会使耐电流特性或过激励特性显著下降，能够提高耐久性。进而，还能够防止相邻配置的电接触构件间发生短路。附图说明

[0040] 图1是表示本发明的实施方式1的接触探针101的一构成例的外观图，表示接触探针101的立体图。

[0041] 图2是图1的接触探针101的侧视图。

[0042] 图3是图1的接触探针101的剖面图。

[0043] 图4是示意地表示使用图1的接触探针101进行电特性试验时的样子的说明图。

[0044] 图5是表示图4的前端部3的剖面形状与贯通孔121之间的关系的图。

[0045] 图6是表示图1的接触探针101的制造方法的一例的说明图。

[0046] 图7是表示图1的接触探针101的制造方法的一例的说明图。

[0047] 图8是表示本发明的实施方式2的接触探针102的一构成例的外观图。

[0048] 图9是图8的接触探针102的剖面图。

[0049] 图10是示意地表示使用图8的接触探针102进行电特性试验时的样子的说明图。

[0050] 图11是表示本发明的实施方式3的接触探针103的一构成例的外观图。

[0051] 图12是图11的接触探针103的剖面图。

[0052] 图13是表示本发明的实施方式4的接触探针104的一构成例的外观图，表示接触探针104的立体图。

[0053] 图14是图13的接触探针104的侧视图。

[0054] 图15是图13的接触探针104的剖面图。

[0055] 图16是表示图13的接触探针104的制造工序的一例的说明图。

[0056] 图17是接着图16，表示接触探针104的制造工序的一例的说明图。

[0057] 图18是接着图17，表示接触探针104的制造工序的一例的说明图。

[0058] 图19是接着图18，表示接触探针104的制造工序的一例的说明图。

[0059] 图20是表示本发明的实施方式6的接触探针105的一构成例的外观图。

[0060] 图21是图20的接触探针105的剖面图。

[0061] 图22是表示本发明的实施方式6的接触探针106的一构成例的外观图。

[0062] 图23是图22的接触探针106的剖面图。

[0063] 图24是表示本发明的实施方式7的接触探针107的一构成例的外观图。

具体实施方式

[0064] 实施方式1.

[0065] 图1以及图2是表示本发明的实施方式1的接触探针101的一构成例的外观图。图1是接触探针101的立体图，图2的(a)以及(b)是分别表示接触探针101的不同的侧面的侧视图。该接触探针101是用于半导体设备的电特性试验的探针，作为电接触构件的一例而示出。

[0066] 上述接触探针101是相对于检查对象物垂直配置的垂直型探针，其包括：大致直线状的细长形状的主体部1；在主体部1的前端形成的接触部2；在主体部1的根部端设置的端子部6。主体部1具有由3个金属层11～13构成的层叠构造各金属层1～13都是层叠面沿着主体部1的长边方向延伸，从主体部1的根部端形成到前端。另外，金属层11～13顺次层叠形成，中间的金属层12被外侧的金属层11、13夹着。接触部2是抵接于检查对象物的抵接部，并被形成为从主体部1的前端突出。端子部6被设置于主体部1的根部端的端面。

[0067] 主体部1包括：在过激励时进行弹性变形的细长形状的弹性变形部4；及在弹性变形部4的两端形成的前端部3以及根部5。在前端部3的端部形成接触部2，在根部5的端部形成端子部6。端子部6被固定安装于未图示的配线基板，弹性变形部4是通过施加其长边方向的压缩力而容易折曲变形的形状。因此，在过激励时，对应于来自检查对象物的反作用力，弹性变形部4折曲变形，接触部2向根部5侧后退。

[0068] 弹性变形部4由隔着空隙配置的三个梁部41～43形成。各梁部41～43都是细长的板状体，且使相互的主面对置配置。另外，这些梁部41～43的长边方向的一端由前端部3相互结合，另一端由根部5相互结合。

[0069] 若将梁部41～43形成为板状体，则在其厚度方向上容易变位，当施加了长边方向的压缩力的情况下，容易折曲变形。即，在过激励时，梁部41～43以使用长边方向的整体而弯曲的方式变形，即便是小的压缩力也可以使其很大地弹性变形。因此，与梁长度相比，能够确保大的过激励量。

[0070] 但是，若将梁部41～43形成为容易弹性变形的形状，则弹性变形时的回弹力也变小，难以确保接触部2对检查对象物的按压力(针压)。因此，通过由两个以上的梁部41～43构成弹性变形部4，使各梁部41～43的回弹力之和为针压，从而即便每个梁部41～43的回弹力小，也可以确保大的针压。即，只要将弹性变形部4分割成两个以上的梁部41～43，并且将各梁部41～43形成为板状体且配置成使相互的主面对置，就能够同时确保过激励量以及针压，同时能够缩短探针长度。因此，能够不使接触特性下降，改善高频特性。

[0071] 另外，当将弹性变形部4分割为三个梁部41～43，则剖面面积减少，由此产生耐电流特性下降的问题。因此，通过由三个金属层11～13构成梁部41～43，使弹性变形部4的电阻率减少。金属层11～13是将梁部41～43的宽度方向分割的层，都由导电性金属构成，但外侧的金属层11、13与中间的金属层12是由相互不同的材料构成的。外侧的金属层11、13是使用了机械强度更好的金属材料的应力层，中间的金属层12是使用了电阻率更小的金属材料的导电层。通过采用这种用两个应力层夹入导电层的结构，能够不使梁部41～43的剖面面积增大，减小电阻，使耐电流特性提高。

[0072] 一般而言，公知板簧的剖面2次力矩与其宽度成比例，并且与其厚度的三次幂成比例。因此，梁部41～43的折曲变形特性大致由梁部41～43的厚度决定，加上中间的金属层12而制成三层构造所造成的影响，可以通过对梁部41～43的厚度进行微调来抵消。

[0073] 进而，梁部41～43在过激励前，是平缓弯曲的形状，在过激励时，以上述弯曲形状的曲率增大的方式折曲变形。因此，梁部41～43的弯曲方向N都是预先确定的，相互一致。需要说明的是，在本说明书中，将梁部41～43的厚度方向，即朝向弯曲形状的外侧的方向称为弯曲方向N。

[0074] 图3是表示图1的接触探针101的一构成例的剖面图，在图中的(a)示出了通过图2的A-A切断线将前端部3切断的情况下的剖面，(b)示出了通过图2的B-B切断线将弹性变形部4切断的情况下的剖面。需要说明的是，A-A切断线以及B-B切断线都是与接触探针101的长边方向正交的切断线。

