专利汇可以提供声波器件、以及使用该声波器件的天线双工器、模块和通信装置专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且一种 声波 器件,包括:衬底(12); 叉指换能器 电极 (13),设置在所述衬底的上表面上;第一布线电极(14、15),设置在所述衬底的上表面上,并连接到所述IDT电极; 电介质 膜(16),不 覆盖 所述第一布线电极的第一区域(18)、但覆盖所述衬底上方的所述第一布线电极的第二区域(19),所述第一布线电极包括所述第二区域(19)中的切口;以及第二布线电极(17),覆盖所述第一区域中的所述第一布线电极的上表面和所述衬底上方的所述第二区域中的所述电介质膜的上表面。所述电介质膜(16)可具有某一膜厚度(T2)和由于下面的切口而导致的逐渐变小的厚度(T1)。该逐渐变小的厚度可以保护IDT电极(13)免受化学降解和机械损坏。,下面是声波器件、以及使用该声波器件的天线双工器、模块和通信装置专利的具体信息内容。
1.一种声波器件,包括:
衬底,包括单晶压电材料;
叉指换能器IDT电极,设置在所述衬底的上表面上;
第一布线电极,设置在所述衬底的上表面上,并连接到所述IDT电极,所述第一布线电极包括第一区域和第二区域;
电介质膜,设置在所述衬底的上表面上以及所述第一布线电极上,所述电介质膜被设置以使得它在所述第一区域中不在所述第一布线电极上延伸并且不覆盖所述第一布线电极,并且在所述第二区域中被设置在所述第一布线电极上并且覆盖所述第一布线电极,所述第一布线电极包括所述第二区域中的切口;以及
第二布线电极,在所述第一区域中设置在所述第一布线电极的上表面上并且覆盖所述第一布线电极的上表面,并且在所述衬底上方的所述第二区域中设置在所述电介质膜的上表面上并且覆盖所述电介质膜的上表面,在所述第一区域和所述第二区域彼此接近的位置周围、从所述电介质膜的边缘延伸到所述第二布线电极的上表面的所述第二布线电极的最薄部分的厚度小于所述第一区域中的所述第二布线电极的厚度,
其中,在所述第二区域中设置在所述第一布线电极上的所述电介质膜的第一部分的厚度小于在不存在所述第一布线电极的所述衬底的区域中覆盖所述衬底的上表面的所述电介质膜的第二部分的厚度。
2.如权利要求1所述的声波器件,其中,所述电介质膜的第一部分的厚度小于所述第二布线电极的厚度。
3.如权利要求1所述的声波器件,其中,所述IDT电极的厚度在0.2μm至0.6μm的范围内。
4.如权利要求3所述的声波器件,其中,所述第一布线电极的厚度在0.2μm至0.6μm的范围内。
5.如权利要求4所述的声波器件,其中,所述第二布线电极的厚度在1.0μm至3.0μm的范围内。
6.如权利要求1至5中任一项所述的声波器件,其中,所述切口包括从所述第一布线电极的边缘朝向所述第一区域延伸而设置的梳齿的图案。
7.如权利要求1至5中任一项所述的声波器件,其中,所述切口为狭缝形状。
8.如权利要求1至5中任一项所述的声波器件,其中,所述切口包括穿过所述第一布线电极设置的、并且从所述第一布线电极的上表面延伸到所述衬底的上表面的通孔。
9.如权利要求1至5中任一项所述的声波器件,其中,所述切口包括设置在所述第一布线电极内的凹陷。
10.一种天线双工器,包括:
发射滤波器;以及
接收滤波器,所述接收滤波器和所述发射滤波器中的至少一个包括如权利要求1至9中任一项所述的声波器件。
11.一种模块,包括:
声波滤波器,包括如权利要求1至9中任一项所述的声波器件。
12.一种通信装置,包括如权利要求1至9中任一项所述的声波器件。
13.一种制造声波器件的方法,所述方法包括:
在衬底的上表面上形成叉指换能器IDT电极;
在所述衬底的上表面上形成第一布线电极,并将所述第一布线电极连接到所述IDT电极,所述第一布线电极包括第一区域和第二区域;
在所述衬底的上表面上以及所述第一布线电极上形成电介质膜,所述电介质膜被形成和设置以便在所述第二区域中覆盖所述第一布线电极并且在所述第一区域中不在所述第一布线电极上延伸并且不覆盖所述第一布线电极;
