栅氧层缺陷检测方法及器件失效定位方法
专利汇可以提供栅氧层缺陷检测方法及器件失效定位方法专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 提供了一种栅 氧 层 缺陷 检测方法及器件失效 定位 方法，在 半导体 衬底上形成栅氧层之后包括：以栅氧层为阻挡层对半导体衬底进行湿法 刻蚀 工艺；湿法刻蚀工艺所采用的刻蚀药液对半导体衬底的刻蚀速率大于对栅氧层的刻蚀速率；检测半导体衬底受到刻蚀药液的 腐蚀 所产生的损失；基于半导体衬底的损失来分析栅氧层的缺陷。通过检测出半导体衬底的损耗缺陷来分析栅氧层的缺陷，实现了对栅氧层缺陷和器件漏电的准确和实时监测，及时发现漏电问题，克服了现有的发现缺陷问题滞后以及难以检测的问题，并且节约了时间和成本。，下面是栅氧层缺陷检测方法及器件失效定位方法专利的具体信息内容。
1.一种栅氧层缺陷的检测方法，在半导体衬底上进行，包括在半导体衬底上形成栅氧层，其特征在于，形成所述栅氧层之后包括：
以所述栅氧层为阻挡层对所述半导体衬底进行湿法刻蚀工艺；其中，所述湿法刻蚀工艺所采用的刻蚀药液对半导体衬底的刻蚀速率大于对栅氧层的刻蚀速率；
检测所述半导体衬底受到所述刻蚀药液的腐蚀所产生的损失；
基于所述半导体衬底的损失来分析所述栅氧层的缺陷。
2.根据权利要求1所述的栅氧层缺陷的检测方法，其特征在于，所述刻蚀药液为能够-
保护OH离子的药液。
3.根据权利要求3所述的栅氧层缺陷的检测方法，其特征在于，所述刻蚀药液为四甲基氢氧化氨。
4.根据权利要求2所述的栅氧层缺陷的检测方法，其特征在于，所述TMAH的浓度为
2％～3％。
5.根据权利要求1所述的栅氧层缺陷的检测方法，其特征在于，所述湿法刻蚀工艺所采用的刻蚀时间为0.5～5min。
6.根据权利要求1所述的栅氧层缺陷的检测方法，其特征在于，采用亮场光学检测技术来检测所述半导体衬底的损失。
7.根据权利要求4所述的栅氧层缺陷的检测方法，其特征在于，所采用的检测参数包括像素、波段和焦距。
8.根据权利要求7所述的栅氧层缺陷的检测方法，其特征在于，所述像素为50～
160nm，所述波段为蓝光波段，所述焦距为-0.5～0.5。
9.根据权利要求1所述的栅氧层缺陷的检测方法，其特征在于，所述半导体衬底的材料为硅，所述栅氧层的材料为氧化硅。
10.一种针对器件漏电缺陷的失效定位方法，其特征在于，包括：
采用权利要求1所述的检测方法来检测出所述栅氧层具有缺陷；
根据所述栅氧层的缺陷的检测结果判断出所述栅氧层缺陷导致所述漏电缺陷。
栅氧层缺陷检测方法及器件失效定位方法
技术领域
背景技术
发明内容
具体实施方式
2％～3％，例如2.4％。刻蚀时间为0.5～5min。需要说明的是，能够保护OH离子的药液- - -
可以为能产生OH离子或者不损耗OH 离子、不与OH 离子发生反应的药液。
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