[0075] 前端部3以及弹性变形部4都由金属层11～13构成，金属层11～13都具有矩形形状的剖面。另外，中间的金属层12比外侧的金属层11、13厚。

[0076] 构成弹性变形部4的梁部41～43都具有矩形形状的剖面，该剖面中，厚度比宽度小，并将该剖面沿厚度方向以等间隔整列配置。另外，各梁部41～43的剖面，厚度大致相同，宽度也大致相同。即，这些剖面是大致相同的形状以及尺寸。

[0077] 通过采用这种结构，可使过激励时的按压力向各梁部41～43均等分散，可使梁部41～43分别以成为相互大致相同的弯曲形状的方式变形。其结果是，在弹性限界内，能够确保更大的过激励量，并且能够抑制接触探针101倾倒。

[0078] 另外，梁部41～43以由外侧的金属层11、13夹着中间的金属层12的方式，在其宽度方向上使三个金属层11～13排列而构成。例如，外侧的金属层11、13采用镍钴合金(Ni-Co)，中间的金属层12采用金(Au)。金(Au)与镍钴合金(Ni-Co)相比，机械强度低，电阻率小。因此，通过中间的金属层12采用金(Au)，在不使梁部41～43的厚度Lt增大的情况下，能够减小其电阻。即，在不使折曲变形的容易度受损的情况下，能够减小其电阻。

[0079] 另外，外侧的金属层11、13的宽度大致相同，金属层11～13形成为在梁部41～43的宽度方向上对称。因此，梁部41～43在有按压力施加于长边方向的情况下，分别平衡良好地变形，能够抑制在过激励时梁部41～43偏斜、或扭转。

[0080] 前端部3也同样，构成为由外侧的金属层11、13夹着中间的金属层12，但与弹性变形部4的不同点在于：中间的金属层12形成得比外侧的金属层11、13更突出，具有十字形的剖面。中间的金属层12的突出长度只要是不会因制造工序的偏差而产生逆转的程度即可。即，中间的金属层12只要比外侧的金属层11、13的任一者突出即可，其突出长度是任意的。

[0081] 另外，中间的金属层12与弹性变形部4的不同点在于：其由在弯曲方向N上排列的三个金属区域12a～12c构成。即，以由两端的金属区域12a、12c夹着中央的金属区域12b的方式，形成三个金属区域12a～12c。前端部3的外侧的金属层11、13是由与弹性变形部4的外侧的金属层11、13相同的材料构成的，与这些金属层同时形成。另一方面，前端部3的中间的金属层12，即金属区域12a～12c是由与弹性变形部4的中间的金属层12不同的金属材料构成的。例如，中央的金属区域12b采用比较廉价的电阻率小的铜(Cu)，两端的金属区域12a、12c采用机械强度良好的钯钴合金(Pd-Co)。

[0082] 另外，在前端部3的外周面上形成有薄膜层14。薄膜层14采用的是耐磨损特性比构成前端部3的镍合金更好的金属材料，例如铑(Rh)。另外，薄膜层14例如由通过电镀处理形成的镀层构成。通过形成这样的薄膜层14，能够从前端部3的侧面抑制导电性的削屑的产生。另外，通过形成薄膜层14，使金属层11～13的台阶的顶部变钝，使前端部3的侧面的变化变平缓，由此能够更有效抑制削屑的产生。需要说明的是，在该例中，为了制造工序上的方便，虽然在外侧的金属层11的主面上未形成薄膜层14，但也可以在包括上述主面在内的前端部3的所有侧面上形成薄膜。

[0083] 图4是示意地表示使用图1的接触探针101进行电特性试验时的样子的说明图。需要说明的是，图中的配线基板110以及引导板120是构成探针板的周知的构成要素，半导体晶片200是检查对象物的一例。

[0084] 接触探针101的端子部6被固定安装于配线基板110上的探针电极111。另外，前端部3被引导板120支承，且能在长边方向上移动。引导板120例如采用硅基板，且形成有与接触探针101对应的贯通孔121。接触探针101以前端部3的侧面与贯通孔121的内表面122对置的方式，以在贯通孔121中贯通的状态配置。因此，前端部3维持能够在长边方向上移动的状态，同时在平行于引导板120的二维平面内被定位。

[0085] 在半导体晶片200上形成有许多半导体设备，进而，在各半导体设备上形成有许多电极端子201。在进行半导体设备的电特性试验时，接触探针101被配置成相对于半导体晶片200大致垂直，使其前端抵接于电极端子201。

[0086] 在图中的(a)示出了使配线基板110和半导体晶片200接近，接触部2开始接触电极端子201时的状态，即，过激励之前的样子。此时，接触探针101未弹性变形，是平缓弯曲的预先确定的形状。

[0087] 在图中的(b)示出了从(a)的状态开始，使配线基板110和半导体晶片200进一步接近有距离L的状态，即，过激励后的样子。过激励后的接触探针101对应于来自电极端子201的反作用力而弹性变形。若比较(b)的状态与(a)的状态，则弹性变形部4弹性变形，使得弹性变形部4的中央附近向弯曲方向N变位，弯曲形状的曲率增大。另外，伴随于该弹性变形，前端部3后退距离L。需要说明的是，之后若解除过激励，则前端部3前进距离L，回到(a)的状态。

[0088] 即，在过激励时，前端部3的侧面与贯通孔121的内表面122滑动。而且，伴随于弹性变形部4的弹性变形，作用有使前端部3向弯曲方向N或其反方向N’变位、或者使前端部3偏斜的力。其结果是，在弯曲方向N或其反方向N’上，前端部3以被按压于贯通孔121的内表面122的状态进行滑动。

[0089] 图5是表示图4的前端部3的剖面形状与贯通孔121之间的关系的图。图中的(a)是表示与本发明进行比较的比较例的图，(b)以及(c)是表示本实施方式的接触探针101的一例的图。

[0090] 贯通孔121具有矩形形状的开口，其内表面122与前端部3的外表面以大致平行的方式对置。即，在弯曲方向N及其反方向N’上，具备与中间的金属层12的端面对置的两个面，在和弯曲方向N交叉的方向上，具备与外侧的金属层11、13对置的两个面。

[0091] 在图中的(a)中示出了与本发明进行比较的前端部3的一例。该前端部3在弯曲方向N上，外侧的金属层13比中间的金属层12更突出。此时，在贯通孔121内，在前端部3容易产生扭转，引导板120对接触探针101的前端的定位精度下降。另外，即便在接触探针101上不产生扭转，外侧的金属层13的厚度比中间的金属层12薄，滑动时的接触面积变小，由此容易产生削屑。

