一种低温制备硅/碳化硅材料的方法
专利汇可以提供一种低温制备硅/碳化硅材料的方法专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 涉及一种利用 硅 化镁为原料直接捕捉CO2低温制备硅/ 碳 化硅的方法。硅/碳化硅材料是近年来研究应用较广泛的一种新 型材 料,具有耐磨、耐 腐蚀 和耐高温等特点，在机械、化工和 冶金 等领域应用较多。目前，硅/碳化硅材料的制备工艺主要有无压液相 烧结 、 热压 烧结、反应烧结和先驱体转化法。上述方法的反应 温度 均大于1500℃，能耗大、成本高昂。本文提供了一种利用硅化镁为原料直接捕捉CO2低温制备硅/碳化硅的方法，该方法在300℃就能发生反应。同时也捕捉了CO2气体，缓解了 温室 效应 。，下面是一种低温制备硅/碳化硅材料的方法专利的具体信息内容。
1.一种低温制备硅/碳化硅的方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：
S1、在惰性保护气氛下，将磨球与硅化镁以(20-30):1的球料比在300-1000r/min的条件下，球磨6-108h，然后将研磨均匀的混合物转移至密闭的反应器；
S2、将反应器抽真空后通入1～80bar CO2气体，然后以0.5～10℃/min的升温速率加热至300～1000℃，保温0.5～10h；
S3、待冷却至室温后，取出反应器内的产物，将产物依次经1mol/L的稀盐酸浸泡20-
30min、去离子水洗涤2-3次、酒精洗涤2-3次后抽滤，最后在70-80℃的条件下烘干得到Si/SiC复合材料。
2.根据权利要求1所述低温制备硅/碳化硅的方法，其特征在于，所述硅化镁的纯度不低于化学纯。
3.根据权利要求1或2所述低温制备硅/碳化硅的方法，其特征在于，磨球与硅化镁以
30:1的球料比在400-800r/min的条件下，球磨12-48h。
4.根据权利要求3所述低温制备硅/碳化硅的方法，其特征在于，步骤S1中将硅化镁以
30:1的球料比在500r/min的条件下，球磨24h。
5.根据权利要求1所述低温制备硅/碳化硅的方法，其特征在于，通入的CO2气体压力为5～30bar。
6.根据权利要求5所述低温制备硅/碳化硅的方法，其特征在于，通入的CO2气体压力为
10bar。
7.根据权利要求1或2所述低温制备硅/碳化硅的方法，其特征在于，将反应器以1～5℃/min的升温速率加热至600～800℃，保温2～8h。
8.根据权利要求7所述低温制备硅/碳化硅的方法，其特征在于，将反应器以2℃/min的升温速率加热至650℃，保温5h。
一种低温制备硅/碳化硅材料的方法
技术领域
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具体实施方式
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