一种太阳能电池的制造工艺流程
专利汇可以提供一种太阳能电池的制造工艺流程专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 公开了一种 太阳能 电池 的制造工艺流程，其采用以下步骤来实现的：（1） 硅 片 切割，材料准备： 硅片 的边长一般为10~15cm，厚度约200~350um， 电阻 率 约1Ωcm的p型。（2）去除损伤层：一般采用 碱 或酸 腐蚀 ，腐蚀的厚度约10um。（3）制绒：对于 单晶硅 来说一般采用NaOH加醇的方法腐蚀，碱液的 温度 约80度，浓度约1~2%，腐蚀时间约15分钟，对于多晶来说，一般采用酸法腐蚀。（4）扩散制结。（5）边缘 刻蚀 、清洗。（6）沉积减反射层：积减反射层的目的在于减少表面反射，增加折射率。（7）丝网印刷上下 电极 。（8）共烧形成金属 接触 。（9）电池片测试。本发明提出的一种 太阳能电池 的制造工艺流程，其设计符合理论，流程简单可行，材料利用率高，不仅极大节省了成本，而且在一定程度上，延长了太阳能电池的使用寿命，具有较大的推广价值。，下面是一种太阳能电池的制造工艺流程专利的具体信息内容。
1.一种太阳能电池的制造工艺流程，其特征在于：所述的工艺流程是采用以下步骤来
实现的：
（1）硅片切割，材料准备：所用的单晶硅材料，一般采用坩锅直拉法制的太阳级单晶硅棒，原始的形状为圆柱形，然后切割成方形硅片（或多晶方形硅片），硅片的边长一般为
10~15cm，厚度约200~350um，电阻率约1Ω.cm的p型（掺硼）；
（2）去除损伤层：硅片在切割过程会产生大量的表面缺陷，表面的质量较差，电池制造过程中导致碎片增多，将切割损伤层去除，一般采用碱或酸腐蚀，腐蚀的厚度约10um； （3）制绒：是把相对光滑的原材料硅片的表面通过酸或碱腐蚀，使其凸凹不平，变得粗糙，形成漫反射，减少直射到硅片表面的太阳能的损失，对于单晶硅来说一般采用NaOH加醇的方法腐蚀，利用单晶硅的各向异性腐蚀，在表面形成无数的金字塔结构，碱液的温度约
80度，浓度约1~2%，腐蚀时间约15分钟，对于多晶来说，一般采用酸法腐蚀；
（4）扩散制结：扩散的目的在于形成PN结，普遍采用磷做n型掺杂，在扩散前硅片表面的洁净非常重要，要求硅片在制绒后要进行清洗，即用酸来中和硅片表面的碱残留和金属杂质；
（5）边缘刻蚀、清洗：扩散过程中，在硅片的周边表面也形成了扩散层，周边扩散层使电池的上下电极形成短路环，必须将它除去，周边上存在任何微小的局部短路都会使电池并联电阻下降，以至成为废品，目前，工业化生产用等离子干法腐蚀，在辉光放电条件下通过氟和氧交替对硅作用，去除含有扩散层的周边，扩散后清洗的目的是去除扩散过程中形成的磷硅玻璃；
（6）沉积减反射层：积减反射层的目的在于减少表面反射，增加折射率；
（7）丝网印刷上下电极：电极的制备是太阳电池制备过程中一个至关重要的步骤，现在普遍采用丝网印刷法，即通过特殊的印刷机和模版将银浆铝浆（银铝浆）印刷在太阳电池的正背面，以形成正负电极引线；
（8）共烧形成金属接触：晶体硅太阳电池要通过三次印刷金属浆料，传统工艺要用二次烧结才能形成良好的带有金属电极欧姆接触，共烧工艺只需一次烧结，同时形成上下电极的欧姆接触，在太阳电池丝网印刷电极制作中，通常采用链式烧结炉进行快速烧结；
（9）电池片测试：测试的目的是对电池的输出功率进行标定，测试其输出特性，确定组件的质量等级。
一种太阳能电池的制造工艺流程
技术领域
背景技术
发明内容
（2）去除损伤层：硅片在切割过程会产生大量的表面缺陷，表面的质量较差，电池制造过程中导致碎片增多，将切割损伤层去除，一般采用碱或酸腐蚀，腐蚀的厚度约10um。
（3）制绒：是把相对光滑的原材料硅片的表面通过酸或碱腐蚀，使其凸凹不平，变得粗糙，形成漫反射，减少直射到硅片表面的太阳能的损失，对于单晶硅来说一般采用NaOH加醇的方法腐蚀，利用单晶硅的各向异性腐蚀，在表面形成无数的金字塔结构，碱液的温度约
80度，浓度约1~2%，腐蚀时间约15分钟，对于多晶来说，一般采用酸法腐蚀。
（4）扩散制结：扩散的目的在于形成PN结，普遍采用磷做n型掺杂，在扩散前硅片表面的洁净非常重要，要求硅片在制绒后要进行清洗，即用酸来中和硅片表面的碱残留和金属杂质。
具体实施方式
（2）去除损伤层：硅片在切割过程会产生大量的表面缺陷，表面的质量较差，电池制造过程中导致碎片增多，将切割损伤层去除，一般采用碱或酸腐蚀，腐蚀的厚度约10um。
（3）制绒：是把相对光滑的原材料硅片的表面通过酸或碱腐蚀，使其凸凹不平，变得粗糙，形成漫反射，减少直射到硅片表面的太阳能的损失，对于单晶硅来说一般采用NaOH加醇的方法腐蚀，利用单晶硅的各向异性腐蚀，在表面形成无数的金字塔结构，碱液的温度约
80度，浓度约1~2%，腐蚀时间约15分钟，对于多晶来说，一般采用酸法腐蚀。
（4）扩散制结：扩散的目的在于形成PN结，普遍采用磷做n型掺杂，在扩散前硅片表面的洁净非常重要，要求硅片在制绒后要进行清洗，即用酸来中和硅片表面的碱残留和金属杂质。
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