[0092] 如上所述，在过激励时，前端部3朝向弹性变形部4的弯曲方向N或其反方向N’，以被按压于贯通孔121的内表面122的状态进行滑动。因此，如图中的(a)那样，在远离接触探针101中心的外侧的金属层11比包括中心的中间的金属层12更突出时，在贯通孔121内，在前端部3容易产生扭转。另外，由于在接触探针101产生扭转，滑动时的接触面变小，容易产生削屑。

[0093] 与图2(a)同样，在图中的(b)示出了具有十字形状剖面的前端部3。该前端部3被形成为中间的金属层12比外侧的金属层11、13更突出。因此，在过激励时，在弯曲方向N或其反方向N’上，中间的金属层12的端面与贯通孔121的内表面122相互正对而滑动。因此，通过这样的滑动，接触探针101不会偏斜或扭转，还能够抑制削屑的产生。

[0094] 在图中的(c)示出了由于制造工序的偏差，与(b)的情况相比，在相对于外侧的金属层11、13而言的中间的金属层12的突出量上产生了偏差的前端部3。即便在中间的金属层12的突出量上产生偏差，只要中间的金属层12形成为比外侧的金属层11、13更突出，则中间的金属层12的端面与贯通孔121的内表面122进行滑动的样子还是与(b)的情况相同。

[0095] 接触探针101在弯曲方向N及其反方向N’的侧面上形成有金属层11～13。为了不在这些金属层11～13上形成台阶，只要使该侧面以高精度实现平坦化，就不会产生图5(a)那样的问题。但是，在这样的金属层11～13间，由于制造工序的偏差有可能产生台阶。因此，为了使突出长度超过制造误差，只要设计成使中间的金属层12比外侧的金属层11、13更突出，就能够抑制在图5(a)那样的状态下产生的问题的发生。

[0096] 图6以及图7是表示图1的接触探针101的制造方法的一例的说明图。接触探针101是使用所谓M E M S (Micro Electro Mechanical Systems)技术而制作的。M E M S技术是一种利用光平版印刷(photo lithography)技术以及牺牲层蚀刻技术，制作细微的立体构造物的技术。光平版印刷技术是一种利用在半导体制造工序等中利用的光致抗蚀剂的细微图案的加工技术。另外，牺牲层蚀刻技术是一种形成被称为牺牲层的下层，在其上方形成构成构造物的层之后，通过蚀刻仅除去牺牲层，由此制作立体构造物的技术。

[0097] 包括牺牲层在内的各层的形成处理可以利用周知的镀敷技术。例如，将作为阴极的基板与作为阳极的金属片浸于电解液，向两电极间施加电压，由此可使电解液中的金属离子附着于基板表面。这样的处理被称为电镀处理，由于是将基板浸于电解液的湿式工艺，所以在镀敷处理后，进行干燥处理。另外，在该干燥处理后，可根据需要，利用抛光处理等进行使层叠面平坦化的平坦化处理。

[0098] 图6(a)表示在导电性基板上形成用来形成外侧的金属层11的蚀刻图案的状态。在硅基板300的上表面整体预先形成有种膜301。种膜301是由Cu等导电性金属构成的薄膜。蚀刻图案是通过如下方式形成的：在种膜301上形成由光致抗蚀剂构成的抗蚀剂膜302，仅将相当于外侧的金属层11的区域内的抗蚀剂膜选择性除去而形成蚀刻图案。

[0099] 在图6(b)示出在抗蚀剂膜302的非形成区域形成导电性金属层303，将抗蚀剂膜302除去后的状态。导电性金属层303是相当于外侧的金属层11的层，是通过利用电镀在抗蚀剂膜302的非形成区域内堆积Ni系合金等导电性金属而形成的。

[0100] 在图6(c)示出了在除去了抗蚀剂膜302后形成牺牲层304，进而形成了将两端的金属区域12a、12c掩盖的蚀刻图案的状态。牺牲层304是通过在将抗蚀剂膜302除去了的硅基板300上，利用电镀堆积Cu等牺牲金属而形成的。蚀刻图案是通过在硅基板300上形成抗蚀剂膜305，并将两端的金属区域12a、12c以外的抗蚀剂膜选择性除去而形成的。

[0101] 在图6(d)示出了在抗蚀剂膜305的非形成区域形成牺牲层306以及导电性金属层307后，将抗蚀剂膜305除去的状态。牺牲层306以及导电性金属层307是通过利用电镀在抗蚀剂膜305的非形成区域内堆积Cu等导电性金属而形成的。需要说明的是，导电性金属层
307相当于中央的金属区域12b，并由与牺牲层306相同的金属材料构成，与牺牲层306同时形成。

[0102] 在图7(a)示出了在牺牲层306以及导电性金属层307的非形成区域形成导电性金属层308后，形成了用来形成外侧的金属层13的蚀刻图案的状态。导电性金属层308相当于两端的金属区域12a、12c，是通过利用电镀在牺牲层306以及导电性金属层307的非形成区域内堆积Ni系合金等导电性金属而形成的。蚀刻图案是通过形成抗蚀剂膜309，并仅将相当于外侧的金属层13的区域内的抗蚀剂膜选择性除去而形成的。

[0103] 在图7(b)示出了在抗蚀剂膜309的非形成区域形成了导电性金属层310之后，将牺牲层304、306以及抗蚀剂膜309除去了的状态。导电性金属层310是相当于外侧的金属层13的层，是通过利用电镀在抗蚀剂膜309的非形成区域内堆积Ni系合金等导电性金属而形成的。另外，导电性金属层307虽然由与牺牲层304、306相同的金属材料构成，但由于被导电性金属层303、308、310包围而未露出，所以通过浸于蚀刻液，能够留下导电性金属层307，而仅将牺牲层304、306除去。

[0104] 在图7(c)示出了在种膜301上形成了绝缘膜311后，在前端部3的露出面形成了导电性金属膜312的状态。绝缘膜311通过溅射形成。导电性金属膜312是相当于前端部3的薄膜层14的层，是通过利用电镀在前端部3的露出面堆积Rh等导电性金属而形成的。此时，外侧的金属层11的下表面与硅基板300对置而未露出，种膜301被绝缘膜311覆盖。因此，导电性金属膜312除了外侧的金属层11的下表面，形成于前端部3的外周面。

[0105] 在图7(d)示出了将前端部3从硅基板300分离的状态。

[0106] 本实施方式的接触探针101构成为具有由外侧的金属层11、13夹着中间的金属层12的层叠构造，并具备接触部2、弹性变形部4及前端部3，接触部2抵接于检查对象物，弹性变形部4在长边方向的压缩力作用下以向预先确定的弯曲方向N弯曲的方式弹性变形，前端部3形成于接触部2以及弹性变形部4之间，且被引导板120的贯通孔121支承使得接触部2能够在长边方向上移动，在弹性变形部4的弯曲方向N及其反方向N’形成的前端部3的侧面由三个金属层11～13构成，在该侧面中，中间的金属层12比外侧的金属层11、13更突出。

