一种透光电极及其制备方法
专利汇可以提供一种透光电极及其制备方法专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 公开了一种透光 电极 及其制备方法。本发明所提供的透光电极，包括透明衬底和位于透明衬底上的多晶 硅 层。本发明用 多晶硅 薄膜 作为透光电极可以兼顾透光率、 稳定性 和低成本等基本要素。原料可以是非晶硅， 单晶硅 尾料，也是硅的其他化合物；制备工艺可以用成本很低的 磁控溅射 或 电子 束 蒸发 等， 真空 在10－5托以上即可。与采用薄金属透光电极相比，透光率高且稳定。与ITO薄膜相比，材料和工艺成本均较低。本发明的透光电极在无机薄膜，有机薄膜和 半导体 发光，以及光电器件和 光探测器 等方面也有广泛用途。，下面是一种透光电极及其制备方法专利的具体信息内容。
1、一种透光电极，包括透明衬底和位于透明衬底上的多晶硅层。
2、根据权利要求1所述的透光电极，其特征在于：所述多晶硅层厚度为10- 100nm。
3、权利要求1所述透光电极的制备方法，在透明衬底上直接沉积上多晶硅层。
4、根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于：所述直接沉积多晶硅层是先 在衬底上沉积非晶硅层，然后，非晶硅层在900-1100℃下退火形成多晶硅层，得到 所述透光电极。
5、根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于：所述直接沉积多晶硅层是在 衬底上沉积非晶硅层的同时，在900-1100℃下加热使衬底上沉积的非晶硅层退火形 成多晶硅层，得到所述透光电极。
6、根据权利要求3或4或5所述的制备方法，其特征在于：所述多晶硅层厚度 为10-100nm。
7、权利要求1所述透光电极的制备方法，是在透明衬底上沉积非晶硅层，然后 在非晶硅层上沉积Ni层或Al层，接着在450-650℃下退火20min-48h形成多晶硅 层，最后清洗去Ni层或Al层，得到所述透光电极。
8、根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于：所述非晶硅层厚度为10- 100nm；所述Ni层或Al层的厚度为1-10nm。
9、根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于：清洗采用盐酸或硝酸溶液。
技术领域
背景技术
对于透光电极，可选择的材料比较多，但最终必须在透光率和导电性之间求得平 衡。在有机发光方面，目前采用较多的有ITO和薄Al/Ag或LiF/Al/Ag复合层(Al常 为nm量级)，并多用作阴极。但是，前者因为淀积ITO很容易损坏有机发光层，对于 设备与工艺有很高的要求；而后者导致器件内量子效率低，而且反射严重，透光率较 低，另外稳定性也较差。
发明内容
本发明所提供的透光电极，包括透明衬底和位于透明衬底上的多晶硅层。
为了提高电极的稳定性和电接触性能，多晶硅膜应在10nm的厚度以上。为保证 较高的透光率，这个厚度应在100nm以下。如果用于红外波段，可以把厚度提高至微 米量级。
在使用时可以根据需要，在上述顶电极加上任何图形的模版。
该电极可以采用如下两种方法制备：
第一种，直接在衬底上沉积多晶硅层；
这里，直接沉积多晶硅层可以先在衬底上沉积非晶硅层，然后，非晶硅层在900 -1100℃下退火形成多晶硅层；或者，在沉积非晶硅层的同时，在900-1100℃下加 热使衬底上沉积的非晶硅层退火形成多晶硅层，得到所述透光电极。
这里，沉积可以采用磁控溅蒸发，电子束蒸发，离子束蒸发，分子外延蒸发或气 相化学沉积等方式。
第二种，是在透明衬底上沉积非晶硅层，然后在非晶硅层上沉积Ni层或Al层， 接着在450-650℃下退火20min-48h形成多晶硅层，最后清洗去Ni层或Al层，得 到所述透光电极。
