Manufacture of photoconductive infrared detector
专利汇可以提供Manufacture of photoconductive infrared detector专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且PURPOSE:To form a uniform passive-state film on a light receiving part of an n-type HgCdTe without metallic or organic contaminations in a manufacturing step for a photoconductive infrared detector with the n-type HgCdTe. CONSTITUTION:An photoconductive infrared detector 11 with an n-type HgCdTe is mounted on a substrate 16 in a chamber of an ultraviolet-ray aided oxide-film forming apparatus. While zone generated by a silent discharge-type ozonizer 14 is conducted in the chamber, an ultraviolet ray is radiated from a low- pressure mercury lamp 12. Then, an oxygen radical is produced, and a passive- state film is produced on the light receiving part of the photoconductive infrared detector 11.，下面是Manufacture of photoconductive infrared detector专利的具体信息内容。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光伝導型赤外線検出器の製造方法に関し、とくに化合物半導体の不働態皮膜の形成方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】化合物半導体を用いた光伝導型赤外線検出器はＩＩ−ＶＩ属化合物半導体、例えばｎ型ＨｇＣｄ
Ｔｅを用いており、通常８〜１５素子の受光部が一列に配列されている。 上記ｎ型ＨｇＣｄＴｅ表面の不働態皮膜は、正の固定電荷として上記ｎ型ＨｇＣｄＴｅの少数キャリアの表面再結合を抑制し、赤外線検出器の出力信号を増大するため、受光部の表面、裏面及び側面に形成されている。
【０００３】従来、上記ｎ型ＨｇＣｄＴｅの不働態皮膜形成方法としては，図３に示すように０．１Ｍ ＫＯＨ
−９０％エチレングリコール溶液３６中にてＰｔ、Ｉ
ｒ、Ｃ当の陰極３５に対してサファイアウェハー３２上の上記ｎ型ＨｇＣｄＴｅ３１を作用極として接続し、１
２〜２６Ｖの化成電圧を印加した湿式陽極酸化法で行われていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】湿式陽極酸化法によって均一な不働態皮膜を形成するためには、作用極３１に流れ込む電流分布が一様でなければならない。 しかしながら、上記赤外線検出器の受光部のように複雑な形状を有する作用極３１を用いて湿式陽極酸化処理を施すと、
電流は作用極３１の細部及び鋭角部に優先的に分布する。 その結果、形成された不働態皮膜は不均一な皮膜となり、時には過剰電流によって上記細部及び鋭角部が上記電解液中に溶解する。
【０００５】また湿式陽極酸化法では、作用極であるｎ
型ＨｇＣｄＴｅ３１に化成電圧を印加するための電極３
３の形成を行なう。 上記金属電極３３は通常蒸着法などによるＡｕやＴｉからなるが、上記電解液と接触しないよう電気絶縁性ワックス３４で被覆する必要がある。 上記電気絶縁性ワックス３４及び電極３３は上記湿式陽極酸化法により不働態皮膜形成後は、不要となるため、洗浄及びエッチングによって除去しなければならない。 上記工程は、赤外線検出器製造工程を複雑にするばかりでなく、有機物及び金属により汚染も招く。
【０００６】湿式陽極酸化法によって生じる上記問題点は、いずれも赤外線検出器の特性劣化の原因となることから、乾式不働態皮膜形成法として図４に示すプラズマ陽極酸化が提案された。 しかしながら上記プラズマ陽極酸化法においても、不働態皮膜形成を施す作用極４１にバイアスを印加することによって不働態皮膜が不均一となり，また形成された不働態皮膜は上記赤外線検出器の固定電荷として不適（０．５〜２．５Ｖ）であるため、
上記赤外線検出器の不働態皮膜形成方法としては適していない。
【０００７】
