缺陷修正方法、缺陷修正装置、及显示面板
阅读：457发布：2020-06-28
专利汇可以提供缺陷修正方法、缺陷修正装置、及显示面板专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且提供一种 缺陷 修正方法，其对具备多个包含晶体管(11、12)在内的 像素 (10)的 显示面板 (1)中的缺陷的像素进行黑点化。本方法包含从显示面板中的多个像素之中检测修正对象的像素的步骤。本方法包含将 离子注入 到与该晶体管对应的规定区域中，以使检测出的像素中的晶体管(12)在显示面板的显示动作时不接通的步骤。，下面是缺陷修正方法、缺陷修正装置、及显示面板专利的具体信息内容。
1.一种对显示面板中的缺陷的像素进行黑点化的缺陷修正方法，所述显示面板具有多个包含晶体管的像素，其特征在于，包含下述步骤：
从所述显示面板中的多个像素之中，检测修正对象的像素；以及
以检测到的像素中的晶体管在所述显示面板的显示动作时不会接通的方式，将离子注入到与所述晶体管对应的规定区域中。
2.根据权利要求1所述的缺陷修正方法，其特征在于，
在注入所述离子的步骤中，直至阈值电压移位为止注入所述离子，以使在所述显示面板的显示动作时使用的栅极电压不会达到所述晶体管的所述阈值电压。
3.根据权利要求1或2所述的缺陷修正方法，其特征在于，
所述规定区域包含所述晶体管的源极与漏极间的半导体层。
4.根据权利要求1至3中的任意一项所述的缺陷修正方法，其特征在于，检测所述修正对象的像素的步骤中，检测亮点的像素或者灭点的像素。
5.根据权利要求1至4中的任意一项所述的缺陷修正方法，其特征在于，所述显示面板是有机EL面板。
6.根据权利要求5所述的缺陷修正方法，其特征在于，
注入所述离子的步骤中，注入所述离子以使驱动所述有机EL面板中的像素的发光的晶体管不会在所述显示面板的显示动作时接通。
7.根据权利要求1至4中的任意一项所述的缺陷修正方法，其特征在于，所述显示面板是液晶面板。
8.根据权利要求1至7中的任意一项所述的缺陷修正方法，其特征在于，注入所述离子的步骤中，注入硼、磷、及砷之中的任意的离子。
9.一种缺陷修正装置，其对显示面板中的缺陷的像素进行黑点化，所述显示面板具备多个包含晶体管的像素，其特征在于，具有：
信息取得部，其取得表示所述显示面板中的多个像素之中的修正对象的像素的位置的位置信息；
离子注入部，其基于所取得的位置信息，以所述位置信息所示的位置的像素中的晶体管在所述显示面板的显示动作时不会接通的方式，将离子注入到与所述晶体管对应的规定区域中。
10.一种显示面板，其对图像进行显示，其特征在于，
具有分别具备晶体管的多个像素，
所述多个像素包含晶体管的源极与漏极间的半导体层中的离子的浓度为规定值以上的像素，
所述规定值是以使得在所述显示面板的显示动作时使用的栅极电压不会达到该晶体管的阈值电压的方式将所述阈值电压移位后的值。
缺陷修正方法、缺陷修正装置、及显示面板
技术领域
背景技术
[0002] 在有机EL面板、液晶面板等的显示面板中，因异物的混入等，有时会产生像素的亮度异常变高的亮点等缺陷。在这种情况下，已知一种通过进行将该像素的亮度变暗的黑点化，从而对显示面板的缺陷进行修正的方法。例如，在有机EL面板中，通过对亮点的像素中的发光区域的周围进行激光切割的方法进行黑点化。
[0003] 另外，专利文献1公开了一种液晶显示装置的制造方法，其目的在于，使得液晶显示装置中的亮点缺陷无法识别。根据专利文献1的方法，在液晶显示装置的玻璃基板中，在与亮点缺陷对应的部分掺杂卤素离子及金属离子，对掺杂的部分进行激光照射。由此，在玻璃基板上形成遮光层，对来自于亮点缺陷的光进行遮光而实现黑点化。现有技术文献
专利文献
专利文献
[0004] 专利文献1：国际公开第2009/013921号
发明内容
本发明所要解决的技术问题
[0005] 本发明的目的在于，提供一种可以对显示面板的像素的缺陷高精度地进行黑点化的缺陷修正方法、缺陷修正装置、及显示面板。解决问题的方案
