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磁 传感器及磁 传感器系统

阅读：539发布：2020-05-11

专利汇可以提供磁传感器及磁传感器系统专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本发明提供一种磁传感器，具备磁场转换部、磁场检测部、以沿着Y方向排列的方式配置的多个屏蔽件。磁场转换部包含多个磁轭。各磁轭具有Y方向上较长的形状，接收与Z方向平行的方向的输入磁场成分，并生成与X方向平行的方向的输出磁场成分。磁场检测部包含多个元件列。各元件列包含沿着一个磁轭且沿着Y方向排列并串联地连接的多个MR元件。各屏蔽件具有Y方向上的最大的尺寸比X方向上的最大的尺寸小的形状。，下面是磁传感器及磁传感器系统专利的具体信息内容。

权利要求

1.一种磁传感器，其特征在于，
具备磁场转换部、磁场检测部、由软磁性体构成且相互分离的多个屏蔽件，所述磁场转换部包含由软磁性体构成的一个以上的磁轭，
所述一个以上的磁轭各自以接收相对于所述磁传感器的输入磁场，并产生输出磁场的方式构成，
所述输入磁场包含与第一方向平行的方向的输入磁场成分，
所述一个以上的磁轭各自具有沿着与所述第一方向平行的方向观察时，在与所述第一方向交叉的第二方向上较长的形状，
所述输出磁场包含平行于与所述第一方向及第二方向交叉的第三方向的方向的输出磁场成分，该输出磁场成分根据所述输入磁场成分变化，
所述磁场检测部生成依赖于所述输出磁场成分的检测信号，
所述磁场检测部包含一个以上的磁检测元件，
所述一个以上的磁检测元件各自接收所述输出磁场，并生成根据所述输出磁场成分变化的检测值，
所述检测信号依赖于所述检测值，
所述多个屏蔽件以沿着与所述第一方向平行的方向观察时，沿着所述第二方向排列且与所述磁场转换部及所述磁场检测部重叠的方式配置，
所述多个屏蔽件各自具有沿着与所述第一方向平行的方向观察时，所述第二方向上的最大的尺寸比所述第三方向上的最大的尺寸小的形状。
2.根据权利要求1所述的磁传感器，其特征在于，
所述磁场检测部中，作为所述一个以上的磁检测元件而包含多个磁检测元件，沿着与所述第一方向平行的方向观察时，所述多个磁检测元件各自位于所述多个屏蔽件中的任一个屏蔽件的外缘的内侧。
3.根据权利要求2所述的磁传感器，其特征在于，
所述磁场转换部中，作为所述一个以上的磁轭而包含多个磁轭，
沿着与所述第一方向平行的方向观察时，所述多个磁轭各自位于所述多个屏蔽件中的任一个屏蔽件的外缘的内侧。
4.根据权利要求2所述的磁传感器，其特征在于，
所述多个磁检测元件构成一个以上的元件列，
所述一个以上的元件列各自包含沿着所述一个以上的磁轭且沿着所述第二方向排列并串联地连接的所述多个磁检测元件中的两个以上。
5.根据权利要求4所述的磁传感器，其特征在于，
所述一个以上的元件列为多个元件列，
所述磁场检测部包含：施加规定的电压的电源端口、连接于地面的接地端口、输出端口、设置于所述电源端口与所述输出端口之间的第一电阻部、设置于所述输出端口与所述接地端口之间的第二电阻部，
所述第一及第二电阻部各自包含所述多个元件列中的一个以上，
所述检测信号依赖于所述输出端口的电位。
6.根据权利要求4所述的磁传感器，其特征在于，
所述一个以上的元件列为四个以上的元件列，
所述磁场检测部包含：施加规定的电压的电源端口、连接于地面的接地端口、第一输出端口、第二输出端口、设置于所述电源端口与所述第一输出端口之间的第一电阻部、设置于所述第一输出端口与所述接地端口之间的第二电阻部、设置于所述电源端口与所述第二输出端口之间的第三电阻部、和设置于所述第二输出端口与所述接地端口之间的第四电阻部，
所述第一～第四电阻部的各自包含所述四个以上的元件列中的一个以上，所述检测信号依赖于所述第一输出端口与所述第二输出端口的电位差。
7.根据权利要求1所述的磁传感器，其特征在于，
所述第一方向、第二方向及第三方向相互正交。
8.根据权利要求1所述的磁传感器，其特征在于，
所述一个以上的磁检测元件各自为磁阻效应元件，
所述磁阻效应元件包含具有规定方向的磁化的磁化固定层和具有根据所施加的磁场方向能够变化的磁化的自由层，
所述检测值根据所述自由层的磁化的方向相对于所述磁化固定层的磁化的方向构成的角度而变化。
9.根据权利要求8所述的磁传感器，其特征在于，
所述磁化固定层的磁化的方向为与所述第三方向平行的方向。
10.根据权利要求1所述的磁传感器，其特征在于，
所述输入磁场除了所述输入磁场成分之外，还包含与所述第二方向平行的方向的磁场成分。
11.一种磁传感器系统，其特征在于，
具备：
权利要求1所述的磁传感器；和
产生规定的磁场的磁场产生部，
所述磁传感器和所述磁场产生部以作为所述规定磁场的一部分的部分磁场被施加于所述磁传感器的方式构成，
所述部分磁场包含与所述第一方向平行的方向的第一磁场成分和与所述第二方向平行的方向的第二磁场成分，
所述输入磁场为所述部分磁场，
所述输入磁场成分为所述第一磁场成分。
12.根据权利要求11所述的磁传感器系统，其特征在于，
所述磁传感器和所述磁场产生部以所述磁场产生部相对于所述磁传感器的相对位置变化时，所述第一磁场成分变化的方式构成。

说明书全文

磁传感器及磁 传感器系统

技术领域

[0001] 本发明涉及一种磁传感器及包含该磁传感器的磁传感器系统。

背景技术

[0002] 近年来，磁传感器在各种用途中被利用。作为磁传感器，已知有使用了设置于基板上的自旋阀型的磁阻效应元件的磁传感器。自旋阀型的磁阻效应元件具有：具有方向被固定的磁化的磁化固定层、具有方向可根据施加磁场的方向而变化的磁化的自由层、配置于磁化固定层与自由层之间的间隙层。设置于基板上的自旋阀型的磁阻效应元件在大多情况下以相对于与基板的面平行的方向的磁场具有灵敏度的方式构成。

[0003] 另一方面，在包含磁传感器的系统中，有时利用设置于基板上的磁阻效应元件检测与基板的面垂直的方向的磁场。作为实现该情况的磁传感器，已知有具备由软磁性体构成的一个以上的磁场转换元件的磁传感器。磁场转换元件将与基板的面垂直的方向的磁场转换成与基板的面平行的方向的磁场，并赋予于磁阻效应元件。这种磁传感器在例如中国专利申请公开第103901363A号说明书、中国专利申请公开第107976644A号说明书中有记载。

[0004] 中国专利申请公开第103901363A号说明书中记载有具备基板、多个磁阻检测元件、和至少一个磁通导向件的磁阻传感器。磁通导向件将Z轴方向的外部磁场转换成X轴方向的磁场成分。各磁阻检测元件检测来自磁通导向件的X轴方向的磁场成分。磁通导向件具有与Y轴平行的长轴和与X轴平行的短轴。磁通导向件与上述的磁场转换元件对应。中国专利申请公开第103901363A号说明书中记载了磁通导向件遮蔽Y轴方向的外部磁场。

[0005] 中国专利申请公开第107976644A号说明书中记载有包含配置于Z轴方向的不同的位置的第一软磁性层及第二软磁性层、和设置于第一软磁性层与第二软磁性层之间的磁检测元件的磁场检测装置。第一软磁性层包含与XY平面平行的第一平坦面，第二软磁性层包含与XY平面平行的第二平坦面，第一平坦面与第二平坦面相互对置。在第一平坦面和第二平坦面的至少一方形成有一个以上的凸部。凸部将由Z轴方向的外部磁场成分产生的磁通以沿着作为磁检测元件的磁敏方向的XY平面的方式弯曲，并向磁检测元件引导。凸部与上述的磁场转换元件对应。第一及第二软磁性层相对于沿着XY平面的方向的外部磁场成分发挥屏蔽件效果。

[0006] 另外，中国专利申请公开第107976644A号说明书中记载了，将第一及第二软磁性层各自的X轴方向的尺寸和Y轴方向的尺寸分别设为LX、LY时，将LX/LY设为1以上且4以下，由此，利用第一及第二软磁性层，从而能够更有效地防止Y轴方向的外部磁场对磁检测元件的影响。

[0007] 具备上述的磁场转换元件的磁传感器中，当施加与基板的面平行的方向的磁场时，由于该磁场，存在磁传感器的检测信号中产生误差，或磁传感器的灵敏度降低的问题点。