在所述衬底的上方形成第二布线电极,包括:在所述第一区域中将所述第二布线设置在所述第一布线电极的上表面上并且覆盖所述第一布线电极的上表面;以及在所述第二区域中将所述第二布线电极设置在所述电介质膜的上表面的至少一部分上并且覆盖所述电介质膜的上表面的至少一部分;以及
在所述第二区域中在所述第一布线电极的一部分中形成切口,其包括:在所述第一布线电极的所述部分中形成多个通孔,所述多个通孔从所述第一布线电极的上表面延伸到所述衬底的上表面,
其中,形成所述电介质膜包括:在不存在所述第一布线电极的所述衬底的区域上形成具有第一厚度的所述电介质膜;以及在所述第二区域中在所述第一布线电极上形成具有第二厚度的所述电介质膜,所述第二厚度小于所述第一厚度。
14.一种制造声波器件的方法,所述方法包括:
在衬底的上表面上形成叉指换能器IDT电极;
在所述衬底的上表面上形成第一布线电极,并将所述第一布线电极连接到所述IDT电极,所述第一布线电极包括第一区域和第二区域;
在所述衬底的上表面上以及所述第一布线电极上形成电介质膜,所述电介质膜被形成和设置以便在所述第二区域中覆盖所述第一布线电极并且在所述第一区域中不在所述第一布线电极上延伸并且不覆盖所述第一布线电极;
在所述衬底的上方形成第二布线电极,包括:在所述第一区域中将所述第二布线设置在所述第一布线电极的上表面上并且覆盖所述第一布线电极的上表面;以及在所述第二区域中将所述第二布线电极设置在所述电介质膜的上表面的至少一部分上并且覆盖所述电介质膜的上表面的至少一部分;以及
在所述第二区域中在所述第一布线电极的一部分中形成凹陷,
其中,形成所述电介质膜包括:在不存在所述第一布线电极的所述衬底的区域上形成具有第一厚度的所述电介质膜;以及在所述第二区域中在所述第一布线电极上形成具有第二厚度的所述电介质膜,所述第二厚度小于所述第一厚度。
15.一种制造声波器件的方法,所述方法包括:
在衬底的上表面上形成叉指换能器IDT电极;
在所述衬底的上表面上形成第一布线电极,并将所述第一布线电极连接到所述IDT电极,所述第一布线电极包括第一区域和第二区域;
在所述衬底的上表面上以及所述第一布线电极上形成电介质膜,所述电介质膜被形成和设置以便在所述第二区域中覆盖所述第一布线电极并且在所述第一区域中不在所述第一布线电极上延伸并且不覆盖所述第一布线电极;
在所述衬底的上方形成第二布线电极,包括:在所述第一区域中将所述第二布线设置在所述第一布线电极的上表面上并且覆盖所述第一布线电极的上表面;以及在所述第二区域中将所述第二布线电极设置在所述电介质膜的上表面的至少一部分上并且覆盖所述电介质膜的上表面的至少一部分;以及
在所述第二区域中在所述第一布线电极的一部分中形成梳齿的图案,所述梳齿的图案从所述第一布线电极的边缘朝向所述第一区域延伸,
其中,形成所述电介质膜包括:在不存在所述第一布线电极的所述衬底的区域上形成具有第一厚度的所述电介质膜;以及在所述第二区域中在所述第一布线电极上形成具有第二厚度的所述电介质膜,所述第二厚度小于所述第一厚度。
16.一种声波器件,包括:
衬底,包括单晶压电材料;
叉指换能器IDT电极,设置在所述衬底的上表面上;
第一布线电极,设置在所述衬底的上表面上,并连接到所述IDT电极,所述第一布线电极包括第一区域和第二区域并且包括所述第二区域中的切口;
电介质膜,设置在所述衬底的上表面上以及所述第一布线电极上,所述电介质膜被设置以使得它在所述第一区域中不在所述第一布线电极上延伸并且不覆盖所述第一布线电极,并且在所述第二区域中被设置在所述第一布线电极上并且覆盖所述第一布线电极,在所述第二区域中设置在所述第一布线电极上的所述电介质膜的第一部分的厚度小于在不存在所述第一布线电极的所述衬底的区域中覆盖所述衬底的上表面的所述电介质膜的第二部分的厚度;以及
第二布线电极,在所述第一区域中设置在所述第一布线电极的上表面上并且覆盖所述第一布线电极的上表面,并且在所述第二区域中设置在所述电介质膜的上表面上并且覆盖所述电介质膜的上表面,所述电介质膜的第一部分的厚度小于所述第二布线电极的厚度。
17.如权利要求16所述的声波器件,其中,所述IDT电极的厚度在0.2μm至0.6μm的范围内。
18.如权利要求17所述的声波器件,其中,所述第一布线电极的厚度在0.2μm至0.6μm的范围内。