[0006] 本发明的一个方式涉及的缺陷修正方法，是对显示面板中的缺陷的像素进行黑点化，所述显示面板具有多个包含晶体管的像素。本方法包含下述步骤：从显示面板中的多个像素之中，检测修正对象的像素。本方法包含下述步骤：以使检测到的像素中的晶体管在显示面板的显示动作时不会接通的方式，将离子注入到与该晶体管对应的规定区域中。
[0007] 本发明的一个方式涉及的缺陷修正装置，对显示面板中的缺陷的像素进行黑点化。缺陷修正装置具有信息取得部和离子注入部。信息取得部取得表示显示面板中的多个像素之中的修正对象的像素的位置的位置信息。离子注入部基于所取得的位置信息，以使位置信息所示的位置的像素中的晶体管在显示面板的显示动作时不会接通的方式，将离子注入到与该晶体管对应的规定区域中。
[0008] 本发明的一个方式涉及的显示面板，对图像进行显示。显示面板具有分别具备晶体管的多个像素。多个像素包含晶体管的源极与漏极间的半导体层中的离子的浓度为规定值以上的像素。规定值是以使得在显示面板的显示动作时使用的栅极电压不会达到该晶体管的阈值电压的方式将阈值电压移位后的值。发明效果
[0010] 图1是用于对本发明的第一实施方式涉及的显示面板进行说明的图。图2是用于对缺陷修正方法进行说明的显示面板的像素构造的剖视图。
图3是表示第一实施方式中的检查系统的结构的模块图。
图4是表示检查系统的离子注入装置的结构的模块图。
图3是表示第一实施方式中的检查系统的结构的模块图。
图4是表示检查系统的离子注入装置的结构的模块图。
具体实施方式
[0011] 以下，参照附图对本发明涉及的实施方式进行说明。此外，在以下的各实施方式中，针对同样的结构要素附加相同的附图标记。
[0012] (第一实施方式)参照图1～4，对本发明涉及的显示面板的缺陷修正方法的第一实施方式进行说明。
[0013] 1.关于缺陷修正方法图1(a)是对成为本实施方式的缺陷修正方法的对象的显示面板1进行例示的图。本缺陷修正方法可以适用于在有源矩阵型的显示面板1中，在像素10产生异常地具有高亮度的亮点、或像素10忽亮忽暗的灭点等缺陷的情况。
[0014] 显示面板1具备：多个像素10，其在显示面上以矩阵状配置；栅极线GL，其与像素10的矩阵的行对应而配置；以及源极线SL，其与像素10的矩阵的列对应而配置。1个像素10与例如R、G、B之内的1个颜色对应。以下，将显示面板1的栅极线GL延伸的方向设为“X方向”，将源极线S延伸的方向设为“Y方向”。
[0015] 在本实施方式中，针对显示面板1是有机EL面板的情况进行说明。在图1(b)中示出本实施方式涉及的显示面板1的像素10的等价电路(以下称为“像素电路”)10a的一个例子。
[0016] 图1所例示的像素电路10a，具备两个TFT(薄膜晶体管)11、12、一个电容器13、OLED(有机发光二极管)14。在本例中，两个TFT11、12分别是由N型晶体管构成的开关TFT11及驱动T FT12。开关TFT11的栅极与栅极线GL连接，源极与源极线SL连接，漏极与驱动TFT12的栅极连接。
[0018] 驱动TFT12基于电源电压VDD对OLED14的发光进行驱动。驱动TFT12的栅极电压，在开关TFT11为接通状态时，基于从源极线SL输入的数据信号Vd而被控制。驱动TFT12在栅极电压为规定的阈值电压以上时接通，在低于阈值电压时断开。驱动TFT12在接通状态下，向OLED14流过与栅极电压对应的电流。
[0019] 电容器13在开关TFT11为接通状态时，基于数据信号Vd进行充放电，在开关TFT11为断开状态时，对驱动TFT12的栅极电压进行保持。
[0020] OLED14是包含有机材料的发光元件的一个例子。OLED14在驱动TFT12为接通状态时，以与由驱动TFT12控制的电流对应的光量进行发光。另外，在驱动TFT12为断开状态时，OLED14不发光。
[0021] 在本实施方式中，如果在以上的这种显示面板1中，将亮点等的像素10作为修正对象而进行检测，则使用局部的离子注入，将修正对象的像素10中的驱动TFT12设为无法动作。由此，在显示面板10进行对各种图像进行显示的显示动作时，该像素10的驱动TFT12不接通，OLED14不发光。以下，参照图2，针对使用了离子注入的缺陷修正方法进行说明。