[0008] 中国专利申请公开第103901363A号说明书中记载了，如上所述，磁通导向件遮蔽Y轴方向的外部磁场。但是，特别是在Y轴方向的外部磁场的强度较大的情况下，仅利用磁通导向件，有时难以充分遮蔽Y轴方向的外部磁场。

[0009] 因此，考虑对具备磁场转换元件的磁传感器追加中国专利申请公开第107976644A号说明书所记载的软磁性层那样的屏蔽件。

[0010] 但是，了解到在具备多个磁阻效应元件和一个以上的磁场转换元件的磁传感器中，即使以覆盖所有的磁阻效应元件及磁场转换元件的方式设置屏蔽件，有时该屏蔽件也不能发挥充分的屏蔽效果。

发明内容

[0011] 本发明的目的在于，提供一种具备磁场检测部和将输入磁场中的规定方向的输入磁场成分转换成输出磁场成分并赋予至磁场检测部的磁场转换部的磁传感器以及包含该磁传感器的磁传感器系统，该磁传感器能够抑制输入磁场在除了输入磁场成分之外，还包含输入磁场成分的方向以外的方向的磁场成分的情况下的问题的产生。

[0012] 本发明的磁传感器具备：磁场转换部、磁场检测部、由软磁性体构成且相互分离的多个屏蔽件。磁场转换部包含由软磁性体构成的一个以上的磁轭。一个以上的磁轭各自以接收相对于磁传感器的输入磁场，并产生输出磁场的方式构成。输入磁场包含与第一方向平行的方向的输入磁场成分。一个以上的磁轭各自具有沿着与第一方向平行的方向观察时，在与第一方向交叉的第二方向上较长的形状。输出磁场包含平行于与第一方向及第二方向交叉的第三方向的方向的输出磁场成分，该平行于第三方向的方向的输出磁场成分根据输入磁场成分变化。

[0013] 磁场检测部生成依赖于输出磁场成分的检测信号。磁场检测部包含一个以上的磁检测元件。一个以上的磁检测元件各自接收输出磁场，并生成根据输出磁场成分变化的检测值。检测信号依赖于检测值。

[0014] 多个屏蔽件以沿着与第一方向平行的方向观察时，沿着第二方向排列，且与磁场转换部及磁场检测部重叠的方式配置。多个屏蔽件各自具有沿着与第一方向平行的方向观察时，第二方向上的最大的尺寸比第三方向上的最大的尺寸小的形状。

[0015] 本发明的磁传感器中，磁场检测部中，也可以作为一个以上的磁检测元件而包含多个磁检测元件。沿着与第一方向平行的方向观察时，多个磁检测元件各自也可以位于多个屏蔽件中的任一个屏蔽件的外缘的内侧。

[0016] 另外，磁场转换部中，也可以作为一个以上的磁轭而包含多个磁轭。沿着与第一方向平行的方向观察时，多个磁轭各自也可以位于多个屏蔽件中的任一个屏蔽件的外缘的内侧。

[0017] 另外，多个磁检测元件也可以构成一个以上的元件列。一个以上的元件列各自也可以包含沿着一个以上的磁轭且沿着第二方向排列并串联地连接的多个磁检测元件中的两个以上。

[0018] 另外，一个以上的元件列也可以是多个元件列。另外，磁场检测部也可以包含：施加规定的电压的电源端口、连接于地面的接地端口、输出端口、设置于电源端口与输出端口之间的第一电阻部、设置于输出端口与接地端口之间的第二电阻部。在该情况下，第一及第二电阻部各自也可以包含多个元件列中的一个以上。另外，检测信号也可以依赖于输出端口的电位。

[0019] 另外，一个以上的元件列也可以是四个以上的元件列。另外，磁场检测部也可以包含：施加规定的电压的电源端口、连接于地面的接地端口、第一输出端口、第二输出端口、设置于电源端口与第一输出端口之间的第一电阻部、设置于第一输出端口与接地端口之间的第二电阻部、设置于电源端口与第二输出端口之间的第三电阻部、设置于第二输出端口与接地端口之间的第四电阻部。在该情况下，第一～第四电阻部各自也可以包含四个以上的元件列中的一个以上。另外，检测信号也可以依赖于第一输出端口与第二输出端口的电位差。

[0020] 另外，本发明的磁传感器中，第一方向、第二方向及第三方向也可以相互正交。

[0021] 另外，本发明的磁传感器中，一个以上的磁检测元件各自也可以是磁阻效应元件。磁阻效应元件包含：具有规定方向的磁化的磁化固定层、具有方向可根据施加的磁场而变化的磁化的自由层。检测值根据自由层的磁化的方向相对于磁化固定层的磁化的方向构成的角度而变化。磁化固定层的磁化的方向也可以是与第三方向平行的方向。

[0022] 另外，本发明的磁传感器中，输入磁场中，除了输入磁场成分之外，也可以包含与第二方向平行的方向的磁场成分。

[0023] 本发明的磁传感器系统，具备本发明的磁传感器和产生规定的磁场的磁场产生部。磁传感器和磁场产生部以向磁传感器施加作为规定磁场的一部分的部分磁场的方式构成。部分磁场包含与第一方向平行的方向的第一磁场成分和与第二方向平行的方向的第二磁场成分。输入磁场为部分磁场。输入磁场成分为第一磁场成分。

[0024] 本发明的磁传感器系统中，磁传感器和磁场产生部也可以以以下方式构成，即，磁场产生部相对于磁传感器的相对位置变化时，第一磁场成分变化。

[0025] 根据本发明的磁传感器及磁传感器系统，通过具备多个屏蔽件，从而能够抑制在输入磁场在除了输入磁场成分之外，还包含输入磁场成分的方向以外的方向的磁场成分的情况下的问题的产生。

[0026] 本发明的其它的目的、特征及优点根据以下的说明将变得充分清晰。附图说明

[0027] 图1是表示包含本发明第一实施方式的磁传感器系统的相机模块的立体图；

[0028] 图2是示意性地表示图1所示的相机模块的内部的说明图；

[0029] 图3是表示图1所示的相机模块的驱动装置的立体图；

[0030] 图4是表示图1的驱动装置的多个线圈的立体图；

[0031] 图5是表示图1的驱动装置的主要部分的侧面图；

[0032] 图6是表示本发明第一实施方式的磁传感器系统的主要部分的立体图；

[0033] 图7是表示本发明第一实施方式的磁传感器的立体图；

[0034] 图8是表示本发明第一实施方式的磁传感器的俯视图；

[0035] 图9是表示本发明第一实施方式的磁传感器的多个元件列的连接关系的俯视图；

[0036] 图10是表示本发明第一实施方式的磁场检测部的电路结构的电路图；

[0037] 图11是表示本发明第一实施方式的配线部的一部分和磁阻效应元件的立体图；

[0038] 图12是表示本发明第一实施方式的磁阻效应元件的立体图；

[0039] 图13是表示本发明第一实施方式的磁传感器的一部分的侧面图；

[0040] 图14是用于说明本发明第一实施方式中的检测对象位置与输入磁场的关系的说明图；

[0041] 图15是用于说明本发明第一实施方式中的检测对象位置与输入磁场的关系的说明图；

[0042] 图16是用于说明本发明第一实施方式中的检测对象位置与输入磁场的关系的说明图；

[0043] 图17是表示比较例的磁传感器的立体图；

[0044] 图18是表示本发明第一实施方式的磁传感器中的第二效果的说明图；

[0045] 图19是表示本发明第二实施方式的磁传感器的立体图；

[0046] 图20是表示本发明第二实施方式的磁传感器的俯视图；

[0047] 图21是表示本发明第三实施方式的磁传感器的立体图；

[0048] 图22是表示本发明第三实施方式的磁传感器的俯视图；

[0049] 图23是表示模拟的第一模型的立体图；

[0050] 图24是表示与第一模型相关的模拟的结果的一部分的特性图；

[0051] 图25是表示模拟的第二模型的立体图；

[0052] 图26是表示与第二模型相关的模拟的结果的一部分的特性图；

[0053] 图27是表示模拟的第三模型的立体图；

[0054] 图28是表示与第三模型相关的模拟的结果的一部分的特性图；

[0055] 图29是表示模拟的结果的特性图；

[0056] 图30是表示对本发明第一～第三实施方式的磁传感器进行的实验的内容的说明图；

[0057] 图31是表示关于本发明第一实施方式的磁传感器的实验结果的特性图；

[0058] 图32是表示关于本发明第二实施方式的磁传感器的实验结果的特性图；

[0059] 图33是表示关于本发明第三实施方式的磁传感器的实验结果的特性图；

[0060] 图34是表示本发明第一～第三实施方式的磁传感器的第一磁滞参数的值的分布的特性图；

[0061] 图35是表示本发明第一～第三实施方式的磁传感器的第二磁滞参数的值的分布的特性图。

具体实施方式

[0062] [第一实施方式]