[0107] 通过采用这种结构，在过激励时，可使中间的金属层12按压于贯通孔121的内表面122。因此，与以外侧的金属层11、13比中间的金属层12更突出的方式在金属层11～13间形成有台阶的情况相比，能够抑制接触探针101扭转。另外，能够抑制由于滑动时产生削屑而导致的接触探针101的运动变差，或者抑制相邻的接触探针101相互短路。另外，由于前端部
3的侧面被引导板120的贯通孔121支承，使得接触部2能够在长边方向上移动，因此，能够在过激励时高精度地进行接触部2在二维面内的定位。

[0108] 另外，本实施方式的接触探针101在前端部3的侧面，以跨越中间层以及外层的方式形成有镀层。根据这种结构，能够平滑覆盖中间层以及外层的台阶的部分，能够使该台阶平缓。因此，能够抑制前端部3的侧面在局部相对于贯通孔121的内表面122接触而滑动。因此，能够抑制滑动时产生削屑。

[0109] 需要说明的是，在本实施方式中，考虑到电阻率、机械强度、成本等，将前端部3中的中间的金属层12做成与弹性变形部4的情况不同的结构，但也可以做成与弹性变形部4的情况相同的结构。即，前端部3中的中间的金属层12可以不分割为三个区域而构成。另外，前端部3中的中间的金属层12例如还可以采用金(Au)。

[0110] 另外，在本实施方式中，对于主体部1由三个金属层11～13构成的例子进行了说明，但本发明不限于这种结构。即，还可以使主体部1由四个以上的金属层构成。例如，还可以由2层以上构成中间的金属层12。

[0111] 另外，在本实施方式中，对于弹性变形部4被分割为三个梁部41～43的情况的例子进行了说明，但本发明不限于这种结构。即，还可以是弹性变形部4被分割为两个以上的梁部的结构。进而，弹性变形部4也可以是未被分割的结构。

[0112] 另外，在本实施方式中，对于垂直型探针的情况的例子进行了说明，但本发明不限定于这种情况。例如，还可以适用于具有悬臂梁构造的伸臂(cantilever)型探针。

[0113] 实施方式2.

[0114] 在实施方式1中，说明了由引导板120支承的前端部3具有十字形状的剖面的接触探针101。相对于此，在本实施方式中，对由引导板130支承的根部5具有十字形状的剖面的接触探针102进行说明。

[0115] 图8是表示本发明的实施方式2的接触探针102的一构成例的外观图，图中的(a)以及(b)分别表示接触探针102的不同的侧面。图9是表示图8的接触探针102的一构成例的剖面图，表示通过图8的C-C切断线将根部5切断时的剖面。

[0116] 将本实施方式的接触探针102与图2的接触探针101(实施方式1)相比，虽然根部5的结构不同，但其他结构相同，省略重复的说明。另外，图8所示的根部5的C-C切剖面，其形状以及材质与图3(a)所示的前端部3的A-A切剖面的情况相同。

[0117] 根部5具有十字状的剖面，并构成为由外侧的金属层11、13夹着中间的金属层12，中间的金属层12形成得比外侧的金属层11、13更突出。中间的金属层12的突出长度只要是不会因制造工序的偏差而产生逆转的程度即可，其突出长度任意。

[0118] 另外，中间的金属层12由在弯曲方向N上排列的三个金属区域12a～12c构成。根部5中的外侧的金属层11、13由与弹性变形部4中的外侧的金属层11、13相同的材料构成，与这些金属层同时形成。另外，根部5中的中间的金属层12，即金属区域12a～12c由与前端部3中的金属区域12a～12c相同的材料构成，与这些金属层同时形成。

[0119] 另外，在根部5的外周面上形成有薄膜层14。根部5的薄膜层14由与前端部3的薄膜层14相同的材料构成，并通过电镀处理，与前端部3的薄膜层14同时形成。通过将这样的薄膜层14形成于根部5，能够抑制从根部5的侧面产生导电性的削屑。

[0120] 图10是示意地表示使用图8的接触探针102进行电特性试验时的样子的说明图。需要说明的是，图中的配线基板110以及引导板120、130是构成探针板的周知的构成要素，半导体晶片200是检查对象物的一例。

[0121] 端子部6被配置成与在配线基板110上形成的探针电极111对置。另外，根部5由引导板130支承，在长边方向上能够移动。因此，在过激励时的来自电极端子201的反作用力的作用下，根部5在长边方向上稍微移动，由此可使端子部6抵接于探针电极111。即，不用将接触探针102固定于配线基板110，就能够可靠地使端子部6与探针电极111导通。因此，能够容易更换接触探针102。

[0122] 引导板130例如采用硅基板，形成有与接触探针102对应的贯通孔131。接触探针102以根部5的侧面与贯通孔131的内表面132对置的方式，以贯通于贯通孔131中的状态被配置。因此，根部5维持在长边方向上能够移动的状态，同时在平行于引导板130的二维平面内被定位

[0123] 在图中的(a)示出了过激励之前的样子。此时，接触探针102不发生弹性变形，另外，端子部6从探针电极111稍微浮起，不与探针电极111导通。

[0124] 在图中的(b)示出了过激励后的样子。过激励后的接触探针102对应于来自电极端子201的反作用力而弹性变形，弹性变形部4的中央附近向弯曲方向N变位，弯曲形状的曲率增大。此时，根部5的侧面与贯通孔131的内表面132进行滑动。而且，伴随于弹性变形部4的弹性变形，作用有使根部5向弯曲方向N或其反方向N’变位、或者使根部5偏斜的力。其结果是，在弯曲方向N或其反方向N’上，根部5以被按压于贯通孔131的内表面132的状态进行滑动。

[0125] 因此，只要使中间的金属层12比外侧的金属层11、13更突出，并使根部5的剖面为十字形状，则在过激励时，在弯曲方向N或其反方向N’上，中间的金属层12的端面与贯通孔131的内表面132相互正对而滑动。因此，在过激励时，接触探针102不会偏斜或扭转，还能够抑制削屑的产生。

[0126] 在本实施方式中，接触探针102与配线基板110连接，且具备根部5，根部5形成在接触探针102与配线基板110连接的连接部以及弹性变形部4之间，根部5被引导板120的贯通孔121支承，使得接触部2在长边方向上能够移动，在弹性变形部4的弯曲方向N及其反方向N’上形成的根部5的侧面由三个金属层11～13构成，在该侧面中，中间的金属层12构成为比外侧的金属层11、13更突出。