[0022] 图2是显示面板1的厚度方向上的像素构造的剖视图。以下，将显示面板1的厚度方向设为“Z方向”。另外，有时将+Z侧称为“上侧”，将-Z侧称为“下侧”。
[0023] 如图2所示，开关TFT11及驱动TFT12，在基板15上层叠地设置各种电极、栅极绝缘膜16及半导体层，由平滑化薄膜17覆盖。OLED14在基板15的上侧，在平滑化薄膜17上与堤部18一起设置。
[0024] 开关TFT11包含栅极11a、源极11b及漏极11c这3个电极、和设置于源极11b与漏极11c间的半导体层11d。半导体层11d例如是N+层，在像素10间掺杂共有的规定浓度的施主。
半导体层11d和栅极11a经由栅极绝缘膜16而相对，在半导体层11d与栅极绝缘膜16间的界面，形成开关TFT11的沟道。
半导体层11d和栅极11a经由栅极绝缘膜16而相对，在半导体层11d与栅极绝缘膜16间的界面，形成开关TFT11的沟道。
[0025] 驱动TFT12包含栅极12a、源极12b及漏极12c这3个电极、和设置于源极12b与漏极12c间的半导体层12d。驱动TFT12的半导体层12d例如与开关TFT11的半导体层11d同样地构成。与开关TFT11同样地，驱动TFT12的沟道在半导体层12d与栅极绝缘膜16间的界面形成。
驱动TFT12的漏极12c与OLED14的电极14a连接。
驱动TFT12的漏极12c与OLED14的电极14a连接。
[0027] 在以上的这种像素10的构造中，利用本实施方式涉及的缺陷修正方法，向驱动TFT12的半导体层12d注入硼等三价原子的阳离子。作为驱动TFT12的这种N型晶体管的阈值电压，源极12b与漏极12c间的半导体层12d中的上述离子的剂量越增大，则该阈值电压越大。
[0028] 在这里，未进行上述的离子注入的通常的驱动TFT12的阈值电压，设定于在显示面板1的显示动作时可以作为驱动TFT12的栅极电压而设定的规定范围的范围内。在本实施方式涉及的缺陷修正方法中，以驱动TFT12的阈值电压成为超过在显示面板1的显示动作时可设定的栅极电压的最大值的规定值的剂量，进行离子注入。由此，在显示面板1的显示动作时，被离子注入的驱动TFT12总是成为断开状态，可以对修正对象的像素10高精度地进行黑点化。
[0029] 另外，在本实施方式中，如图2所示，从显示面板1的+Z侧进行离子注入。由此，与从-Z侧以贯穿基板15的方式进行离子注入的情况相比，可以降低离子注入的能量。
[0030] 另外，在显示面板1的显示面(XY平面)上，各像素10的驱动TFT12等各种元件以规定的布局而规则地配置。规定的布局依赖于像素10的R、G、B或显示面板1的型号等而设定。在本实施方式中，通过使用表示显示面板1的像素构造的布局的布局信息，从而在缺陷修正方法中可以高精度地确定进行离子注入的区域。
[0031] 针对用于实施以上的这种缺陷修正方法的显示面板1的检查系统，以下进行说明。
[0032] 2.关于检查系统针对本实施方式涉及的显示面板1的检查系统，参照图3、4进行说明。
[0033] 图3是表示本实施方式中的检查系统2的结构的模块图。检查系统2例如在多个显示面板1的制造出厂时等对各显示面板1进行检查。检查系统2可以在显示面板1的制造工序中的各种检查工序中利用。
[0034] 检查系统2如图3所示，具备检查装置21、信息处理装置22、离子注入装置23。
[0035] 检查装置21是例如AOI(Automated Optical Inspection)装置。检查装置21具备生成拍摄图像的照相机、及执行规定的图像解析算法的CPU等，进行对各显示面板1的自动光学检查。
[0036] 检查装置21在自动光学检查中，对检查对象的显示面板1进行拍摄，相对于显示面板1的拍摄图像，进行用于对亮点、灭点等各种缺陷进行检查的图像解析。例如，在显示面板1上存在亮点的像素10的情况下，检查装置21在显示面板1的拍摄图像的图像解析中，例如基于拍摄图像中的亮度差对该像素10进行检测。