[0063] 以下，参照附图详细地说明本发明的实施方式。首先，参照图1及图2说明包含本发明的第一实施方式的磁传感器系统的相机模块的结构。图1是表示相机模块100的立体图。图2是示意性地表示相机模块100的内部的说明图。此外，图2中，为了容易理解，将相机模块
100的各部以与图1中的对应的各部不同的尺寸及配置描绘。相机模块100构成例如是具备光学抖动校正机构和自动聚焦机构的智能手机用的相机的一部分，与使用了CMOS等的图像传感器200组合使用。

[0064] 相机模块100具备：驱动装置3、透镜5、框体6、基板7。驱动装置3使透镜5移动。驱动装置3包含本实施方式的磁传感器系统。对于磁传感器系统，在后面进行说明。框体6保护驱动装置3。基板7具有上表面7a。此外，图1中省略基板7，图2中省略框体6。

[0065] 在此，如图1及图2所示，定义X方向、Y方向、Z方向。X方向、Y方向、Z方向相互正交。本实施方式中，将与基板7的上表面7a垂直的一个方向(图2中朝向上侧的方向)称为Z方向。
X方向和Y方向均是相对于基板7的上表面7a平行的方向。另外，将与X方向相反的方向设为-X方向，将与Y方向相反的方向设为-Y方向，将与Z方向相反的方向设为-Z方向。另外，以下，将相对于基准的位置处于Z方向的前段的位置称为“上方”，将相对于基准的位置处于“上方”的相反侧的位置称为“下方”。

[0066] 透镜5以其光轴方向与平行于Z方向的方向一致的方式的姿势配置于基板7的上表面7a的上方。另外，基板7具有使通过了透镜5的光通过的未图示的开口部。如图2所示，相机模块100以使通过透镜5及未图示的开口部的光入射于图像传感器200的方式，相对于图像传感器200进行对位。

[0067] 接着，参照图2～图5对驱动装置3进行详细地说明。图3是表示驱动装置3的立体图。图4是表示驱动装置3的多个线圈的立体图。图5是表示驱动装置3的主要部分的侧面图。

[0068] 驱动装置3具备：第一保持部件14、第二保持部件15、多个第一引线16、和多个第二引线17。第二保持部件15保持透镜5。虽未图示，但第二保持部件15具有例如以在其内部能够装配透镜5的方式构成的筒状的形状。

[0069] 第二保持部件15设置为可相对于第一保持部件14沿一个方向，具体而言沿为透镜5的光轴方向即平行于Z方向的方向位置变更。本实施方式中，第一保持部件14具有以能够在其内部收容透镜5和第二保持部件15的方式构成的箱状的形状。多个第二引线17将第一保持部件14与第二保持部件15连接，并以第二保持部件15能够相对于第一保持部件14沿平行于Z方向的方向移动的方式，支撑第二保持部件15。

[0070] 第一保持部件14在基板7的上表面7a的上方设置为可相对于基板7沿平行于X方向的方向和平行于Y方向的方向位置变更。多个第一引线16将基板7与第一保持部件14连接，并以第一保持部件14能够相对于基板7沿平行于X方向的方向和平行于Y方向的方向移动的方式，支撑第一保持部件14。当第一保持部件14相对于基板7的相对性的位置变化时，第二保持部件15相对于基板7的相对性的位置也变化。

[0071] 驱动装置3还具备：磁铁31A、31B、32A、32B、33A、33B、34A、34B；线圈41、42、43、44、45、46。磁铁31A配置于透镜5的-Y方向的前段。磁铁32A配置于透镜5的Y方向的前段。磁铁
33A配置于透镜5的-X方向的前段。磁铁34A配置于透镜5的X方向的前段。磁铁31B、32B、33B、
34B分别配置于磁铁31A、32A、33A、34A的上方。另外，磁铁31A、31B、32A、32B、33A、33B、34A、
34B固定于第一保持部件14。

[0072] 如图3所示，磁铁31A、31B、32A、32B分别具有X方向上较长的长方体形状。磁铁33A、33B、34A、34B分别具有Y方向上较长的长方体形状。磁铁31A、32B的磁化的方向为Y方向。磁铁31B、32A的磁化的方向为-Y方向。磁铁33A、34B的磁化的方向为X方向。磁铁33B、34A的磁化的方向为-X方向。图1及图3中，利用以与各磁铁重叠的方式描绘的箭头表示磁铁31A、
31B、32B、33B、34A、34B的磁化的方向。另外，图5中，利用在磁铁31A、31B内描描绘的箭头表示磁铁31A、31B的磁化的方向。

[0073] 磁铁31A具有位于磁铁31A的X方向的端部的端面31A1。磁铁34A具有位于磁铁34A的-Y方向的端部的端面34A1。

[0074] 线圈41配置于磁铁31A与基板7之间。线圈42配置于磁铁32A与基板7之间。线圈43配置于磁铁33A与基板7之间。线圈44配置于磁铁34A与基板7之间。线圈45配置于磁铁31A、31B与透镜5之间。线圈46配置于磁铁32A、32B与透镜5之间。另外，线圈41、42、43、44固定于基板7。线圈45、46固定于第二保持部件15。

[0075] 对线圈41主要施加由磁铁31A产生的磁场。对线圈42主要施加由磁铁32A产生的磁场。对线圈43主要施加由磁铁33A产生的磁场。对线圈44主要施加由磁铁34A产生的磁场。

[0076] 另外，如图2、图4及图5所示，线圈45包含：沿着磁铁31A向X方向延伸的第一导体部45A；沿着磁铁31B向X方向延伸的第二导体部45B；将第一及第二导体部45A、45B连接的两个第三导体部。另外，如图2及图4所示，线圈46包含：沿着磁铁32A向X方向延伸的第一导体部
46A；沿着磁铁32B向X方向延伸的第二导体部46B；将第一及第二导体部46A、46B连接的两个第三导体部。

[0077] 对线圈45的第一导体部45A主要施加由磁铁31A产生的磁场的Y方向的成分。对线圈45的第二导体部45B主要施加由磁铁31B产生的磁场的-Y方向的成分。对线圈46的第一导体部46A主要施加由磁铁32A产生的磁场的-Y方向的成分。对线圈46的第二导体部46B主要施加由磁铁32B产生的磁场的Y方向的成分。

[0078] 驱动装置3还具备：在线圈41、42的一方的内侧固定于基板7的磁传感器30；在线圈43、44的一方的内侧固定于基板7的磁传感器30。在此，两个磁传感器30分别配置于线圈41的内侧和线圈44的内侧。如后面说明，该两个磁传感器30在为了降低抖动的影响而使透镜5的位置变化时使用。

[0079] 配置于线圈41的内侧的磁传感器30检测由磁铁31A产生的磁场，并生成与磁铁31A的位置对应的检测信号。配置于线圈44的内侧的磁传感器30检测由磁铁34A产生的磁场，并生成与磁铁34A的位置对应的检测信号。对于磁传感器30的结构，在后面进行说明。

[0080] 驱动装置3还具备磁铁13、和磁传感器20。磁传感器20为了自动地进行对焦时检测透镜5的位置而使用。磁传感器20在磁铁31A的端面31A1和磁铁34A的端面34A1的附近固定于基板7。磁传感器20利用例如检测磁阻效应元件等的磁场的元件构成。

[0081] 磁铁13在磁传感器20的上方固定于第二保持部件15。磁铁13具有长方体形状。第二保持部件15相对于第一保持部件14的相对性的位置沿着与Z方向平行的方向变化时，磁铁13相对于第一保持部件14的相对性的位置也沿着与Z方向平行的方向变化。

[0082] 在此，参照图2～图5说明驱动装置3的动作。首先，简单地说明光学抖动校正机构和自动聚焦机构。驱动装置3构成光学抖动校正机构及自动聚焦机构的一部分。驱动装置3、光学抖动校正机构及自动聚焦机构由相机模块100的外部的未图示的控制部进行控制。

[0083] 光学抖动校正机构以例如利用相机模块100的外部的陀螺仪传感器等能够检测抖动的方式构成。光学抖动校正机构检到测抖动时，未图示的控制部以透镜5相对于基板7的相对性的位置根据抖动的方式进行变化的方式，控制驱动装置3。由此，能够使透镜5的绝对性的位置稳定化，并降低抖动的影响。此外，透镜5相对于基板7的相对性的位置根据抖动的方式，沿平行于X方向的方向或平行于Y方向的方向进行变化。

[0084] 自动聚焦机构以例如利用图像传感器200或自动聚焦传感器等，能够检测焦点处于被摄体的状态的方式构成。未图示的控制部以成为焦点处于被摄体的状态的方式，利用驱动装置3使透镜5相对于基板7的相对性的位置沿平行于Z方向的方向变化。由此，能够自动地进行相对于被摄体的对焦。