[0127] 本实施方式的接触探针102具有由外侧的金属层11、13夹着中间的金属层12的层叠构造，并具备弹性变形部4、端子部6及根部5，弹性变形部4在长边方向的压缩力作用下以向预先确定的弯曲方向N弯曲的方式弹性变形，端子部6与配线基板110上的探针电极111导通，根部5形成在接触部2以及端子部6之间，根部5被引导板130的贯通孔131支承，从而在长边方向上能够移动，在弹性变形部4的弯曲方向N及其反方向N’上形成的根部5的侧面由三个金属层11～13构成，在该侧面中，中间的金属层12构成为比外侧的金属层11、13更突出。

[0128] 通过采用这种结构，在过激励时，能够使中间的金属层12按压于贯通孔131的内表面132。因此，与以外侧的金属层11、13比中间的金属层12更突出的方式在金属层11～13间形成有台阶的情况相比，能够抑制接触探针102扭转。另外，能够抑制由于滑动时产生削屑而导致的接触探针102的运动变差，或者抑制相邻的接触探针102相互短路。另外，由于根部5的侧面被引导板130的贯通孔131支承从而能够在长边方向上移动，因此，能够高精度地进行端子部6在二维面内的定位，同时能够容易更换接触探针102。

[0129] 另外，本实施方式的接触探针102在根部5的侧面上，以跨越中间层以及外层的方式形成有镀层。根据这种结构，能够平滑覆盖中间层以及外层的台阶的部分，可使该台阶平缓。因此，能够抑制根部5的侧面在局部相对于贯通孔131的内表面132接触而滑动。因此，能够抑制在滑动时产生削屑。

[0130] 需要说明的是，在本实施方式中，考虑到电阻率、机械强度、成本等，将根部5中的中间的金属层12做成与弹性变形部4的情况不同的结构，但也可以做成与弹性变形部4的情况相同的结构。即，根部5中的中间的金属层12也可以不分割为三个区域而构成。另外，根部5中的中间的金属层12例如还可以采用金(Au)。

[0131] 另外，在本实施方式中，对于前端部3以及根部5都具有十字形状的剖面的情况的例子进行了说明，但本发明不仅限于这种结构。例如，也可以是根部5具有十字形状的剖面，而前端部3不具有十字形状的剖面的结构。

[0132] 实施方式3.

[0133] 在实施方式1以及2中，对于弹性变形部4由三个梁部41～43构成的情况的例子进行了说明。相对于此，在本实施方式中，对弹性变形部4由一个梁部构成的情况进行说明。

[0134] 图11是表示本发明的实施方式3的接触探针103的一构成例的外观图，图中的(a)以及(b)分别表示接触探针103的不同的侧面。若将本实施方式的接触探针103与图8的接触探针102(实施方式2)进行比较，则虽然弹性变形部4的结构不同，但其他结构相同，因此，省略重复的说明。

[0135] 弹性变形部4由细长的板状体所形成的一个梁部构成，在其两端设有前端部3以及根部5。即，弹性变形部4未被分割为两个以上的梁部41～43，而由唯一的梁部构成。另外，弹性变形部4在过激励前，是平缓弯曲的形状，在过激励时，以上述弯曲形状的曲率增大的方式折曲变形。因此，弹性变形部4的弯曲方向N被预先确定。

[0136] 图12是表示图11的接触探针103的一构成例的剖面图，表示由图11的D-D切断线将弹性变形部4切断的情况下的剖面。需要说明的是，D-D切断线是与接触探针103的长边方向正交的切断线。

[0137] 弹性变形部4具有矩形形状的剖面，该剖面的厚度比宽度小。另外，弹性变形部4构成为：以由外侧的金属层11、13夹着中间的金属层12的方式，在其宽度方向上排列三个金属层11～13。即，弹性变形部4是与图3的梁部41～43(实施方式1)的任一者相同的形状以及材料。

[0138] 本实施方式的接触探针103与实施方式2同样，构成为在前端部3以及根部5的弯曲方向N或其反方向N’的侧面中，中间的金属层12比外侧的金属层11、13更突出。通过采用这种结构，即便是弹性变形部4未被分割为两个以上的梁部的情况下，也能够抑制接触探针103的扭转、削屑的产生。即，本发明还可以适用于弹性变形部4未被分割的接触探针。

[0139] 实施方式4.

[0140] 在实施方式1～3中，对于在具有十字形状剖面的前端部3或根部5上形成有薄膜层14的接触探针101～103进行了说明。相对于此，在本实施方式中，对在弹性变形部4形成有薄膜层15的接触探针104进行说明。

[0141] 图13以及图14是表示本发明的实施方式3的接触探针104的一构成例的外观图。图13表示接触探针104的立体图，图14的(a)以及(b)分别表示接触探针104的不同的侧面。若将接触探针104与图2的接触探针101(实施方式1)相比，则不同点是：前端部3的剖面是矩形形状，且在弹性变形部4形成有薄膜层15。对于其他结构，由于与实施方式1的情况相同，所以省略重复的说明。

[0142] 薄膜层15是采用了机械强度比中间的金属层12高的金属材料的导电性金属层，与金属层11～13的厚度相比，形成得足够薄。该薄膜层15形成在弹性变形部4的弯曲方向N及其反方向上的侧面。即，形成在配置于两端的梁部41、43的外侧的主面上。通过由薄膜层15覆盖在弹性变形部4的侧面露出的中间的金属层12，在重复过激励的情况下，防止在弹性变形部4的侧面形成凹凸而成为变粗糙的状态。

[0143] 图15是图13的接触探针104的剖面图，表示由图14的E-E切断线将弹性变形部4切断时的剖面。需要说明的是，E-E切断线是与接触探针104的长边方向正交的切断线。

[0144] 薄膜层15形成在配置于两端的梁部41、43的外侧的主面上，并对在弹性变形部4的侧面露出的中间的金属层12进行覆盖。薄膜层15例如采用镍钴合金(Ni-Co)。另外，薄膜层15的厚度Lt5与梁部41～43的厚度Lt相比，形成得足够薄。

[0145] 在该例中，薄膜层15形成为覆盖上述主面的大致整体，并且其一端进入到梁部41、43的端面，并覆盖该端面的一部分。另一方面，在梁部41～43的其他的主面上未形成薄膜层
15。