[0037] 检查装置21生成表示由图像解析得到的显示面板1的检查结果的检查数据，将生成的检查数据向信息处理装置22发送。检查数据在例如检测到亮点、灭点等不良像素10的情况下，包含将检测到的不良像素10作为修正对象而示出的信息。检查数据也可以包含成为检查对象的显示面板1的识别信息等。
[0039] 信息处理装置22具备对显示面板1的检查数据等各种数据及软件工具等程序进行存储的存储器、以及将在存储器中存储的信息读出而实现规定的信息处理功能的CPU等。信息处理装置22经由按照规定的通信规格的接口电路，与检查装置21及离子注入装置23等进行通信连接。
[0040] 信息处理装置22，在来自于检查装置21的检查数据中包含表示作为修正对象而检测的像素10的信息的情况下，生成表示该像素10的位置的位置信息。位置信息例如包含显示面板1中的该像素10的中心位置的X坐标及Y坐标。信息处理装置22将生成的位置信息向离子注入装置23发送。
[0041] 离子注入装置23基于来自于信息处理装置22的位置信息，局部地进行离子注入，通过黑点化进行缺陷的修正。离子注入装置23是本实施方式中的缺陷修正装置的一个例子。关于离子注入装置23的结构及动作，使用图4进行说明。
[0042] 图4是表示检查系统2中的离子注入装置23的结构的模块图。离子注入装置23如图4所示，具备离子注入部31、掩模32、平台33、平台驱动部34、控制部35。
[0043] 离子注入部31具备产生规定的离子(例如硼)的离子源、对所产生的离子进行加速的加速管、及将加速后的离子的离子束射出的束射出部等。离子注入部31和掩模32例如固定于相同的框体等，作为头部30而一体构成。
[0044] 掩模32在头部30中以与离子注入部31的束射出部相对的方式配置。掩模32例如比显示面板1的显示面更大，具有规定尺寸的孔(以下称为“掩模孔”)32a。掩模孔32a的尺寸，例如与显示面板1的显示面(XY平面)上的像素10中的驱动TFT12的半导体层12d(图2)的尺寸相对应。掩模孔32a的尺寸也可以在显示面上的一个像素10的尺寸以下的范围内适当设定。
[0045] 平台33与掩模32相对而配置。在本实施方式中，在平台33上，显示面板1以其主面(显示面)与掩模32相对的方式置载。
[0046] 平台驱动部34由可在两个轴向上驱动的各种致动器构成。平台驱动部34利用控制部35的控制，沿所置载的显示面板1的X方向及Y方向对平台33的位置进行驱动。
[0047] 控制部35包含例如与软件协同动作而实现规定功能的CPU等，对离子注入装置23的整体动作进行控制。另外，控制部35包含按照规定的通信规格的接口电路，从信息处理装置22接收位置信息。控制部35是离子注入装置23中的信息取得部的一个例子。
[0048] 另外，控制部35包含闪存存储器等内部存储器35a。内部存储器35a例如存储规定的程序、来自于信息处理装置22的位置信息、显示面板1的布局信息等。显示面板1的布局信息例如表示显示面板1的显示面上的像素10的R、G、B的配置，以及R、G、B的各像素10中的各种元件的配置。
[0049] 控制部35读出在内部存储器35a中存储的数据或程序而进行各种运算处理，实现从信息处理装置22的信息取得功能、及离子注入装置23的离子注入的控制等各种功能。此外，控制部35也可以是设计为实现规定的功能的专用的电子电路或可以是再构成的电子电路等的硬件电路。控制部35也可以由CPU、MPU、微机、DSP、FPGA、ASIC等各种半导体集成电路构成。
[0050] 针对以上述方式构成的离子注入装置23的动作，以下进行说明。以下，将由检查装置21检测出修正对象的像素10的显示面板1置载于离子注入装置23的平台33。
[0051] 首先，离子注入装置23的控制部35从信息处理装置22取得位置信息，确定在显示面板1上设为离子注入的对象的位置。
[0052] 例如，控制部35基于在内部存储器35a中存储的布局信息和位置信息所示的像素的位置，确定修正对象的像素10是R、G、B中的哪一个像素。并且，控制部35参照布局信息，将所确定的像素中的驱动TFT12的半导体层12d(图2)的X坐标及Y坐标，与位置信息所示的位置相加和/或相减，对设为离子注入的对象的位置进行计算。