[0085] 接着，说明与光学抖动校正机构相关联的驱动装置3的动作。利用未图示的控制部向线圈41、42流通电流时，通过由磁铁31A、32A产生的磁场和由线圈41、42产生的磁场的相互作用，固定磁铁31A、32A的第一保持部件14沿平行于Y方向的方向移动。其结果，透镜5也沿平行于Y方向的方向移动。另外，利用未图示的控制部向线圈43、44流通电流时，通过由磁铁33A、34A产生的磁场和由线圈43、44产生的磁场的相互作用，固定磁铁33A、34A的第一保持部件14沿平行于X方向的方向移动。其结果，透镜5也沿平行于X方向的方向移动。未图示的控制部通过测定与由两个磁传感器30生成的磁铁31A、34A的位置对应的信号，检测透镜5的位置。

[0086] 接着，说明与自动聚焦机构相关联的驱动装置3的动作。在使透镜5相对于基板7的相对性的位置沿Z方向移动的情况下，未图示的控制部以在第一导体部45A中沿X方向流通电流，在第二导体部45B沿-X方向流通电流的方式，对线圈45流通电流，并以在第一导体部46A中沿-X方向流通电流，在第二导体部46B中沿X方向流通电流的方式，对线圈46流通电流。通过由这些电流和磁铁31A、31B、32A、32B产生的磁场，对线圈45的第一及第二导体部
45A、45B和线圈46的第一及第二导体部46A、46B作用Z方向的洛伦兹力。由此，固定有线圈
45、46的第二保持部件15沿Z方向移动。其结果，透镜5也沿Z方向移动。

[0087] 在使透镜5相对于基板7的相对性的位置沿-Z方向移动的情况下，未图示的控制部对线圈45、46向与沿Z方向移动的情况相反方向流通电流。

[0088] 透镜5相对于基板7的相对性的位置沿着与Z方向平行的方向变化时，磁铁13相对于磁传感器20的相对性的位置也沿着与Z方向平行的方向变化。磁传感器20检测至少磁铁13产生的磁场，生成与磁铁13的位置对应的信号。未图示的控制部通过测定由磁传感器20生成的信号，而检测透镜5的位置。

[0089] 接着，参照图1及图5对本实施方式的磁传感器系统的大致结构进行说明。本实施方式的磁传感器系统具备本实施方式的磁传感器和产生规定的磁场的磁场产生部。本实施方式中，配置于线圈41的内侧的磁传感器30、或配置于线圈44的内侧的磁传感器30与本实施方式的磁传感器对应。具备配置于线圈41的内侧的磁传感器30的磁传感器系统中，磁铁31A与磁场产生部对应。具备配置于线圈44的内侧的磁传感器30的磁传感器系统中，磁铁
34A与磁场产生部对应。

[0090] 以下，参照图6对具备配置于线圈41的内侧的磁传感器30的磁传感器系统101进行说明。图6是表示磁传感器系统101的主要部分的立体图。此外，图6中，为了容易理解，省略线圈41，以与图1～图3、图5不同的尺寸及配置描绘磁铁31A。以下，只要没有特别说明，将配置于线圈41的内侧的磁传感器30简称为磁传感器30，也称为本实施方式的磁传感器30。

[0091] 磁传感器30和作为磁场产生部的磁铁31A以磁铁31A产生的磁场的一部分的部分磁场被施加于磁传感器30的方式构成。该部分磁场包含与Z方向平行的第一磁场成分Hz和与Y方向平行的第二磁场成分Hy。Z方向与本发明的第一方向对应。Y方向与本发明的第二方向对应。

[0092] 如图6所示，本实施方式中，磁铁31A的磁化的方向为Y方向，第二磁场成分Hy的方向为-Y方向。此外，图6中，表示磁铁31A从图5所示的位置沿着Y方向移动时的第一磁场成分Hz。

[0093] 如上述，磁传感器30固定于基板7，磁铁31A固定于第一保持部件14(参照图2)。第一保持部件14相对于基板7的位置沿着与Y方向平行的方向变化时，磁铁31A相对于磁传感器30的相对性的位置也沿着与Y方向平行的方向变化。磁传感器30的检测信号与关于与Y方向平行的方向的、磁铁31A相对于磁传感器30的相对性的位置对应。以下，将关于与Y方向平行的方向的、磁铁31A相对于磁传感器30的相对性的位置均称为检测对象位置。磁传感器系统101是用于检测该检测对象位置的位置检测装置。

[0094] 另外，磁传感器30和磁铁31A以检测对象位置变化时，第一磁场成分Hz变化的方式构成。本实施方式中，第一保持部件14沿着与Y方向平行的方向移动，检测对象位置变化时，第一磁场成分Hz变化。对于第一磁场成分Hz的变化的方式，在后面进行说明。

[0095] 接着，对本实施方式的磁传感器30进行说明。图7是表示磁传感器30的立体图。图8是表示磁传感器30的俯视图。磁传感器30具备磁场转换部50、磁场检测部60、多个屏蔽件71A、71B、71C、71D、72A、72B、72C、72D。此外、图8中，省略屏蔽件71A、71B、71C、71D。

[0096] 磁场转换部50包含由软磁性体构成的一个以上的磁轭51。一个以上的磁轭51各自具有沿着与Z方向平行的方向观察，例如从上方观察时，在Y方向上较长的形状。另外，一个以上的磁轭51各自以接收包含与Z方向平行的方向的输入磁场成分的输入磁场，并产生输出磁场的方式构成。

[0097] 本实施方式中，输入磁场是上述的部分磁场。另外，输入磁场成分是上述的第一磁场成分Hz(参照图6)。输出磁场包含根据与X方向平行的方向的输出磁场成分即输入磁场成分(第一磁场成分Hz)进行变化的输出磁场成分。X方向与本发明的第三方向对应。另外，本实施方式中，第一方向(Z方向)、第二方向(Y方向)及第三方向(X方向)相互正交。另外，输入磁场除了输入磁场成分(第一磁场成分Hz)之外，还包含与Y方向平行的方向的磁场成分的第二磁场成分Hy。

[0098] 如图7及图8所示，本实施方式中，磁场转换部50中，作为一个以上的磁轭51包含多个磁轭51。多个磁轭51各自具有例如Y方向上较长的长方体形状。多个磁轭51的形状相同。

[0099] 本实施方式中，特别是磁轭51的数量为8个。以下，将8个磁轭51使用符号51A、51B、51C、51D、51E、51F、51G、51H进行区分。8个磁轭51A、51B、51C、51D、51E、51F、51G、51H以沿着X方向依次排列的方式配置。

[0100] 磁场检测部60接收输出磁场，并生成依赖于输出磁场成分的检测信号。该检测信号与上述的磁传感器30输出的检测信号相同。另外，如上述，输出磁场成分根据输入磁场成分(第一磁场成分Hz)变化。因此，检测信号依赖于输入磁场成分(第一磁场成分Hz)。

[0101] 磁场检测部60包含一个以上的磁检测元件90。一个以上的磁检测元件90各自接收输出磁场，并生成根据输出磁场成分变化的检测值。磁场检测部60的检测信号依赖于该检测值。

[0102] 本实施方式中，特别是磁场检测部60中，作为一个以上的磁检测元件90包含多个磁检测元件90。另外，多个磁检测元件90构成一个以上的元件列。一个以上的元件列各自包含沿着一个以上的磁轭51且沿着Y方向排列并串联地连接的多个磁检测元件90中的两个以上。

[0103] 本实施方式中，特别是多个磁检测元件90各自为磁阻效应元件。以下，将磁阻效应元件记载为MR元件。另外，以下，将磁检测元件90均记载为MR元件90。本实施方式中，磁检测元件90的检测值为MR元件90的电阻值。

[0104] 本实施方式中，一个以上的元件列为多个元件列，特别是为四个以上的元件列。图7及图8所示的例子中，元件列的数量为16。另外，构成一个元件列的MR元件90的数为4。相对于一个磁轭51对应有两个元件列。与一个磁轭51对应的两个元件列在一个磁轭51的-Z方向的端部的附近、配置于X方向上的一个磁轭51的两侧。

[0105] 图9表示多个元件列的连接关系。图9中，将磁场转换部50的构成要素以虚线表示。图8及图9中，符号T1～T16表示16个元件列。元件列T1、T2与磁轭51A对应。元件列T3、T4与磁轭
51B对应。元件列T5、T6与磁轭51C对应。元件列T7、T8与磁轭51D对应。元件列T9、T10与磁轭51E对应。元件列T11、T12与磁轭51F对应。元件列T13、T14与磁轭51G对应。元件列T15、T16与磁轭51H对应。构成一个元件列的4个MR元件90串联地连接。

[0106] 元件列T1、T3、T5、T7、T9、T11、T13、T15分别配置于磁轭51A、51B、51C、51D、51E、51F、51G、51H的-X侧。元件列T2、T4、T6、T8、T10、T12、T14、T16分别配置于磁轭51A、51B、51C、51D、51E、
51F、51G、51H的X侧。