[0146] 即，两端的梁部41、43在内侧的主面上未形成薄膜层15。因此，与在两面形成薄膜层15的情况相比，如果梁部41、43的厚度Lt相同，则可将中间的金属层12形成得更厚，能够减小梁部41、43的电阻。另外，内侧的梁部42在两主面的任一个上都未形成薄膜层15。因此，相比于梁部41、43，可将中间的金属层12形成得更厚，可以减小电阻。需要说明的是，梁部41～43的剖面2次力矩是由在金属层11、13上加上薄膜层15而得到的应力层的厚度Lt大致决定的，在作为导电层的金属层12上形成的薄膜层15几乎不对剖面2次力矩造成影响。

[0147] 另外，两端的梁部41、43具有薄膜层15，相对于此，内侧的梁部42不具有薄膜层15，但任一个梁部41～43都形成为具有大致相同的厚度Lt。即，两端的梁部41、43与内侧的梁部42相比，金属层11～13形成得薄，薄的量是厚度Lt5，使包括薄膜层15在内的整体的厚度Lt与梁部42的厚度Lt一致。

[0148] 通过采用这种结构，对于所有的梁部41～43，可以使作为应力层起作用的宽度方向的两端的厚度，即金属层11或13的厚度与薄膜层15的厚度的合计一致。因此，在过激励时，可使梁部41～43分别变形，以使按压力均等分散向各梁部41～43，成为相互大致相同的弯曲形状。

[0149] 需要说明的是，不同于在梁部41、43的主面上形成薄膜层15所引起的厚度Lt的变动，在梁部41、43的端面上形成薄膜层14所引起的宽度Lw的变动几乎不对梁部41、43的剖面2次力矩造成影响，因此可以忽视。

[0150] 绝缘膜16是在梁部41～43的外周整面上形成的绝缘膜，例如由氮化铝(AlN)构成。通过在梁部41～43的外缘形成绝缘膜，能够防止相邻配置的接触探针104接触而相互短路。
需要说明的是，绝缘膜16相比于薄膜层15足够薄，机械强度也低，因此，几乎不对梁部41～
43的剖面2次力矩造成影响。

[0151] 上述接触探针104例如是下述这样的尺寸。全长为1.9～2.4mm，弹性变形部4的长度为1.2～1.9mm。梁部41～43的宽度Lw为47μm，厚度Lt为11μm，薄膜层15的厚度Lt5为1μm，梁部41～43间的空隙的距离Lg为11μm。另外，外侧的金属层11、13的宽度Lw1、Lw3都是11μm，中间的金属层12的宽度Lw2是25μm。绝缘膜16的厚度是0.1μm。

[0152] 图16～图19是表示图13的接触探针104的制造工序的一例的说明图。接触探针104是采用所谓的M E M S(Micro Electro Mechanical Systems)技术而制作的。

[0153] 图16(a)示出了形成有衬底层401以及绝缘膜402的基板400。衬底层401是由Cu等导电性金属构成的薄膜，形成在由单晶硅构成的基板400的上表面整体。绝缘膜402是由二氧化硅(SiO2)等构成的绝缘性的薄膜，并形成在衬底层401的上表面整体。衬底层401以及绝缘膜402例如可以通过溅射等真空蒸镀法而形成。

[0154] 图16(b)表示形成有外侧的金属层13的状态。金属层13采用电镀法形成，使用光平版印刷技术进行图案化。首先，在绝缘膜402上形成由光致抗蚀剂构成的抗蚀剂膜(未图示)，仅将相当于金属层13的区域内的抗蚀剂膜选择性除去。接着，将抗蚀剂膜的非形成区域内的绝缘膜402除去，使衬底层401露出。在该状态下，通过电镀处理，使镍钴合金(Ni-Co)等导电性金属堆积，可以在抗蚀剂膜的非形成区域内形成金属层13。之后，将抗蚀剂膜除去，成为图16(b)的状态。

[0155] 图16(c)示出了在金属层13的非形成区域内形成牺牲层403，基板400的上表面被平坦化了的状态。牺牲层403由Cu等导电性金属构成，采用电镀法形成。由于无法在绝缘膜402上进行电镀，因此，首先，采用溅射等真空蒸镀法，在绝缘膜402上形成由Cu等导电性金属构成的薄膜(未图示)，在该薄膜上进行电镀，由此形成牺牲层403。另外，通过牺牲层403形成后的抛光处理，对基板400的上表面实施平坦化。

[0156] 图16(d)示出了在基板400上，形成有中间的金属层12的状态。金属层12形成在与金属层13相同的区域内。另外，金属层12与金属层13同样，采用电镀法形成，使用光平版印刷技术而实施图案化。但是，堆积的金属材料不使用镍钴合金(Ni-Co)，而使用金(Au)。

[0157] 图17(a)示出了在图16(d)的基板400上形成有牺牲层404的状态。牺牲层404通过电镀法而形成在金属层12的非形成区域内。另外，通过牺牲层404的形成后的抛光处理，对基板400的上表面实施平坦化。

[0158] 图17(b)示出了在基板400上形成有外侧的金属层11的状态。金属层11也形成在与金属层12、13相同的区域内。另外，与金属层12、13同样，采用电镀法形成，使用光平版印刷技术而实施图案化。堆积的金属材料采用镍钴合金(Ni-Co)。

[0159] 图17(c)示出了在基板400上形成有牺牲层405的状态。牺牲层405与牺牲层404同样，形成在金属层11的非形成区域内。另外，通过牺牲层405的形成后的抛光处理，对基板400的上表面实施平坦化。

[0160] 图17(d)表示将牺牲层403～405除去，绝缘膜402露出的状态。衬底层401由于被绝缘膜402以及金属层13覆盖，因此，不与牺牲层403～405一起被除去，残留在基板400上。

[0161] 图18(a)示出了在图17(d)的基板400上形成有抗蚀剂膜406的状态。抗蚀剂膜406是通过如下方式形成的，涂布光致抗蚀剂，在基板400的整面形成了抗蚀剂膜后，仅将与梁部41、43的外侧的主面相邻的区域的抗蚀剂膜选择性除去，由此形成抗蚀剂膜406。即，抗蚀剂膜406被形成为，覆盖与梁部41～43间的空隙相邻的梁部41～43的内侧的主面以及从该主面连续的上端面的一部分。另外，还形成在从梁部41～43充分远离的基板400上的区域。如此，除了形成薄膜层15的梁部41、43上的区域外，基板400的上表面的整个区域被绝缘膜
402以及抗蚀剂膜406掩盖。

[0162] 图18(b)表示形成有薄膜层15的状态。薄膜层15是通过采用电镀法，在图17(a)的状态下的梁部41、43的露出面上使镍钴合金(Ni-Co)等导电性金属堆积而形成的。此时，与空隙相邻的梁部41～43的主面由于被掩盖，所以在这些主面上未形成薄膜层15。