[0053] 然后，控制部35对平台驱动部34进行控制而对平台33进行驱动，以在平台33上的显示面板1上所确定的位置、和固定于头部30的掩模32的掩模孔32a的位置一致的方式进行对位。
[0054] 然后，控制部35对离子注入部31进行控制，执行相对于平台33上的显示面板1的离子的注入。从离子注入部31的束射出部使离子束朝向掩模32射出。掩模32对向掩模孔32a以外入射的离子束进行隔断。由此，在与掩模孔32a相对的显示面板1上的区域照射离子束，离子被注入。
[0055] 离子注入部31将由离子源产生的离子加速至规定的能量，射出离子束。规定的能量在本实施方式设定为，使得离子从显示面板1的+Z侧达到半导体层12d(参照图2)。
[0056] 由离子注入装置23进行离子注入，进行至向半导体层12d注入的离子的剂量(即该离子的浓度)达到规定值为止。规定值设定为，以在显示面板1的显示动作时可设定的驱动TFT12的栅极电压不会达到驱动TFT12的阈值电压的方式将该阈值电压移位后的值(例如1×1012ions/cm2以上)。
[0057] 根据以上的动作，基于从信息处理装置22取得的位置信息，离子注入装置23向检查装置21检测出的修正对象的像素10的驱动TFT12的半导体层12d进行离子注入，可以高精度地对该像素10进行黑点化。
[0058] 在以上的动作中，例如在将多个型号的显示面板1由检查系统2进行处理的情况下，也可以针对每个型号确定设为离子注入的对象的位置。例如，离子注入装置23预先在内部存储器35a存储显示面板1的每个型号的布局信息，在进行离子注入时从信息处理装置22等取得表示显示面板1的型号的识别信息，使用识别信息所示的型号的布局信息。
[0059] 另外，在以上的动作中，在显示面板1上进行离子注入的区域，也可以在修正对象的像素10的包含驱动TFT12的半导体层12d(图2)在内的范围内适当设定。例如，也可以将修正对象的像素10的整体设定为进行离子注入的区域。
[0060] 3.总结如上所述，本实施方式涉及的缺陷修正方法，是对具备多个包含TFT11、12在内的像素(10)的显示面板1中的缺陷的像素10进行黑点化的方法。本方法包含从显示面板1中的多个像素10之中，检测修正对象的像素10的步骤。本方法包含将离子注入到与驱动TFT12对应的规定区域，以使得检测出的像素10中的驱动TFT12在显示面板1的显示动作时不会接通的步骤。
[0061] 根据以上的方法，通过离子注入，使修正对象的像素10中的驱动TFT12在显示面板1的显示动作时无法动作，从而可以高精度地对显示面板1的像素10的缺陷进行黑点化。
[0062] 在本实施方式中，注入离子的步骤中，直至阈值电压进行移位为止注入离子，以使得在显示面板1的显示动作时使用的驱动TFT12的栅极电压不会达到驱动TFT12的所述阈值电压。由此，在显示面板1的显示动作时，驱动TFT12维持断开状态，可以提高黑点化的精度。
[0063] 另外，在本实施方式中，注入离子的规定区域，包含驱动TFT12的源极12b和漏极12c间的半导体层12d。由此，使驱动TFT12的形成沟道的区域的剂量变化，可以高精度地设定驱动TFT12的阈值电压。
[0064] 另外，在本实施方式中，检测修正对象的像素10的步骤中，对亮点的像素10或者灭点的像素10进行检测。根据本方法，可以对显示面板1中的亮点、灭点这样的像素10的缺陷进行黑点化。
[0065] 另外，在本实施方式中，显示面板1是有机EL面板。注入离子的步骤中，注入离子以使在有机EL面板中对像素10的发光进行驱动的驱动TFT12在显示面板1的显示动作时不会接通。由此，通过离子注入使OLED14不发光，可以高精度地进行黑点化。
[0066] 另外，在本实施方式中，注入离子的步骤，相对于N型晶体管的驱动TFT12注入硼的离子。向N型晶体管注入的离子并不限定于硼的离子，也可以是其它三价原子的阳离子等。