[0107] 接着，参照图9及图10对磁场检测部60的电路结构进行说明。图10是表示磁场检测部60的电路结构的电路图。如图10所示，磁场检测部60包含：施加规定电压的电源端口V、连接于地面的接地端口G、第一输出端口E1、第二输出端口E2、第一电阻部61、第二电阻部62、第三电阻部63、和第四电阻部64。

[0108] 第一电阻部61设置于电源端口V与第一输出端口E1之间。第二电阻部62设置于第一输出端口E1与接地端口G之间。第三电阻部63设置于电源端口V与第二输出端口E2之间。第四电阻部64设置于第二输出端口E2与接地端口G之间。磁场检测部60的检测信号依赖于第一输出端口E1与第二输出端口E2之间的电位差。

[0109] 第一～第四电阻部61～64各自包含一个以上的元件列。本实施方式中，特别是第一～第四电阻部61～64各自包含串联地连接的四个元件列。更具体地说明时，第一电阻部61包含串联地连接的元件列T1、T3、T5、T7。第二电阻部62包含串联地连接的元件列T9、T11、T13、T15。第三电阻部63包含串联地连接的元件列T2、T4、T6、T8。第四电阻部64包含串联地连接的元件列T10、T12、T14、T16。

[0110] 磁场检测部60包含将多个MR元件90电连接的配线部80。在此，参照图11对配线部80进行说明。图11是表示配线部80的一部分和MR元件90的立体图。配线部80包含用于将构成各元件列的四个MR元件90电连接的多个下部电极81和多个上部电极82。多个MR元件90配置于多个下部电极81上。多个上部电极82配置于多个MR元件90上。

[0111] 多个MR元件90与下部电极81及上部电极82的连接关系如以下。多个下部电极81各自具有沿着Y方向的细长的形状。在Y方向上相邻的两个下部电极81之间形成有间隙。在下部电极81的上表面上，在Y方向的两端的附近配置有MR元件90。多个上部电极82各自配置于Y方向上相邻的两个下部电极81上且将相邻的两个MR元件90电连接。由此，构成各元件列的4个MR元件90串联地连接。

[0112] 配线部80还包含多个连接电极。第一～第四电阻部61～64各自中，多个连接电极以多个元件列串联地连接的方式将多个下部电极81电连接。

[0113] 接着，参照图12对MR元件90的结构的一例进行说明。图12是表示MR元件90的立体图。该例子中，MR元件90包含：具有规定的方向的磁化的磁化固定层92、具有方向可根据施加的磁场变化的磁化的自由层94、配置于磁化固定层92与自由层94之间的间隙层93、和反铁磁性层91。反铁磁性层91、磁化固定层92、间隙层93及自由层94从下部电极81侧依次层叠。反铁磁性层91由反铁磁性材料构成，在与磁化固定层92之间产生交换耦合，并固定磁化固定层92的磁化的方向。

[0114] MR元件90也可以是TMR(隧道磁阻效应)元件，也可以是将磁信号检测用的感应电流沿着相对于构成MR元件90的各层的面大致垂直的方向流通的CPP(Current Perpendicular to Plane，电流垂直于平面)类型的GMR(巨大磁阻效应)元件。TMR元件中，间隙层93为隧道势垒层。GMR元件中，间隙层93为非磁性导电层。

[0115] MR元件90的电阻值根据自由层94的磁化的方向相对于磁化固定层92的磁化的方向构成的角度变化，该角度为0°时，电阻值成为最小值，角度为180°时，电阻值成为最大值。

[0116] 本实施方式中，磁化固定层92的磁化的方向为与X方向平行的方向。另外，本实施方式中，第一电阻部61中的多个MR元件90的磁化固定层92的磁化的方向与第二电阻部62中的多个MR元件90的磁化固定层92的磁化的方向是相互相反方向。第三电阻部63中的多个MR元件90的磁化固定层92的磁化的方向与第一电阻部61中的多个MR元件90的磁化固定层92的磁化的方向相同。第四电阻部64中的多个MR元件90的磁化固定层92的磁化的方向与第二电阻部62中的多个MR元件90的磁化固定层92的磁化的方向相同。

[0117] 本实施方式中，特别是第一电阻部61和第三电阻部63各自的多个MR元件90的磁化固定层92的磁化的方向为X方向。第二电阻部62和第四电阻部64各自中的多个MR元件90的磁化固定层92的磁化的方向为-X方向。

[0118] 本实施方式中，多个MR元件90各自具有与Y方向平行的方向上较长的形状。由此，多个MR元件90各自的自由层94具有易磁化轴方向成为与Y方向平行的方向的形状各向异性。因此，在施加的磁场不存在的状态下，自由层94的磁化的方向成为与Y方向平行的方向。在输出磁场成分存在的情况下，根据输出磁场成分的方向及强度，自由层94的磁化的方向进行变化。因此，自由层94的磁化的方向相对于磁化固定层92的磁化的方向构成的角度根据多个MR元件90各自接收的输出磁场成分的方向及强度进行变化。因此，多个MR元件90各自的电阻值与输出磁场成分对应。

[0119] 本实施方式中，第二电阻部62中的多个MR元件90接收的输出磁场成分的方向与第一电阻部61中的多个MR元件90接收的输出磁场成分的方向相同。另一方面，第三电阻部63中的多个MR元件90接收的输出磁场成分的方向和第四电阻部64中的多个MR元件90接收的输出磁场成分的方向与第一电阻部61中的多个MR元件90接收的输出磁场成分的方向相反。

[0120] 此外，MR元件90的结构不限于参照图12说明的例子。例如，MR元件90也可以是不包含反铁磁性层91的结构。该结构也可以是例如替代反铁磁性层91及磁化固定层92，而包含人工反铁磁性结构的磁化固定层的结构，该人工反铁磁性结构的磁化固定层包含两个铁磁性层和配置于该两个铁磁性层之间的非磁性金属层。

[0121] 接着，对屏蔽件71A、71B、71C、71D、72A、72B、72C、72D进行说明。屏蔽件71A、71B、71C、71D、72A、72B、72C、72D均利用软磁性体构成。

[0122] 屏蔽件71A、71B、71C、71D相互分离，且配置于磁场转换部50及磁场检测部60的上方。沿着与Z方向平行的方向观察时，例如从上方观察时，屏蔽件71A、71B、71C、71D以沿着Y方向依次排列，且与磁场转换部50及磁场检测部60重叠的方式配置。

[0123] 屏蔽件72A、72B、72C、72D相互分离，且配置于磁场转换部50及磁场检测部60的下方。沿着与Z方向平行的方向观察时，屏蔽件72A、72B、72C、72D以沿着Y方向依次排列，且与磁场转换部50及磁场检测部60重叠的方式配置。

[0124] 屏蔽件71A、71B、71C、71D、72A、72B、72C、72D各自具有沿着与Z方向平行的方向观察时，Y方向上的最大的尺寸比X方向上的最大的尺寸小的形状。以下，将屏蔽件71A、71B、71C、71D、72A、72B、72C、72D中的任意一个称为单独屏蔽件70。单独屏蔽件70也可以具有板状的形状。沿着与Z方向平行的方向观察时的单独屏蔽件70的形状也可以是X方向上较长的矩形。

[0125] 沿着与Z方向平行的方向观察时，屏蔽件71A与屏蔽件72A重叠，屏蔽件71B与屏蔽件72B重叠，屏蔽件71C与屏蔽件72C重叠，屏蔽件71D与屏蔽件72D重叠。

[0126] 如图7～图9所示，沿着与Z方向平行的方向观察时，多个MR元件90各自位于屏蔽件71A、71B、71C、71D中的任一个屏蔽件的外缘的内侧，且位于屏蔽件72A、72B、72C、72D中的任一个屏蔽件的外缘的内侧。

[0127] 沿着与Z方向平行的方向观察时，构成一个元件列的四个MR元件90中、位于-Y方向的端部的MR元件90位于屏蔽件71A、72A各自的外缘的内侧。沿着与Z方向平行的方向观察时，构成一个元件列的四个MR元件90中、位于从-Y方向的端部起第二个的MR元件90位于屏蔽件71B、72B各自的外缘的内侧。沿着与Z方向平行的方向观察时，构成一个元件列的四个MR元件90中、位于从Y方向的端起第二个的MR元件90位于屏蔽件71C、72C各自的外缘的内侧。沿着与Z方向平行的方向观察时，构成一个元件列的四个MR元件90中、位于Y方向的端部的MR元件90位于屏蔽件71D、72D各自的外缘的内侧。

[0128] 如图8所示，本实施方式中，磁轭51包含四个被屏蔽部分51a、51b、51c、51d和三个露出部分51e、51f、51g。

[0129] 被屏蔽部分51a沿着与Z方向平行的方向观察时，位于屏蔽件71A、72A各自的外缘的内侧。被屏蔽部分51b沿着与Z方向平行的方向观察时，位于屏蔽件71B、72B各自的外缘的内侧。被屏蔽部分51c沿着与Z方向平行的方向观察时，位于屏蔽件71C、72C各自的外缘的内侧。被屏蔽部分51d沿着与Z方向平行的方向观察时，位于屏蔽件71D、72D各自的外缘的内侧。