[0163] 当在与狭窄空隙相邻的主面上形成薄膜层15的情况下，由于不容易以高精度控制其厚度，因此，通过对这些主面进行掩盖，不形成薄膜层15，从而可使薄膜层15的形成工序容易化。因此，能够抑制接触探针104的特性的偏差。

[0164] 图18(c)表示在形成薄膜层15后，将抗蚀剂膜406除去的状态。另外，图18(d)表示进一步将衬底层401以及绝缘膜402选择性除去的状态。关于衬底层401以及绝缘膜402，留下包括接触探针104的长边方向的两端在内的区域，将包括梁部41～43在内的区域除去。因此，在图18(d)中，梁部41～43成为从基板400浮起的状态。

[0165] 图19(a)是用于说明图18(d)的工序中接触探针104的状态的说明图，表示与接触探针104的长边方向平行的剖面。衬底层401以及绝缘膜402使用光平版印刷技术而实施图案化。首先，在图18(c)的基板400上形成由光致抗蚀剂构成的抗蚀剂膜407，将包括弹性变形部4在内的区域的抗蚀剂膜选择性除去，留下包括前端部3及根部5在内的区域的抗蚀剂膜。接着，将抗蚀剂膜被除去了的区域内的衬底层401以及绝缘膜402除去。此时，与梁部41～43的下端面相邻的抗蚀剂膜也被除去。其结果是，接触探针104的两端被维持在经衬底层401而被支承于基板400的状态，梁部41～43呈中空浮起，梁部41～43的整个表面为露出的状态。

[0166] 图19(b)以及(c)是表示形成绝缘膜16的工序中的接触探针104的状态的图，图19(b)表示与接触探针104的长边方向平行的剖面，图19(c)表示从上方观察基板400的俯视图。

[0167] 绝缘膜16是通过溅射形成的由氮化铝(A1N)构成的薄膜，并被形成于梁部41～43的表面整体。另外，绝缘膜16以形成于弹性变形部4、不形成于前端部3以及根部5的方式被选择性形成。在此，在从图18(a)的状态将抗蚀剂膜407除去后，使用掩盖板410，使弹性变形部4露出，将前端部3以及根部5掩盖，通过形成这种状态，选择性地形成绝缘膜16。另外，梁部41～43由于是呈中空浮起的状态，因此，在其下端面也可以形成绝缘膜16，能够在剖面全周上形成绝缘膜。

[0168] 本实施方式的接触探针104具备：隔着空隙使主面对置而配置的细长板状体所构成的两个以上的梁部41～43、将梁部41～43的一端相互结合的前端部3、将梁部41～43的另一端相互结合的根部5。梁部41～43由中间的金属层12、外侧的金属层11、13及薄膜层15构成，中间的金属层12由第1金属构成，外侧的金属层11、13以在宽度方向上夹着中间的金属层12的方式形成，且由第2金属构成，薄膜层15以在梁部41～43的主面上覆盖中间的金属层12的方式形成，且由第3金属构成，第1金属的电阻率小于第2金属的电阻率，第2金属以及第
3金属的机械强度比第1金属的机械强度高。

[0169] 通过将梁部41～43形成为板状体，能够降低向弯曲方向N折曲时产生的应力。因此，在弹性限界内，能够更大地弯曲，能够在确保希望的过激励量的同时，缩短探针长度。即，能够在不使接触探针104的接触特性下降的情况下，提高高频特性。

[0170] 另外，由于具备三个梁部41～43，且使这些梁部41～43的主面隔着空隙对置，由此，能够在不使各梁部41～43的厚度增大的情况下，使接触探针104的剖面面积增大，能够确保针压、耐电流特性。

[0171] 另外，梁部41～43具有作为导电层的金属层12、作为应力层的金属层11、13，能够在抑制机械强度下降的同时，降低电阻。因此，能够在过激励时确保针压，同时提高电接触构件的耐电流特性。另外，通过配置成由应力层夹着导电层，从而能够防止过激励时在板状体上产生扭转、或者防止向板状体的厚度方向以外的方向折曲。

[0172] 进而，在两端的梁部41、43的外侧的主面上，通过将在过激励时塑性变形的金属层12用弹性变形的薄膜层15覆盖，由此在重复过激励的情况下，防止两端的梁部41、43的外侧的主面变粗糙，能够提高接触探针104的耐久性。尤其，能够有效抑制在梁部41、43的外侧的主面形成的绝缘膜16断裂或剥离、在接触探针104间发生短路。

[0173] 另外，本实施方式的接触探针104将薄膜层15形成在配置于两端的梁部41～43的外侧的主面上，而未形成在与空隙相邻的主面上。

[0174] 若仅仅在配置于两端的梁部41、43的外侧的主面上形成薄膜层15，则与在梁部41、43的两主面形成薄膜层的情况相比，若梁部的厚度Lt相同，就能够将中间的金属层12形成得更厚，能够降低接触探针104的电阻。另外，与在外侧主面上形成薄膜层15的情况相比，在与狭窄空隙相邻的内侧的主面上形成薄膜层15的情况下更难进行膜厚的控制。因此，通过仅仅在外侧主面上形成薄膜层15，能够容易制造，另外，能够抑制接触探针104的特性的偏差。

[0175] 另外，本实施方式的接触探针104构成为，梁部41～43具有相互大致相同的厚度Lt。通过采用这种结构，能够使梁部41～43分别变形，以使过激励时的按压力均等分散向各梁部41～43，从而成为相互大致相同的弯曲形状。其结果是，能够确保更大的过激励量，并且能够抑制在过激励时接触探针104偏斜。

[0176] 实施方式5.

[0177] 在上述实施方式4中，对于弹性变形部4被分割为三个梁部41～43的接触探针104的例子进行了说明。相对于此，在本实施方式中，对于弹性变形部4被分割为两个梁部41、43的接触探针105进行说明。

[0178] 图20是表示本发明的实施方式5的接触探针105的一构成例的外观图，图中的(a)以及(b)分别表示接触探针105的不同的侧面。另外，图21是图20的接触探针105的剖面图，表示通过F-F切断线将弹性变形部4切断时的剖面。需要说明的是，F-F切断线是与接触探针105的长边方向正交的切断线。

[0179] 该接触探针105与图13的接触探针104的不同点在于，弹性变形部4由隔着空隙而配置的两个梁部41、43构成，且不具备内侧的梁部42，其他结构与接触探针104完全相同，因此省略重复的说明。

[0180] 梁部41、43都在外侧的主面上形成有薄膜层15。因此，能够防止因重复过激励而使得梁部41、43的外侧的主面变粗糙，能够提高接触探针105的耐久性。尤其，能够有效抑制在梁部41、43的外侧的主面形成的绝缘膜16断裂或剥离、在接触探针105间发生短路。另外，在相互对置的内侧的主面上未形成薄膜层15。因此，与在梁部41、43的两主面上形成薄膜层15的情况相比，只要梁部41、43的厚度相同，则能够使中间的金属层12更厚，能够降低电阻。另外，容易形成薄膜层15，能够抑制接触探针105的特性的偏差。

[0181] 实施方式6.