19.如权利要求18所述的声波器件,其中,所述第二布线电极的厚度在1.0μm至3.0μm的范围内。
20.如权利要求16至19中任一项所述的声波器件,其中,所述切口包括从所述第一布线电极的边缘朝向所述第一区域延伸而设置的梳齿的图案。
21.如权利要求16至19中任一项所述的声波器件,其中,所述切口为狭缝形状。
22.如权利要求16至19中任一项所述的声波器件,其中,所述切口包括穿过所述第一布线电极设置的、并且从所述第一布线电极的上表面延伸到所述衬底的上表面的通孔。
23.如权利要求16所述的声波器件,其中,所述切口包括设置在所述第一布线电极内的凹陷。
24.如权利要求16所述的声波器件,还包括:第三布线电极,设置在所述衬底的上表面上,所述电介质膜覆盖所述第三布线电极,所述第二布线电极设置在所述第三布线电极上方的所述电介质膜的上表面上,并且通过所述电介质膜与所述第三布线电极电绝缘。
25.如权利要求24所述的声波器件,其中,所述电介质膜的第一部分的厚度小于设置在所述第二布线电极和所述第三布线电极之间的所述电介质膜的第三部分的厚度。
26.如权利要求16所述的声波器件,其中,所述电介质膜为二氧化硅。
27.一种声波器件,包括:
衬底,包括单晶压电材料;
叉指换能器IDT电极,设置在所述衬底的上表面上;
第一布线电极,设置在所述衬底的上表面上,并连接到所述IDT电极,所述第一布线电极包括第一区域和第二区域并且包括所述第二区域中的切口,所述切口包括从所述第一布线电极的边缘朝向所述第一区域延伸而设置的梳齿的图案;
电介质膜,设置在所述衬底的上表面上以及所述第一布线电极上,所述电介质膜被设置以使得它在所述第一区域中不在所述第一布线电极上延伸并且不覆盖所述第一布线电极,并且在所述第二区域中被设置在所述第一布线电极上并且覆盖所述第一布线电极;以及
第二布线电极,在所述第一区域中设置在所述第一布线电极的上表面上并且覆盖所述第一布线电极的上表面,并且在所述第二区域中设置在所述电介质膜的上表面上并且覆盖所述电介质膜的上表面,
其中,在所述第二区域中设置在所述第一布线电极上的所述电介质膜的第一部分的厚度小于在不存在所述第一布线电极的所述衬底的区域中覆盖所述衬底的上表面的所述电介质膜的第二部分的厚度。
28.如权利要求27所述的声波器件,其中,在所述第二区域中设置在所述第一布线电极上的所述电介质膜的第一部分的厚度小于所述第二布线电极的厚度。
29.如权利要求27所述的声波器件,其中,所述电介质膜为二氧化硅。
30.一种声波器件,包括:
衬底,包括单晶压电材料;
叉指换能器IDT电极,设置在所述衬底的上表面上;
第一布线电极,设置在所述衬底的上表面上,并连接到所述IDT电极,所述第一布线电极包括第一区域和第二区域并且包括所述第二区域中的切口,所述切口包括在所述第一布线电极中设置的、并且从所述第一布线电极的上表面延伸到所述衬底的上表面的至少一个通孔;
电介质膜,设置在所述衬底的上表面上以及所述第一布线电极上,所述电介质膜被设置以使得它在所述第一区域中不在所述第一布线电极上延伸并且不覆盖所述第一布线电极,并且在所述第二区域中被设置在所述第一布线电极上并且覆盖所述第一布线电极;以及
第二布线电极,在所述第一区域中设置在所述第一布线电极的上表面上并且覆盖所述第一布线电极的上表面,并且在所述第二区域中设置在所述电介质膜的上表面上并且覆盖所述电介质膜的上表面,
其中,在所述第二区域中设置在所述第一布线电极上的所述电介质膜的第一部分的厚度小于在不存在所述第一布线电极的所述衬底的区域中覆盖所述衬底的上表面的所述电介质膜的第二部分的厚度。
31.如权利要求30所述的声波器件,其中,在所述第二区域中设置在所述第一布线电极上的所述电介质膜的第一部分的厚度小于所述第二布线电极的厚度。
32.如权利要求30所述的声波器件,其中,所述至少一个通孔包括在与所述IDT电极的电极指延伸的方向垂直的方向上穿过所述第一布线电极设置的多个通孔。
33.如权利要求30所述的声波器件,其中,在沿所述衬底的上表面的方向上截取的所述至少一个通孔的截面形状是矩形和椭圆形之一。
装置
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