[0067] 另外，在本实施方式中，离子注入装置23是对显示面板1中的缺陷的像素10进行黑点化的缺陷修正装置的一个例子。离子注入装置23具有控制部35和离子注入部31。控制部35作为取得表示显示面板1中的多个像素10之中的修正对象的像素10的位置的位置信息的信息取得部起作用。离子注入部31基于所取得的位置信息，将离子注入到与驱动TFT12对应的规定区域中，以使得位置信息所示的位置的像素10中的驱动TFT12在显示面板1的显示动作时不会接通。
[0068] 根据以上的离子注入装置23，通过离子注入，使修正对象的像素10中的驱动TFT12在显示面板1的显示动作时无法动作，从而可以对显示面板1的像素10的缺陷高精度地进行黑点化。
[0069] 另外，在本实施方式中，显示面板1对图像进行显示。显示面板1具有分别具备TFT11、12的多个像素10。在对显示面板1适用缺陷修正方法的情况下，多个像素10包含驱动TFT12的源极12b与漏极12c间的半导体层12d中的离子的浓度为规定值以上的像素10。规定值是以使得在显示面板1的显示动作时使用的驱动TFT12的栅极电压不会达到驱动TFT12的阈值电压的方式将该阈值电移位后的值。
[0070] 根据以上的显示面板1，在显示面板1的显示动作时，特定的像素10的驱动TFT12无法动作，可以高精度地对显示面板1的像素10进行黑点化。
[0071] (其它实施方式)在上述第一实施方式中，从显示面板1的+Z侧向半导体层12d注入离子，但也可以从显示面板1的-Z侧进行离子注入(参照图2)。在从-Z侧进行离子注入的情况下，例如以离子贯穿显示面板1的基板15而达到半导体层12d的方式，在离子注入装置23中设定离子的能量。
[0072] 另外，在上述各实施方式中，在离子注入装置23中，对平台33进行驱动而进行对位，但并不限定于此，例如也可以对离子注入装置23的头部30进行驱动。另外，也可以以独立于离子注入部31的方式使掩模32移动，在该情况下，特别地，也可以不是将离子注入部31与掩模32由头部30一体构成。
[0073] 另外，在上述各实施方式中，通过离子注入将修正对象的像素10中的驱动TFT12设为无法动作，但本发明并不限定于此。例如，也可以在驱动TFT12的基础上或者将其取代，以使开关TFT11无法动作的方式进行离子注入。
[0074] 另外，在上述各实施方式中，说明了开关TFT11和驱动TFT12这两个TFT11、12包含于像素10中的例子，但在修正对象的像素包含多个晶体管的情况下，也可以以使至少任意一个晶体管无法动作的方式注入离子。
[0075] 另外，在上述各实施方式中，说明了用于黑点化的离子注入在N型晶体管中进行的例子，但也可以在P型晶体管中进行离子注入。在离子注入的对象的晶体管是P型晶体管的情况下，也可以注入磷或砷等五价原子的阴离子。在该情况下，也直至以使得在显示面板1的显示动作时使用的栅极电压不会达到晶体管的阈值电压的方式将阈值电压移位为止，对离子进行注入。即，离子注入的剂量设定为，使得对象的晶体管的阈值电压成为低于在显示面板1的显示动作时设定的该晶体管的栅极电压的最小值的规定值(例如1×1013ions/cm2以上)。
[0076] 另外，在上述各实施方式中，利用离子注入使晶体管的阈值电压移位，但并不特别限定于此，也可以利用其它原理通过离子注入使晶体管无法动作。例如，也可以通过离子注入将晶体管的栅极与源极间等短路或者使一部分破损，从而使该晶体管无法动作。
[0077] 另外，在上述各实施方式中，针对显示面板1是有机EL面板的例子进行了说明，但本发明并不限定于有机EL面板，例如也可以适用于液晶面板等各种有源矩阵型显示面板。例如，在对液晶面板中的缺陷的像素进行修正的情况下，也可以通过使在液晶面板的像素中包含的TFT通过进行离子注入从而无法动作。
[0078] 如上所述，针对本发明的具体实施方式及变形例进行了说明，但本发明并不限定于上述方式，在本发明的范围内可以进行各种变更而实施。例如，也可以将上述各个实施方式的内容适当组合而作为本发明的一个实施方式。
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