一种局域接触钝化太阳电池及其制备方法
专利汇可以提供一种局域接触钝化太阳电池及其制备方法专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 公开了一种局域 接触 钝化 太阳 电池 及其制备方法，包括：在 硅 片 上进行制绒处理；通 过热 氧 设备在硅衬底的 正面 和背面分别沉积一层隧穿SiO2 薄膜 ；沉积磷掺杂的微晶硅或非晶硅薄膜；在 硅片 的正面沉积图形化的掩膜材料；二次制绒；磷扩散； 刻蚀 ； 钝化层 生长；激光开膜；丝网印刷。本发明采用微晶硅/氧化硅叠层的选择性载流子输运特性来实现接触钝化，保证金属 电极 的 欧姆接触 的同时，完全消除金属区复合；并采用掩膜、二次制绒实现微晶硅的图形化，从而形成局域接触钝化，减少寄生吸收；且采用一步扩散同时形成轻扩区域并激活微晶硅层的钝化，简化工艺。本发明适合大规模产业化应用，可以极大的提高电池的转换效率，降低度电成本。，下面是一种局域接触钝化太阳电池及其制备方法专利的具体信息内容。
1.一种局域接触钝化太阳电池的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1、制绒：在硅片上进行制绒处理；
S2、隧穿氧化硅沉积：通过热氧设备在硅衬底的正面和背面分别沉积一层隧穿SiO2薄膜；
S3、掺杂微晶硅/非晶硅薄膜沉积：采用LPCVD设备或PECVD设备沉积磷掺杂的微晶硅或非晶硅薄膜；
S4、掩膜制备：在硅片的正面沉积图形化的掩膜材料；
S5、二次制绒：刻除非掩膜区域的微晶硅/非晶硅薄膜，并保证非掩膜区域表面仍然是金字塔形状；
S6、磷扩散：进行磷扩散工艺，以形成pn结；
S7、刻蚀：去除背面的pn结区，过HF，去除表面的磷硅玻璃PSG；
S8、钝化层生长：在背面沉积一层氧化铝薄膜，然后分别在背面和正面沉积SiN薄膜；
S9、激光开膜：通过激光打开SiN膜，以形成局域铝背场和金属区欧姆接触；
S10、丝网印刷：丝网印刷主栅线和副栅线。
2.如权利要求1所述的局域接触钝化太阳电池的制备方法，其特征在于，所述硅片为P型单晶硅片。
3.如权利要求1或2所述的局域接触钝化太阳电池的制备方法，其特征在于，所述步骤S1中制绒处理时，采用KOH溶液进行制绒处理，所述KOH溶液由KOH、添加剂以及水按照质量比20:3:160配置得到，温度为80℃，然后在体积浓度2～5％的HF溶液中进行清洗。
4.如权利要求1或2所述的局域接触钝化太阳电池的制备方法，其特征在于，所述步骤S2中所述隧穿SiO2薄膜的厚度小于2nm，沉积温度为500～700℃。
5.如权利要求1或2所述的局域接触钝化太阳电池的制备方法，其特征在于，所述步骤S4中采用ink jet设备或印刷设备在硅片正面沉积图形化的掩膜材料。
6.如权利要求1或2所述的局域接触钝化太阳电池的制备方法，其特征在于，所述步骤S5中二次制绒时，采用KOH溶液进行制绒处理，所述KOH溶液由KOH、添加剂以及水按照质量比20:3:160配置得到，温度为80℃。
7.如权利要求1或2所述的局域接触钝化太阳电池的制备方法，其特征在于，所述步骤S6中在传统磷扩散炉管中，进行磷扩散工艺，扩散温度为700～900℃，形成的方块电阻范围为100～200ohm/□。
8.如权利要求1或2所述的局域接触钝化太阳电池的制备方法，其特征在于，所述步骤S8中，氧化铝薄膜的厚度为2～25nm，背面的SiN薄膜厚度为100～120nm，正面SiN薄膜的厚度为80nm。
9.如权利要求1或2所述的局域接触钝化太阳电池的制备方法，其特征在于，所述步骤S10进行丝网印刷时，正面栅线宽度小于50μm，高度大于5μm，烧结时峰值温度为760℃，时间为40秒。
10.一种由权利要求1～9任一所述的局域接触钝化太阳电池的制备方法制备得到的局域接触钝化太阳电池。
一种局域接触钝化太阳电池及其制备方法
技术领域
背景技术
发明内容
具体实施方式
80nm左右。
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