[0130] 沿着与Z方向平行的方向观察时，露出部分51e、51f、51g均不与哪个单独屏蔽件70重叠。露出部分51e沿着与Z方向平行的方向观察时，位于屏蔽件71A与屏蔽件71B之间及屏蔽件72A与屏蔽件72B之间。露出部分51f沿着与Z方向平行的方向观察时，位于屏蔽件71B与屏蔽件71C之间及屏蔽件72B与屏蔽件72C之间。露出部分51g沿着与Z方向平行的方向观察时，位于屏蔽件71C与屏蔽件71D之间及屏蔽件72C与屏蔽件72D之间。

[0131] 图13是表示磁传感器30的一部分的侧面图。图13表示沿着与Y方向平行的方向观察的、屏蔽件71A、72A、磁轭51A、51B、位于磁轭51A的附近的两个MR元件90、位于磁轭51B的附近的两个MR元件90。

[0132] 本实施方式中，输入磁场除了输入磁场成分(第一磁场成分Hz)之外，还包含输入磁场成分的方向以外的方向的磁场成分即第二磁场成分Hy。屏蔽件71A、71B、71C、71D、72A、72B、72C、72D的主要的作用在于，吸收与第二磁场成分Hy对应的磁通，缩小由于第二磁场成分Hy而施加于磁场检测部60的、与Y方向平行的方向的磁场的强度。

[0133] 单独屏蔽件70利用软磁性材料构成。作为该软磁性材料，例如能够使用NiFe。在使用NiFe构成单独屏蔽件70的情况下，为了降低单独屏蔽件70的热应力，优选使用热膨胀系数变小的组成的Ni的比例为35～60重量％的组成的NiFe。进一步还考虑单独屏蔽件70的磁特性时，更优选使用Ni的比例为40～60重量％的组成的NiFe。

[0134] 对单独屏蔽件70需求的性能之一是，最大磁通吸收量较大。单独屏蔽件70的最大磁通吸收量与单独屏蔽件70的饱和磁化和厚度(Z方向的尺寸)的积大致成比例。为了确保单独屏蔽件70的性能，优选单独屏蔽件70中的饱和磁化和厚度的积，即每单位面积的磁矩为0.6emu/cm2以上。

[0135] 虽然未图示，但磁传感器30还具备传感器基板和绝缘部。屏蔽件72A、72B、72C、72D配置于传感器基板上。绝缘部由绝缘材料构成，覆盖磁场转换部50、磁场检测部60、屏蔽件71A、71B、71C、71D、72A、72B、72C、72D。

[0136] 以下，对本实施方式的磁传感器30及磁传感器系统101的作用及效果进行说明。首先，对磁场检测部60的作用进行说明。在此，假定输入磁场仅由输入磁场成分构成进行说明。不存在输入磁场成分，其结果，在也不存在输出磁场成分的状态下，MR元件90的自由层94的磁化的方向成为与Y方向平行的方向。在输入磁场成分的方向为Z方向的情况下，第一及第二电阻部61、62内的MR元件90接收的输出磁场成分的方向成为X方向，第三及第四电阻部63、64内的MR元件90接收的输出磁场成分的方向成为-X方向。在该情况下，第一及第二电阻部61、62内的MR元件90的自由层94的磁化的方向从与Y方向平行的方向向X方向倾斜，第三及第四电阻部63、64内的MR元件90的自由层94的磁化的方向从与Y方向平行的方向向-X方向倾斜。其结果，与不存在输出磁场成分的状态相比，第一及第四电阻部61、64内的MR元件90的电阻值减少，第一及第四电阻部61、64的电阻值也减少。另外，与不存在输出磁场成分的状态相比，第二及第三电阻部62、63内的MR元件90的电阻值增加，第二及第三电阻部
62、63的电阻值也增加。

[0137] 在输入磁场成分的方向为-Z方向的情况下，输出磁场成分的方向和第一～第四电阻部61～64的电阻值的变化与上述的输入磁场成分的方向为Z方向的情况相反。

[0138] MR元件90的电阻值的变化量依赖于MR元件90接收的输出磁场成分的强度。输出磁场成分的强度变大时，MR元件90的电阻值沿着其增加量或其减少量分别变大的方向变化。输出磁场成分的强度变小时，MR元件90的电阻值沿着其增加量或其减少量分别变小的方向变化。输出磁场成分的强度依赖于输入磁场成分的强度。

[0139] 这样，输入磁场成分的方向和强度变化时，第一～第四电阻部61～64各自的电阻值以如下方式变化，随着第一及第四电阻部61、64的电阻值增加，第二及第三电阻部62、63的电阻值减少，或随着第一及第四电阻部61、64的电阻值减少，第二及第三电阻部62、63的电阻值增加。由此，图9及图10所示的第一输出端口E1与第二输出端口E2之间的电位差变化。磁场检测部60生成依赖于第一输出端口E1与第二输出端口E2之间的电位差的检测信号。检测信号依赖于MR元件90的电阻值。MR元件90的电阻值与本发明的检测值对应。

[0140] 接着，参照图14～图16对检测对象位置与输入磁场的关系进行说明。图14～图16表示检测对象位置与输入磁场的关系。图14～图16中，标注记号H的箭头表示施加于磁传感器30的部分磁场即输入磁场。另外，标注记号Hz的箭头表示第一磁场成分Hz即输入磁场成分，标注记号Hy的箭头表示第二磁场成分Hy。

[0141] 图14表示磁铁31A的Y方向的位置与磁传感器30的Y方向的位置一致的状态。图15表示磁铁31A从图14所示的位置沿Y方向移动的状态。图16表示磁铁31A从图14所示的位置沿-Y方向移动的状态。如图14～图16所示，关于与Y方向平行的方向的、磁铁31A相对于磁传感器30的相对性的位置即检测对象位置变化时，第一磁场成分Hz即输入磁场成分变化。

[0142] 上述的磁场检测部60的作用的说明中，假定输入磁场仅由输入磁场成分即第一磁场成分Hz构成。但是，本实施方式的磁传感器系统101中，如根据图14～图16可理解，输入磁场除了输入磁场成分之外，还包含第二磁场成分Hy。

[0143] 当第二磁场成分Hy施加于磁场检测部60时，对于MR元件90的自由层94，除了与X方向平行的方向的输出磁场成分之外，还施加与Y方向平行的方向的第二磁场成分Hy。在该情况下，与输入磁场仅由输入磁场成分构成的情况相比，自由层94的磁化的方向相对于磁化固定层92的磁化的方向构成的角度不同，其结果，MR元件90的电阻值及磁场检测部60的检测信号不同。因此，第二磁场成分Hy成为磁场检测部60的检测信号中产生误差，或磁场检测部60的灵敏度降低的原因。

[0144] 本实施方式中，利用屏蔽件71A、71B、71C、71D、72A、72B、72C、72D，能够吸收与第二磁场成分Hy对应的磁通，并减小由于第二磁场成分Hy而施加于磁场检测部60的、与Y方向平行的方向的磁场的强度。

[0145] 这样，根据本实施方式，能够抑制施加于磁传感器30的输入磁场除了输入磁场成分之外，还包含输入磁场成分的方向以外的方向的磁场成分即第二磁场成分Hy的情况下的问题的产生。

[0146] 接着，对本实施方式的第一特征和其产生的第一效果进行说明。第一特征是与多个磁轭51及屏蔽件71A、71B、71C、71D、72A、72B、72C、72D的形状及配置相关的特征。

[0147] 在对第一效果进行说明之前，对比较例的磁传感器130进行说明。图17是表示比较例的磁传感器130的立体图。比较例的磁传感器130中，替代本实施方式中的屏蔽件71A、71B、71C、71D，而具备一个屏蔽件171，替代本实施方式中的屏蔽件72A、72B、72C、72D，而具备一个屏蔽件172。屏蔽件171配置于磁场转换部50及磁场检测部60的上方。屏蔽件172配置于磁场转换部50及磁场检测部60的下方。沿着与Z方向平行的方向观察时，屏蔽件171、172各自以与磁场转换部50及磁场检测部60重叠的方式配置。屏蔽件171、172各自具有沿着与Z方向平行的方向观察时，Y方向上的最大的尺寸比X方向上的最大的尺寸大的形状。即，屏蔽件171、172各自的长边方向朝向与Y方向平行的方向。比较例的磁传感器130的其它结构与本实施方式的磁传感器30相同。

