专利汇可以提供基于受激布里渊散射的高灵敏度光矢量网络分析仪专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本 发明 公开了一种基于 受激布里渊散射 的光 矢量网络分析仪 ,所述分析仪包括窄线宽 激光器 、光 耦合器 、偏振 控制器 、强度 调制器 、光隔离器、 滤波器 、色散位移光纤、环形器、光电探测器、矢量网络分析仪、 微波 信号 源、 光 放大器 。本发明基于光纤中的受激布里渊散射效应,使得光滤波之后的 光信号 的载波被受激布里渊散射进行衰减,同时通过两次测试 光子 无源器件的幅度和 相位 响应,扣除高阶边带引入的测试误差,从而提高光矢量网路分析仪的测试 精度 。,下面是基于受激布里渊散射的高灵敏度光矢量网络分析仪专利的具体信息内容。
1.一种基于受激布里渊散射的光矢量网络分析仪,其特征在于,该分析仪包括:
窄线宽激光器,用于提供连续光信号;
光耦合器,与所述窄线宽激光器连接,用于将所述窄线宽激光器发出的连续光分为等功率的两路光信号;
第一偏振控制器,输入端口与所述光耦合器的一个输出端口连接,输出端口与第一强度控制器的输入端口连接,用于调节所述光耦合器输出的一路光信号的偏振态,使得进入所述第一强度调制器的光信号的偏振方向对准所述第一强度调制器入射端口的起偏方向;
第一强度调制器,与所述第一偏振控制器连接,用于对于接收到的光信号进行强度调制,使得经过强度调制后的光信号产生光载波和调制边带,并经过光隔离器入射到第一带通光滤波器;
光隔离器,与所述第一强度调制器连接,用于防止反向而来的受激布里渊散射的泵浦光进入所述第一强度调制器;
第一光带通滤波器,与所述光隔离器连接,用于对于接收到的光信号进行单边带处理;
色散位移光纤,与所述第一光带通滤波器连接,用于发生受激布里渊散射;
环形器,其第一端口与第三偏振控制器的输出端口连接,第二端口与所述色散位移光纤的输出端口连接,第三端口与待测器件的输入端口连接,用于对于光信号进行路由;
待测器件,输入端口与所述环形器的第三端口连接,输出端口与光电探测器的输入端口连接;
光电探测器,输入端口与所述待测器件的输出端口连接,输出端口与矢量网络分析仪的输入端口连接,用于将所述待测器件9输出的光信号转化为电信号输出给所述矢量网络分析仪,以对待测器件的频响进行响应;
矢量网络分析仪,输入端口与所述光电探测器的输出端口连接,输出端口与所述第一强度调制器的射频端口连接,用于在扫频模式下测量待测器件的频率响应,并将其作为所述第一强度调制器的调制信号;
第二偏振控制器,输入端口与所述光耦合器的另一个输出端口连接,输出端口与第二强度调制器的输入端口连接,用于调节所述光耦合器输出的另一路光信号的偏振态,使得进入所述第二强度调制器的光信号的偏振方向对准所述第二强度调制器入射端口的起偏方向;
第二强度调制器,与所述第二偏振控制器连接,用于对于接收到的光信号进行强度调制;
第二光带通滤波器,输入端口与所述第二强度调制器的输出端口连接,用于对于接收到的光信号进行边带处理;
光放大器,输入端口与所述第二光带通滤波器的输出端口连接,用于放大滤波之后的光信号,补偿光带通滤波器引起的光功率的损耗;
第三偏振控制器,输入端口与光放大器的输出端口连接,输出端口与环形器的第一端口相连,用于调节滤波后的光信号的偏振态。
2.根据权利要求1所述的分析仪,其特征在于,所述第一强度调制器中的强度调制为大信号调制。
3.根据权利要求1所述的分析仪,其特征在于,所述第一光带通滤波器中的单边带处理为滤除调制边带的上边带,仅仅剩余下边带。
4.根据权利要求1所述的分析仪,其特征在于,所述第二强度调制器加载的微波调制信号来自于外部宽带微波信号源。
5.根据权利要求4所述的分析仪,其特征在于,所述微波调制信号的频率为10.5GHz。
6.根据权利要求4所述的分析仪,其特征在于,所述微波信号源的输出端口与所述第二强度调制器的射频端口连接。
7.根据权利要求1所述的分析仪,其特征在于,所述第二光带通滤波器中的边带处理为滤除光载波和其余的光边带,仅仅剩余+1阶调制边带。
8.根据权利要求1所述的分析仪,其特征在于,所述第二强度调制器、微波信号源、光滤波器和光放大器由双平衡马赫曾德调制器、宽带微波源和90度移相器替代,来实现光信号的移频。
9.根据权利要求8所述的分析仪,其特征在于,所述双平衡马赫曾德调制器的输入端口与所述第二偏振控制器的输出端口连接,输出端口与所述第三偏振控制器的输入端口连接,用于对于接收的光信号进行移频处理;
所述宽带微波源产生的微波信号通过微波功分器分为强度相等的两束微波信号,其中一路输入至所述双平衡马赫曾德调制器的射频输入端口,另一路输入至所述90度移相器;
所述90度移相器的输入端口与微波源功分器的一个输出端口连接,输出端口与所述双平衡马赫曾德调制器的另一个射频输入端口连接。
10.根据权利要求1所述的分析仪,其特征在于,所述窄线宽激光器为半导体激光器或光纤激光器;和/或,
所述偏振控制器为光纤结构/波导结构的偏振控制器,或空间结构的偏振控制器;和/或,
所述强度调制器为铌酸锂晶体的调制器、半导体聚合物的调制器或有机聚合物的调制器;和/或,
所述微波信号源为矢量网络分析仪或微波信号源;和/或,
所述色散位移光纤为掺锗高非线性光纤或硫化物高非线性光纤;和/或,所述光带通滤波器为基于硅基液晶技术的波形整形器、光滤波器、波分复用器或光纤光栅;和/或,
所述光电探测器为光电二极管或光电倍增管;和/或,
所述光电探测器由磷化铟材料制成或由硅基材料制成。
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