这里，沉积也可以采用磁控溅蒸发，电子束蒸发，离子束蒸发，分子外延蒸发或 气相化学沉积等方式。
非晶硅层厚度为10-100nm；所述Ni层或Al层的厚度为1-10nm。清洗可采用 盐酸或硝酸溶液。
本发明用多晶硅薄膜作为透光电极可以兼顾透光率、稳定性和低成本等基本要 素。原料可以是非晶硅，单晶硅尾料，也是硅的其他化合物；制备工艺可以用成本很 低的磁控溅射或电子束蒸发等，真空在10-5托以上即可。与采用薄金属透光电极相比， 透光率高且稳定。与ITO薄膜相比，材料和工艺成本均较低。本发明的透光电极在无 机薄膜，有机薄膜和半导体发光，以及光电器件和光探测器等方面也有广泛用途。
具体实施方式
用磁控溅射设备，在玻璃衬底上沉积非晶硅薄膜25nm，然后再沉积2nm Ni。要 求真空度10-5托以上，材料纯度在99.99％以上，所用的硅靶材为单晶硅。取出样品在 氮气保护下600℃退火(晶化)30分钟，然后，以稀硝酸清洗去Ni层，得到带有多 晶硅薄膜层的电极。经测试，该电极的可见透光率为60％，红外透光率约为80％， 导电性能稳定。
实施例2、用化学气相沉积制备多晶硅薄膜
用常规等离子增强化学气相沉积设备，衬底是玻璃，反应气体是硅烷，用Ar气 稀释，在衬底上沉积70nm非晶硅薄膜，然后在真空中950℃退火120min，得到带有 多晶硅薄膜层的电极。经测试，该电极的可见透光率为40％，红外透光率约为60％， 导电性能稳定。
实施例3、直接沉积制备多晶硅层
用磁控溅射设备在石英衬底上进行沉积，在沉积同时，衬底原位加热至1050℃， 真空度10-5托以上，硅单晶靶材料纯度在99.99％以上，在石英衬底上沉积25mm厚的 多晶硅薄膜层，即得到带有多晶硅薄膜层的电极。经测试，该电极的可见透光率为60 ％，红外透光率约为80％，导电性能稳定。
实施例4、
用磁控溅射设备，在玻璃衬底上沉积非晶硅薄膜50nm，然后再沉积8nm Al。要 求真空度10-5托以上，材料纯度在99.99％以上，所用的硅靶材为单晶硅。取出样品在 氮气保护下500℃退火(晶化)1小时，然后，以稀盐酸清洗去Al层。此时，可见透 光率为50％，红外透光率约为70％，导电性能稳定。
| 标题 | 发布/更新时间 | 阅读量 |
|---|---|---|
| 一种银铋硫薄膜光电探测器及其制备方法 | 2020-05-13 | 561 |
| 一种稳定的高性能钙钛矿光电探测器及其制备方法 | 2020-05-13 | 602 |
| 基于8-羟基喹啉铝/金属异质结的热电子光电探测器 | 2020-05-16 | 601 |
| 与DBR包层及反射镜单片集成的波导光探测器 | 2020-05-12 | 229 |
| 4π空间全景放射源定位系统及方法 | 2020-05-12 | 560 |
| 一种显示面板及其制作方法 | 2020-05-13 | 720 |
| 光学指纹识别电路 | 2020-05-14 | 607 |
| 有机电子器件真空溅射混合光固化树脂封装工艺 | 2020-05-14 | 475 |
| 一种紫外光电探测器及其制备方法 | 2020-05-08 | 761 |
| 一种用于测量放射性惰性气体活度的探测器 | 2020-05-17 | 855 |
高效检索全球专利专利汇是专利免费检索,专利查询,专利分析-国家发明专利查询检索分析平台，是提供专利分析，专利查询，专利检索等数据服务功能的知识产权数据服务商。
我们的产品包含105个国家的1.26亿组数据，免费查、免费专利分析。
专利汇分析报告产品可以对行业情报数据进行梳理分析，涉及维度包括行业专利基本状况分析、地域分析、技术分析、发明人分析、申请人分析、专利权人分析、失效分析、核心专利分析、法律分析、研发重点分析、企业专利处境分析、技术处境分析、专利寿命分析、企业定位分析、引证分析等超过60个分析角度，系统通过AI智能系统对图表进行解读，只需1分钟，一键生成行业专利分析报告。