[0148] 接着，对比较例的磁传感器130的问题点进行说明。在此，暂时考虑将比较例的磁传感器130以屏蔽件171、172和多个磁轭51各自的长边方向朝向与X方向平行的方向的姿势配置的情况。在该情况下，第二磁场成分Hy的方向与多个磁轭51的长边方向及多个元件列的长边方向正交。在该情况下，在屏蔽件171、172中的与第二磁场成分Hy对应的磁通的流入端的附近和屏蔽件171、172中的与第二磁场成分Hy对应的磁通的流出端的附近，与第二磁场成分Hy对应的磁通大幅弯曲。而且，在磁通的流入端的附近和磁通的流出端的附近，与第二磁场成分Hy对应的磁通的方向大幅不同。因此，根据元件列的位置不同，元件列从从第二磁场成分Hy接收的影响不同。其结果，磁场检测部60的检测信号中产生误差。

[0149] 接着，如图17所示，考虑将磁传感器130以屏蔽件171、172和多个磁轭51各自的长边方向朝向与Y方向平行的方向的姿势配置的情况。在该情况下，一个元件列内的多个MR元件90中，由于MR元件90的位置不同，可引起MR元件90从第二磁场成分Hy接收的影响不同。但是，即使在该情况下，在一个元件列内，能够使多个MR元件90从第二磁场成分Hy接收的影响相抵。因此，能够降低产生于磁场检测部60的检测信号的误差。

[0150] 但是，在将比较例的磁传感器130如图17所示配置的情况下，产生以下那样的问题。在该情况下，与以长边方向朝向与X方向平行的方向的姿势配置屏蔽件171、172的情况相比，关于第二磁场成分Hy的方向的屏蔽件171、172的尺寸变大。由此，屏蔽件171、172各自中，相对于第二磁场成分Hy的反磁场变小。其结果，由屏蔽件171、172产生的第二磁场成分Hy的吸收能力降低。

[0151] 接着，对本实施方式的第一特征进行说明。第一特征的内容如以下。本实施方式中，沿着与Z方向平行的方向观察时，相互分离的屏蔽件71A、71B、71C、71D以沿着Y方向排列的方式配置，相互分离的屏蔽件72A、72B、72C、72D以沿着Y方向排列的方式配置。屏蔽件71A、71B、71C、71D、72A、72B、72C、72D各自具有沿着与Z方向平行的方向观察时，Y方向上的最大的尺寸比X方向上的最大的尺寸小的形状。

[0152] 通过上述的第一特征，根据本实施方式，实现以下内容的第一效果。根据本实施方式，单独屏蔽件70中，相对于第二磁场成分Hy的反磁场变大。由此，根据本实施方式，能够提高单独屏蔽件70的第二磁场成分Hy的吸收能力。其结果，根据本实施方式，能够防止由于第二磁场成分Hy引起的、磁传感器30的检测信号中产生误差或磁传感器30的灵敏度降低。

[0153] 在磁场检测部60包含多个MR元件90的情况下，在多个MR元件90的布局上，当如比较例的磁传感器130那样设置两个屏蔽件时，有时沿着与Z方向平行的方向观察时的这两个屏蔽件各自的形状不得不成为Y方向上的最大的尺寸比X方向上的最大的尺寸大的形状。即使在这种的情况下，根据本实施方式，也能够将沿着与Z方向平行的方向观察时的单独屏蔽件70的形状设为Y方向上的最大的尺寸比X方向上的最大的尺寸小的形状。

[0154] 关于第一效果，在说明第三实施方式之后，参照模拟的结果进一步说明。

[0155] 接着，对本实施方式的第二特征和由其得到第二效果进行说明。第二特征在于，沿着与Z方向平行的方向观察时，多个MR元件90各自位于屏蔽件71A、71B、71C、71D中的任一个屏蔽件的外缘的内侧，且位于屏蔽件72A、72B、72C、72D中的任一个屏蔽件的外缘的内侧。

[0156] 在对第二效果说明之前，说明与相对于磁传感器30的平行于Z方向的方向的施加磁场相关的磁轭51的磁滞和其引起的磁场检测部60的检测信号的磁滞。以下，将与相对于磁传感器30的平行于Z方向的方向的施加磁场相关的磁轭51的磁滞简称为磁轭51的磁滞。另外，-Z方向的施加磁场的强度以负的值表示，Z方向的施加磁场的强度以正的值表示。磁轭51的磁滞是，施加磁场的强度为规定值时的磁轭51的磁化根据施加磁场的履历，即根据施加磁场的强度增加而成为规定的值，或施加磁场的强度减少而成为规定的值而不同的现象。

[0157] 检测信号的磁滞是，施加磁场的强度为规定值时的检测信号的值根据施加磁场的履历，即根据施加磁场的强度增加而成为规定的值，或施加磁场的强度减少而成为规定的值而不同的现象。

[0158] 本实施方式中，磁轭51包含被屏蔽部分51a、51b、51c、51d和露出部分51e、51f、51g。以下，考虑这些部分各自的磁滞。

[0159] 图18表示屏蔽件71A、71B、72A、72B和磁轭51A的被屏蔽部分51a、51b及露出部分51e。图18中，符号75A表示施加磁场为Z方向时通过屏蔽件72A及屏蔽件71A的磁通的一部分。另外，符号75B表示施加磁场为Z方向时通过屏蔽件72B及屏蔽件71B的磁通的一部分。另外，在磁轭51A的内部描绘的多个箭头表示这些位置的磁化的方向和大小。

[0160] 如图18所示，通过屏蔽件72A及屏蔽件71A的磁通的一部分弯曲并通过露出部分51e。通过屏蔽件72B及屏蔽件71B的磁通的一部也弯曲并通过露出部分51e。因此，施加磁场的强度为0以外的某个值时，露出部分51e中的磁化变得比被屏蔽部分51a、51b各自的磁化大。对一个磁轭51的整体而言，施加磁场的强度为0以外的某个值时，露出部分51e、51f、51g各自中的磁化变得比被屏蔽部分51a、51b、51c、51d各自中的磁化大。其结果，露出部分51e、
51f、51g各自中，与被屏蔽部分51a、51b、51c、51d各自相比，磁滞变得显著。

[0161] 假定磁传感器30不具有第二特征时，多个MR元件90中的至少一个位于露出部分51e、51f、51g的任一附近。在该情况下，检测信号的磁滞显著出现，有可能检测信号的误差变大。

[0162] 与之相对，本实施方式的磁传感器30通过第二特征，多个MR元件90的全部不在露出部分51e、51f、51g的任一的附近，而位于被屏蔽部分51a、51b、51c、51d的任一的附近。因此，根据本实施方式，能够降低检测信号的磁滞引起的检测信号的误差。这是本实施方式的第二效果。

[0163] 此外，目前为止，对具备配置于线圈41(参照图1)的内侧的磁传感器30和配置于线圈41的内侧的磁传感器30的磁传感器系统101进行了说明。以下，将目前为止说明的磁传感器30及磁传感器系统101称为第一实施例的磁传感器及磁传感器系统。

[0164] 图1～图3所示的相机模块100中，不仅第一实施例的磁传感器及磁传感器系统，配置于线圈44(参照图1)的内侧的磁传感器30和具备该磁传感器30的磁传感器系统也称为本实施方式的磁传感器及磁传感器系统。以下，将配置于线圈44的内侧的磁传感器30和具备该磁传感器30的磁传感器系统称为第二实施例的磁传感器及磁传感器系统。

[0165] 第二实施例的磁传感器及磁传感器系统的结构基本上与第一实施例的磁传感器及磁传感器系统相同。但是，第二实施例中，X方向与本发明的第二方向对应，Y方向与本发明中的第三方向对应。因此，如果将第一实施例的说明中的磁铁31A、X方向及Y方向分别置换成磁铁34A、Y方向及X方向，则成为第二实施例的说明。第二实施例的磁传感器系统是用于检测关于与X方向平行的方向的、磁铁34A相对于磁传感器30的相对性的位置的位置检测装置。

[0166] [第二实施方式]

[0167] 接着，对本发明的第二实施方式进行说明。图19是表示本实施方式的磁传感器的立体图。图20是表示本实施方式的磁传感器的俯视图。此外，图20中，省略屏蔽件71A、71B、71C、71D。

[0168] 以下，对本实施方式的磁传感器30与第一实施方式的磁传感器30不同的点进行说明。本实施方式中，磁场转换部50替代第一实施方式的8个磁轭51，而包含16个磁轭51。以下，16个磁轭51使用符号51A1、51A2、51B1、51B2、51C1、51C2、51D1、51D2、51E1、51E2、51F1、51F2、51G1、51G2、51H1、51H2进行区别。

[0169] 第一实施方式的磁轭51A替换成磁轭51A1、51A2。第一实施方式的磁轭51B替换成磁轭51B1、51B2。第一实施方式的磁轭51C替换成磁轭51C1、51C2。第一实施方式的磁轭51D替换成磁轭51D1、51D2。第一实施方式的磁轭51E替换成磁轭51E1、51E2。第一实施方式的磁轭51F替换成磁轭51F1、51F2。第一实施方式的磁轭51G替换成磁轭51G1、51G2。第一实施方式的磁轭51H替换成磁轭51H1、51H2。