[0182] 在实施方式4以及5中，对于弹性变形部4被分割为两个以上的梁部41～43的接触探针的例子进行了说明。相对于此，在本实施方式中，对弹性变形部4未被分割，而由一个梁部构成的情况进行说明。

[0183] 图22是表示本发明的实施方式6的接触探针106的一构成例的外观图，图中的(a)以及(b)分别表示接触探针106的不同的侧面。另外，图23是图22的接触探针106的剖面图，表示通过G-G切断线将弹性变形部4切断时的剖面。需要说明的是，G-G切断线是与接触探针105的长边方向正交的切断线。

[0184] 该接触探针106与图13的接触探针103的不同点在于，弹性变形部4未被分割，而由细长板状体所形成的一个梁部构成，但其他结构与接触探针103完全相同，因此省略重复的说明。

[0185] 在弹性变形部4的两侧的主面上，与实施方式4以及5同样，形成有薄膜层15。通过采用这种结构，即便是弹性变形部4未被分割为两个以上的梁部的情况下，也能够防止因重复过激励而使得梁部44的两侧的主面变粗糙。

[0186] 在弹性变形部4的两主面上，与实施方式4以及5同样，形成有薄膜层15。通过采用这种结构，即便是弹性变形部4未被分割为两个以上的梁部的情况下，也能够防止在重复过激励时弹性变形部4的两主面变粗糙，能够提高接触探针106的耐久性。尤其，能够有效抑制在弹性变形部4的两主面形成的绝缘膜16断裂或剥离、在接触探针106间发生短路。

[0187] 实施方式7.

[0188] 在实施方式1～3中，对于在前端部3或根部5中，以中间的金属层12比外侧的金属层11、13更突出的方式形成的接触探针101～103的例子进行了说明。另外，在实施方式4～6中，对于在弹性变形部4形成有薄膜层的接触探针104～106进行了说明。在本实施方式中，对于将这些结构组合起来的接触探针107进行说明。

[0189] 图24是表示本发明的实施方式7的接触探针107的一构成例的立体图。对于与图1的接触探针101相同的结构省略说明。该接触探针107的前端部3与图1的接触探针101同样，被形成为中间的金属层12比外侧的金属层11、13更突出，且具有十字状的剖面。另外，与图13的接触探针104同样，在接触探针107的梁部41～43之中，在配置于两端的梁部41以及43的外侧的主面上形成有薄膜层15。另一方面，在梁部41以及43的内侧的主面上、在内侧的梁部42都未形成薄膜层15。

[0190] 通过采用这种结构，能够抑制在滑动时因产生削屑而使得接触探针107的运动变差、或者相邻的接触探针107相互短路。另外，能够防止因重复过激励而使得梁部41、43的外侧的主面变粗糙。

[0191] 需要说明的是，在本实施方式中，说明了在前端部3中中间的金属层12比外侧的金属层11、13更突出、且在梁部41以及43的主面上形成薄膜层15的接触探针107的例子，但本发明不限于这种结构。例如，还可以是在前端部3以及根部5两方中，中间的金属层12比外侧的金属层11、13更突出，且在梁部41以及43的主面上形成薄膜层15的结构。另外，实施方式1～6的结构也可以适当组合。

[0192] 另外，在上述实施方式1～7中，对于主体部1由三个金属层11～13构成的情况的例子进行了说明，但本发明不限于这种结构。即，还可以使主体部1由四个以上的金属层构成。例如，还可以是，作为中间的金属层12，具备由互不相同的金属材料构成的两个以上的金属层，这些金属层被外侧的金属层11、13夹入。

[0193] 另外，在上述实施方式1～7中，对于弹性变形部4由1～3个梁部构成的情况的例子进行了说明，但本发明不限于这种结构。即，弹性变形部4也可以是被分割为4个以上的梁部的结构。

[0194] 另外，在上述实施方式1～7中，对于中间的金属层12使用金(Au)、外侧的金属层11、13以及薄膜层15使用镍钴合金(Ni-Co)的情况的例子进行了说明，但本发明不仅限于这种结构。即，具体的金属材料是例示，还可以采用其他的金属材料。例如，取代镍钴合金(Ni-Co)，还可以采用钯钴合金(Pd-Co)。另外，优选外侧的金属层11、13以及薄膜层15采用同一金属材料，但也可以采用不同的金属材料。

[0195] 另外，在上述实施方式1～7中，对于在弹性变形部4的外周整面形成有绝缘膜16的情况的例子进行了说明，但本发明不仅限于这种情况。绝缘膜16只要至少形成在外侧的梁部41、43的外侧的主面，即薄膜层15上，在相邻的接触探针间就可得到防止短路的效果。即，能够防止因重复过激励而易产生短路，能够提高接触探针的耐久性。进而，本发明还可以适用于在梁部41～43未形成绝缘膜16的接触探针。此时，通过由薄膜层15覆盖中间的金属层12，从而能够防止外侧的主面的中间的金属层12的变形，能够提高耐久性。

[0196] 另外，在上述实施方式1～7中，对于垂直型探针的情况的例子进行了说明，但本发明不仅限于这种情况。例如，还可以适用于具有悬臂梁构造的伸臂(cantilever)型探针。进而，不仅限于在半导体设备的电特性试验中使用的接触探针，还可以适用于各种电接触构件。

[0197] 符号说明

[0198] 1 主体部

[0199] 2 接触部

[0200] 3 前端部

[0201] 4 弹性变形部

[0202] 5 根部

[0203] 6 端子部

[0204] 11～13 金属层

[0205] 12a～12c 金属区域

[0206] 14 薄膜层

[0207] 15 薄膜层

[0208] 16 绝缘膜

[0209] 41～43 梁部

[0210] 101～107 接触探针

[0211] 110 配线基板

[0212] 111 探针电极

[0213] 120，130 引导板

[0214] 121，131 贯通孔

[0215] 122，132 贯通孔的内表面

[0216] 200 半导体晶片

[0217] 201 电极端子

[0218] L 过激励量

[0219] Lg 梁部间的距离

[0220] Lw 梁部的宽度

[0221] Lw1～Lw3 金属层11～13的宽度

[0222] N 弯曲方向

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