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비피에스지막 형성 방법

阅读:1016发布:2020-07-22

专利汇可以提供비피에스지막 형성 방법专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且본 발명은 반도체 소자 제조시의 평탄화된 BPSG막 형성 방법에 있어서, BPSG막을 중착하고, BPSG막 플로우를 위한 열처리시 O
3 가스를 주입하여 플로우된 BPSG막 표면에 산화막(SiO
2 )을 형성하는 것을 특징으로 하는 BPSG막 형성 방법에 관한 것으로, BPSG막 플로우시 산화막을 동시에 형성하여, 산화막이 공기중의 수분흡수를 방지하도록 함으로써, 후속 공정에서 발생하는 감광제와의 접착력 불량 발생을 제거한다.,下面是비피에스지막 형성 방법专利的具体信息内容。

  • 반도체 소자 제조시의 평탄화된 BPSG막 형성 방법에 있어서, BPSG막을 중착하고, BPSG막 플로우를 위한 열처리시 O 3 가스를 주입하여 플로우된 BPSG막 표면에 산화막(SiO 2 )을 형성하는 것을 특징으로 하는 BPSG막 형성 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
  • 说明书全文

    비피에스지(BPSG)막 형성 방법.

    본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

    제1도 내지 제3도는 본 발명에 따른 BPSG 형성 공정도.

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