一种HJT太阳电池及其制备方法
专利汇可以提供一种HJT太阳电池及其制备方法专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 揭示了一种HJT太阳 电池 及其制备方法，包括N型单晶 硅 片 表面处理 、双面沉积非晶硅层及TCO透明导电玻璃、制作 电极 和 烧结 固化 ，其特征在于：在TCO透明导电玻璃表面通过激光转印法制备上电极和下电极，包括步骤：将完成TCO透明导电玻璃沉积的 硅片 半成品载入自加热的承载台上；在承载台及硅片半成品上方成型转印衬底，将金属导电材料采用涂覆法制备在转印衬底表面，并利用 激光器 扫描转印至被加热的硅片半成品上。应用本发明的制备工艺，实现了非 接触 式的电极制备，降低了硅片的隐裂和碎片率；并且有利于优化电极的规格尺寸，增加光吸收且提高电池效率，同时改善了硅片的洁净度，消除了污染源，适于规模化生产的应用。，下面是一种HJT太阳电池及其制备方法专利的具体信息内容。
1.一种HJT太阳电池，自一侧面至另一侧面的分层结构包括上电极、TCO透明导电玻璃、P型非晶硅层、本征非晶硅层、N型单晶硅片、本征非晶硅层、N型非晶硅层、TCO透明导电玻璃、下电极，其中N型单晶硅片的厚度为150μm以下，其特征在于：所述上电极和下电极均为非接触式激光转印于TCO透明导电玻璃之上的成型电极。
2.根据权利要求1所述HJT太阳电池，其特征在于：所述激光转印中转印图形的主栅线宽度为0.1mm～1.5mm，主栅线数目为4～10，且正面、背面的副栅线宽度为10μm～40μm，副栅线数目为100～150。
3.一种HJT太阳电池的制备方法，包括N型单晶硅片表面处理、双面沉积非晶硅层及TCO透明导电玻璃、制作电极和烧结固化，其特征在于：在TCO透明导电玻璃表面通过激光转印法制备上电极和下电极，包括步骤：将完成TCO透明导电玻璃沉积的硅片半成品载入自加热的承载台上；在承载台及硅片半成品上方成型转印衬底，将金属导电材料采用涂覆法制备在转印衬底表面，并利用激光器扫描转印至被加热的硅片半成品上。
4.根据权利要求3所述HJT太阳电池的制备方法，其特征在于：所述激光器用于扫描转印所射出的激光线直径介于10μm～20μm，且激光脉冲介于5ns～20ns。
5.根据权利要求3所述HJT太阳电池的制备方法，其特征在于：所述转印衬底表面距离硅片半成品的距离介于20μm～50μm。
6.根据权利要求3所述HJT太阳电池的制备方法，其特征在于：所述非晶硅层采用等离子体增强化学气相沉积法进行沉积，且工艺参数范围包括：硅烷流量300～500sccm，硼烷流量500～1500sccm，氢气流量800～2000sccm，功率密度200W/m2～1000W/m2，温度150～250℃、压力0.5Mbar～3Mbar。
7.根据权利要求3所述HJT太阳电池的制备方法，其特征在于：所述N型单晶硅片的厚度为130μm，TCO透明导电玻璃的厚度为110nm，利用激光器扫描转印的工艺参数为激光脉冲
10ns～20ns，激光线直径介于15μm～20μm，转印衬底表面距离硅片半成品的距离介于20μm～40μm，激光转印中转印图形的主栅线宽度为1mm，主栅线数目为4，且正面、背面的副栅线宽度为30μm，副栅线数目为108。
8.根据权利要求3所述HJT太阳电池的制备方法，其特征在于：所述N型单晶硅片的厚度为100μm，TCO透明导电玻璃的厚度为80nm，利用激光器扫描转印的工艺参数为激光脉冲5ns～10ns，激光线直径介于10μm～15μm，转印衬底表面距离硅片半成品的距离介于30μm～50μm，激光转印中转印图形的主栅线宽度为0.8mm，主栅线数目为5，且正面、背面的副栅线宽度为15μm，副栅线数目为128。
一种HJT太阳电池及其制备方法
技术领域
背景技术
为了满足进一步降低成本及制作柔性组件以扩大应用市场要求，硅片厚度会越来越薄。而采用丝网印刷过程中，由于与硅片接触会对硅片产生一定的压力，不可避免地会造成硅片隐裂或碎片，影响电池片的合格率，无形中增大了制造成本，而且印刷的电极宽度较宽，遮光面积较大，导致电池片光吸收能力和吸收量的同比降低，进而影响电池片转换效率；另一种采用电镀的方式制备电极，需要先在硅片表面形成一层掩膜，然后用电镀方式制备电极，而且后期需要通过化学品去除掩膜，所产生废液需要针对性进行处理，整个制备电极工艺流程复杂，而且对环境不友好。
发明内容
150。
0.5Mbar～3Mbar。
具体实施方式
上利用气相沉积法制备一层p型非晶硅层，厚度为5nm 15nm。e)、采用磁控溅射方法在非晶~
硅层表面沉积TCO透明导电玻璃，厚度为60nm-120nm。f)、通过激光转印系统进行制备HJT太阳电池的上、下电极，如图2所示的状态示意图可见，该激光转印系统的构成包括激光器1、带有加热功能的硅片承载台6、转印衬底5和待转印的金属导电复合材料3。具体制备过程为将硅片半成品承放在上述硅片承载台中，在承载台6及硅片半成品4上方成型转印衬底，将金属导电材料3采用涂覆法制备在转印衬底表面，并利用激光器1产生高能量的线形光束或者高斯光束2将转印衬底表面待转印的金属导电复合材料扫描转印；经过激光光束照射，金属导电材料与转印衬底脱落，最后金属导电材料被转印至已加热具备一定温度的硅片半成品上。反面工艺亦然。其中转印材料为满足透光性、耐高温、耐腐蚀且化学性质稳定的材料，金属导电材料相对硅片半成品隔空设置，转印图形的主栅线宽度为0.1mm～1.5mm，主栅线数目为4～10，且正面、背面的副栅线宽度为10μm～40μm，副栅线数目为100～150。g)最后低温烧结固化在硅片上形成的上、下电极，形成完整的HJT太阳电池。
0.5Mbar～3Mbar。
厚度为60nm-120nm的范围内任意设定，本例选定位110nm；通过激光转印系统进行制备HJT电池上下电极，激光脉冲：10ns～20ns，激光线直径介于15μm～20μm，转印衬底表面距离硅片半成品的距离介于20μm～40μm，所述转印图形中的主栅线宽度为1mm，主栅线数目为4，且正面、背面的副栅线宽度为30μm，副栅线数目为108；最后低温烧结固化在硅片上形成的上电极和下电极，形成完整的HJT电池。
厚度为60nm-120nm的范围内任意设定，本例选定位80nm；通过激光转印系统进行制备HJT电池上下电极，激光脉冲：5ns～10ns，激光线直径介于10μm～15μm，转印衬底表面距离硅片半成品的距离介于30μm～50μm，所述转印图形中的主栅线宽度为0.8mm，主栅线数目为5，且正面、背面的副栅线宽度为15μm，副栅线数目为128；最后低温烧结固化在硅片上形成的上电极和下电极，形成完整的HJT电池。
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