비피에스지막 형성방법
阅读：99发布：2020-07-27
专利汇可以提供비피에스지막 형성방법专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且본 발명은 SiH
4 , PH
3 및 B
2 H
6 의 혼합가스를 원료가스로 하여, O
2 와 수소화합물을 플로우 함으로써 소자의 절연 및 평탄화를 유지하기 위한 불순물 도핑된 절연막을 형성하는 방법에 관한 것으로, O
2 대전체 수소화합물의 첨가비 및 B
2 H
6 대 PH
3 가스의 첨가비를 조절함으로써 BPSG막의 언더플로우에 의한 보이드 및 밸리 현상 유발을 막고 BPSG막의 평탄도를 증대시키고, 아울러 결정결함을 방지하는 효과를 얻을 수 있다.，下面是비피에스지막 형성방법专利的具体信息内容。
SiH 4 , PH 3 및 B 2 H 6 의 혼합가스를 원료가스로 하여, O 2 와 수소화합물을 플로우 함으로써 소자의 절연 및 평탄화를 유지하기 위한 불순물 도핑된 절연막을 형성하는 방법에 있어서, O 2 대 전체 수소화합물의 첨가비는 몰비를 기준으로 75 대 1을 초과하지 않는 것을 특징으로 하는 불순물 도핑된 절연막 형성방법.
제1항에 있어서, 상기 B 2 H 6 가스는 PH 3 가스보다 몰비를 기준으로 0.087을 초과하는 양만큼 플로우되는 것을 특징으로 하는 불순물 도핑된 절연막 형성방법.
※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
불순물 도핑된 절연막 형성방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
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10 비피에스지막 형성 방법
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