【課題を解決するための手段】以上のような問題点を解決すべく本発明の赤外線検出器の製造方法は、化合物半導体を用いた赤外線検出器の不働態皮膜をオゾンガスを用いた紫外線助成酸化膜形成法によって形成することを特徴としている。
【０００８】
【実施例】本発明の不働態皮膜の形成方法を図を用いて以下に詳細に説明する。
【０００９】図１はオゾンガスを用いた紫外線助成酸化皮膜形成装置の概略図、また図２は不働態皮膜を形成する赤外線検出器１１の構造を示した図である。 図２でｎ
型ＨｇＣｄＴｅ２１は、研磨及びエッチングにより鏡面状に仕上げサファイアウェハー２２に貼付せる。 次に受光部となる部分を除いて金属電極２３、ここではＣｒ
（５００Ａ）、Ａｕ（５００Ａ）を順に蒸着法によって形成した後、イオンミリングによって赤外線検出器の形状に加工する。
【００１０】上記工程によって製造した赤外線検出器１
１を不働態皮膜形成装置チャンバー内の基板１６上におき、無声放電式オゾン発生器１４で発生した約１０％オゾンをチャンバー内に導入する。 次に２５４ｎｍにピーク波長をもつ低圧水銀ランプ１２によって紫外線を照射し、オゾンを分解して酸素ラジカルを生成する。 この酸素ラジカラル雰囲気中において、赤外線検出器１１の受光部となるｎ型ＨｇＣｄＴｅ２１の不働態皮膜を形成するが、成膜条件は基板温度８０℃、酸化時間１５分である。 なお図１では１３はランプ電源、１５は高圧電源、
１７は湿度コントローラ、１８オゾンスクラバー、１９
はＮ 2供給バルブ、２０はＯ 2供給バルブである。
【００１１】以上に示したように本発明の不働態皮膜形成方法は、乾式膜法でバイアスの印加を必要としない。
また、低圧水銀ランプ１２がもつ第２のピーク波長である１８５ｎｍの紫外線によって有機物が活性化されることから、不働態皮膜の形成と同時に受光部上の汚染有機物の清浄が進行するという特徴がある。 すなわち、赤外線検出１１が有機物及び金属などに汚染されることなく受光部に均一な不働態皮膜が形成することができる。 また、本発明の手法において形成したｎ型ＨｇＣｄＴｅの不働態皮膜は、湿式陽極酸化法による不働態皮膜と同様、１０Ｖの固定電荷となることが確認され、これは赤外線検出器の不働態皮膜としての動きを充分満足するものである。
【００１２】
【発明の効果】以上に詳述したように、本発明の赤外線検出器の製造法によれば、紫外線／オゾン法によって有機物及び金属に汚染されることなく、均一なＨｇＣｄＴ
ｅの不働態皮膜を作成することが可能となる。
【図１】本発明の不働態皮膜形成装置の概略図である。
【図２】赤外線検出の構造の例を示す図。
【図３】湿式陽極酸化法による不働態皮膜形成装置の概略図。
【図４】プラズマ陽極酸化法による不働態皮膜形成装置の概略図。
１１…赤外線検出器 １２…低圧水銀ランプ １３…ランプ電源 １４…無声放電式オゾン発生器 １５…高圧電源 １６…基板 １７…温度コントローラ １８…オゾンスクラバー １９…Ｎ 2供給バルブ ２０…Ｏ 2供給バルブ ２１…ｎ型ＨｇＣｄＴｅ ２２…サファイア ２３…電極 ３１…ｎ型ＨｇＣｄＴｅ ３２…サファイアウェハー ３３…電極（ＡｕあるいはＴｉ） ３４…電気絶縁ワックス ３５…対極 ３６…電解液（０．１Ｍ ＫＯＨ−９０％エチレングリコール） ３９…直流電源 ４１…赤外線検出器
| 标题 | 发布/更新时间 | 阅读量 |
|---|---|---|
| 一种银铋硫薄膜光电探测器及其制备方法 | 2020-05-13 | 561 |
| 一种稳定的高性能钙钛矿光电探测器及其制备方法 | 2020-05-13 | 602 |
| 基于8-羟基喹啉铝/金属异质结的热电子光电探测器 | 2020-05-16 | 601 |
| 与DBR包层及反射镜单片集成的波导光探测器 | 2020-05-12 | 229 |
| 4π空间全景放射源定位系统及方法 | 2020-05-12 | 560 |
| 一种显示面板及其制作方法 | 2020-05-13 | 720 |
| 光学指纹识别电路 | 2020-05-14 | 607 |
| 有机电子器件真空溅射混合光固化树脂封装工艺 | 2020-05-14 | 475 |
| 一种紫外光电探测器及其制备方法 | 2020-05-08 | 761 |
| 一种用于测量放射性惰性气体活度的探测器 | 2020-05-17 | 855 |
高效检索全球专利专利汇是专利免费检索,专利查询,专利分析-国家发明专利查询检索分析平台，是提供专利分析，专利查询，专利检索等数据服务功能的知识产权数据服务商。
我们的产品包含105个国家的1.26亿组数据，免费查、免费专利分析。
专利汇分析报告产品可以对行业情报数据进行梳理分析，涉及维度包括行业专利基本状况分析、地域分析、技术分析、发明人分析、申请人分析、专利权人分析、失效分析、核心专利分析、法律分析、研发重点分析、企业专利处境分析、技术处境分析、专利寿命分析、企业定位分析、引证分析等超过60个分析角度，系统通过AI智能系统对图表进行解读，只需1分钟，一键生成行业专利分析报告。
