一种兼具抗硫化和低光衰性能的LED及其制备方法
专利汇可以提供一种兼具抗硫化和低光衰性能的LED及其制备方法专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 公开了一种兼具抗硫化和低光衰性能的LED及其制备方法，其包括：底 基板 及内部金属 导线 连接的两极引脚端和 二极管 芯片；所述的二极管芯片下方依次设置有PCB、金属抗 氧 化层和高折射层；所述的金属抗氧化层上方设置有抗硫化胶层、内封装腔体层和外结构透光层；所述的外结构透光层与抗硫化胶层封胶交叉处设置有密封保护层；本发明提高了其粘接强度、剪切强度、耐热老化及耐温耐湿的性能，且降低了 硅 胶硬度增加、高温使胶体黄变引起低光衰、气体渗透硫化和 体积膨胀系数 高的程度，其结构简单，设计合理，适合广泛推广。，下面是一种兼具抗硫化和低光衰性能的LED及其制备方法专利的具体信息内容。
1.一种兼具抗硫化和低光衰性能的LED及其制备方法，其特征在于：包括底基板(9)及内部金属导线(6)连接的两极引脚端(11)和二极管芯片(7)；所述的二极管芯片(7)下方依次设置有PCB(8)、金属抗氧化层(4)和高折射层(5)；所述的金属抗氧化层(4)上方设置有抗硫化胶层(3)、内封装腔体层(10)和外结构透光层(1)；所述的外结构透光层(1)与抗硫化胶层(3)封胶交叉处设置有密封保护层(2)。
2.根据权利要求1所述的兼具抗硫化和低光衰性能的LED及其制备方法，其特征在于：
所述的底基板(9)材料为陶瓷冲模而成，形状为中央带圆凹槽状的扁圆锥台，其中央凹槽内部与PCB(12)之间设置有绝缘导热层和金属箔层，且绝缘导热层为双面铝基覆铜板。
3.根据权利要求1所述的兼具抗硫化和低光衰性能的LED及其制备方法，其特征在于：
所述的PCB(12)上表面设置的金属抗氧化层(4)为氧化铝/钛/硅涂层薄膜，其上方的高折射层(5)为八苯基环四硅氧烷涂层薄膜。
4.根据权利要求3所述的兼具抗硫化和低光衰性能的LED及其制备方法，其特征在于：
所述的高折射层(5)八苯基环四硅氧烷涂层薄膜的制备方法为：
1)以二苯基二甲氧基硅烷为原料,制备高纯度八苯基环四硅氧烷,采用丙酮为溶剂,二苯基二甲氧基硅烷在其中完全溶解,而八苯基环四硅氧烷微溶,生成的八苯基环四硅氧烷迅速结晶析出。
2)将含有多氯联苯的八苯基环四硅氧烷溶于甲苯中,用硅藻土吸附、过滤,滤液中加入正庚烷,采用重结晶的方法使八苯基环四硅氧烷从混合溶剂中结晶析出,然后将结晶析出的八苯基环四硅氧烷离心、旋转干燥,得到纯化后的八苯基环四硅氧烷。
5.根据权利要求4所述的兼具抗硫化和低光衰性能的LED及其制备方法，其特征在于：
所述的高折射层(5)外环周周设置的抗硫化胶层(3)材料为苯基硅胶。
6.根据权利要求5所述的兼具抗硫化和低光衰性能的LED及其制备方法，其特征在于：
所述的抗硫化胶层(3)苯基硅胶的为内凹碗口状的弧形结构层，其制备方法为：
1)以固体MT型苯基硅树脂为基础胶，引入高交联结构的硅树脂四甲基二氢基二苯基三硅氧烷；分子结构中引入三氟丙基；表面涂覆低透气性涂机聚硅氮烷涂层；乙烯基封端苯基硅油为扩链剂制备网状交联的苯基硅胶。
7.根据权利要求6所述的兼具抗硫化和低光衰性能的LED及其制备方法，其特征在于：
所述的密封保护层(2)与内封装腔体层(10)成锯齿形密封连接，其材料氟苯基硅橡胶的制备方法为：
1)白炭黑相匹配的含氟苯基乙烯基硅油和含氟苯基含氢硅油,以白炭黑补强,固化后获得光学透明的耐热耐溶剂含氟苯基硅橡胶,然后以四甲基己二胺为催化剂,使喷涂在含氟苯基硅橡胶表面的有机聚硅氮烷(OPSZ)实现低温固化及硅质转变，获得具有低气体渗透性的致密氟苯基硅橡胶涂层。
8.根据权利要求1所述的兼具抗硫化和低光衰性能的LED及其制备方法，其特征在于：
所述的外结构透光层(1)与内封装腔体层(10)均为环氧树脂，其制备方法为:
1)在环氧树脂中加入光稳定剂,光稳定剂为无机或有机紫外吸收剂，使用低粘度双酚F型环氧树脂,脂环族环氧树脂并用稀释剂。
2)选用ZnO、TiO2等纳米填料作为无机光稳定剂；邻羟基二苯甲酮类、苯并三唑类和受阻胺等作为有机光稳定剂。
一种兼具抗硫化和低光衰性能的LED及其制备方法
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