[0170] 在此，将成为第一实施方式的一个磁轭51的替代品的两个磁轭的组称为磁轭列。构成一个磁轭列的两个磁轭以相互分离且沿着Y方向排列的方式配置。构成一个磁轭列的两个磁轭相当于通过从第一实施方式的一个磁轭51切下露出部分51f而形成的两个部分。
本实施方式中，相对于一个磁轭列对应两个元件列。

[0171] 磁轭51A1、51B1、51C1、51D1、51E1、51F1、51G1、51H1各自包含第一实施方式中说明的两个被屏蔽部分51a、51b和露出部分51e。磁轭51A2、51B2、51C2、51D2、51E2、51F2、51G2、51H2各自包含第一实施方式中说明的两个被屏蔽部分51c、51d和露出部分51g。

[0172] 本实施方式中，16个磁轭51各自具有例如Y方向上较长的长方体形状。另外，16个磁轭51的形状相同。

[0173] 本实施方式的其它结构、作用及效果与第一实施方式一样。

[0174] [第三实施方式]

[0175] 接着，对本发明的第三实施方式进行说明。图21是表示本实施方式的磁传感器的立体图。图22是表示本实施方式的磁传感器的俯视图。此外，图22中，省略屏蔽件71A、71B、71C、71D。

[0176] 以下，对本实施方式的磁传感器30与第一实施方式的磁传感器30不同的点进行说明。本实施方式中，磁场转换部50替代第一实施方式的8个磁轭51，而包含32个磁轭51。以下，将32个磁轭51使用符号51Aa、51Ab、51Ac、51Ad、51Ba、51Bb、51Bc、51Bd、51Ca、51Cb、51Cc、51Cd、51Da、51Db、51Dc、51Dd、51Ea、51Eb、51Ec、51Ed、51Fa、51Fb、51Fc、51Fd、51Ga、
51Gb、51Gc、51Gd、51Ha、51Hb、51Hc、51Hd进行区别。

[0177] 第一实施方式的磁轭51A替换成磁轭51Aa、51Ab、51Ac、51Ad。第一实施方式的磁轭51B替换成磁轭51Ba、51Bb、51Bc、51Bd。第一实施方式的磁轭51C替换成磁轭51Ca、51Cb、
51Cc、51Cd。第一实施方式的磁轭51D替换成磁轭51Da、51Db、51Dc、51Dd。第一实施方式的磁轭51E替换成磁轭51Ea、51Eb、51Ec、51Ed。第一实施方式的磁轭51F替换成磁轭51Fa、51Fb、
51Fc、51Fd。第一实施方式的磁轭51G替换成磁轭51Ga、51Gb、51Gc、51Gd。第一实施方式的磁轭51H替换成磁轭51Ha、51Hb、51Hc、51Hd。

[0178] 在此，将成为第一实施方式的一个磁轭51的替代品的四个磁轭的组称为磁轭列。构成一个磁轭列的四个磁轭以相互分离且沿着Y方向排列的方式配置。构成一个磁轭列的四个磁轭相当于通过从第一实施方式的一个磁轭51切下三个露出部分51e、51f、51g而形成的四个部分。本实施方式中，相对于一个磁轭列对应两个元件列。

[0179] 磁轭51Aa、51Ba、51Ca、51Da、51Ea、51Fa、51Ga、51Ha沿着与Z方向平行的方向观察时位于屏蔽件71A、72A各自的外缘的内侧。磁轭51Ab、51Bb、51Cb、51Db、51Eb、51Fb、51Gb、51Hb沿着与Z方向平行的方向观察时位于屏蔽件71B、72B各自的外缘的内侧。磁轭51Ac、
51Bc、51Cc、51Dc、51Ec、51Fc、51Gc、51Hc沿着与Z方向平行的方向观察时位于屏蔽件71C、
72C各自的外缘的内侧。磁轭51Ad、51Bd、51Cd、51Dd、51Ed、51Fd、51Gd、51Hd沿着与Z方向平行的方向观察时位于屏蔽件71D、72D各自的外缘的内侧。

[0180] 本实施方式中，32个磁轭51各自具有例如Y方向上较长的长方体形状。另外，32个磁轭51的形状相同。

[0181] 本实施方式的磁传感器30与第一实施方式一样，具有第一及第二特征。本实施方式的磁传感器30还具有第三特征。第三特征在于，沿着与Z方向平行的方向观察时，32个磁轭51各自位于屏蔽件71A、71B、71C、71D中的任一个屏蔽件的外缘的内侧，且位于屏蔽件72A、72B、72C、72D中的任一个屏蔽件的外缘的内侧。

[0182] 根据本实施方式，通过不仅具有第二特征还具有第三特征，可更有效地发挥第一实施方式中说明的第二效果。以下，对于其原因，参照图18进行说明。如第一实施方式中进行的说明，图18所示的磁轭51A中，施加磁场的强度为0以外的某个值时，露出部分51e中的磁化变得比被屏蔽部分51a、51b各自中的磁化大。被屏蔽部分51a、51b各自的磁化受到露出部分51e中的磁化的影响，与没有露出部分51e的情况相比时变大。因此，与没有露出部分51e的情况相比时，相对于施加磁场的变化的被屏蔽部分51a、51b各自中的磁化的变化未顺畅地进行。其结果，被屏蔽部分51a、51b各自中均出现磁滞。这样，第一实施方式的磁轭51中，被屏蔽部分51a、51b、51c、51d各自中均出现磁滞。

[0183] 本实施方式中，通过第三特征，磁轭51也可以包含相当于露出部分51e、51f、51g的部分。由此，根据本实施方式，能更有效地发挥第二效果。

[0184] 本实施方式的其它结构、作用及效果与第一实施方式一样。

[0185] [模拟结果]

[0186] 接着，参照以下的模拟的结果进一步说明第一实施方式中说明的第一效果。

[0187] 模拟中，对于第一～第三模型，比较多个屏蔽件产生的第二磁场成分Hy的吸收能力。第一～第三模型中的多个屏蔽件利用相同组成的NiFe构成。

[0188] 图23是表示第一模型的立体图。如图23所示，第一模型具备屏蔽件171、172。第一模型中的屏蔽件171、172与图17所示的比较例的磁传感器130的屏蔽件171、172对应。第一模型的屏蔽件171、172具有相同的长方体形状。屏蔽件171、172各自的X方向的尺寸、Y方向的尺寸及Z方向的尺寸分别为135μm、120μm、7μm。屏蔽件172相对于屏蔽件171隔开5μm的间隔并配置于屏蔽件171的下方。

[0189] 在此，如图23所示，假定沿着Y方向延伸的第一直线L1。第一直线L1包含位于屏蔽件171、172之间的空间中的Z方向的中心且X方向的中心的线段。

[0190] 另外，将第一直线L1上的任意点的位置称为第一测定位置，将上述线段的中心的点称为第一原点。第一测定位置以将距第一原点的距离设为绝对值的值来表示。第一测定位置在处于比第一原点靠-Y方向的前端的情况下以负的值表示，在处于比第一原点靠Y方向的前端的情况下以正的值表示。

[0191] 模拟中，改变第二磁场成分Hy的强度，求得相对于第一模型施加第二磁场成分Hy时的第一测定位置与第一磁通通过率的关系。第一磁通通过率是第一测定位置处的磁通密度的值相对于与第二磁场成分Hy对应的磁通密度By的值的比。

[0192] 图24表示与第一模型相关的模拟的结果的一部分。图24中，横轴表示第一测定位置，纵轴表示第一磁通通过率。图24中，以符号181、182、183表示的线分别表示磁通密度By的值为100mT、120mT、140mT时的第一测定位置与第一磁通通过率的关系。

[0193] 图25是表示第二模型的立体图。如图25所示，第二模型替代第一模型的屏蔽件171而具备屏蔽件271A、271B，替代第一模型的屏蔽件172而具备屏蔽件272A、272B。屏蔽件271A、271B、272A、272B具有相同的长方体形状。屏蔽件271A、271B、272A、272B各自的X方向的尺寸、Y方向的尺寸及Z方向的尺寸分别为135μm、60μm、7μm。

[0194] 屏蔽件271B相对于屏蔽件271A隔开27μm的间隔，并配置于屏蔽件271A的Y方向的前端。屏蔽件272B相对于屏蔽件272A隔开27μm的间隔，并配置于屏蔽件272A的Y方向的前端。屏蔽件272A相对于屏蔽件271A隔开5μm的间隔，并配置于屏蔽件271A的下方。屏蔽件272B相对于屏蔽件271B隔开5μm的间隔，并配置于屏蔽件271B的下方。

[0195] 在此，如图25所示，假定沿着Y方向延伸的第二直线L2。第二直线L2包含位于屏蔽件271A、272A之间的空间的Z方向的中心且X方向的中心的第一线段和位于屏蔽件271B、272B之间的空间的Z方向的中心且X方向的中心的第二线段。

[0196] 另外，将第二直线L2上的任意点的位置称为第二测定位置。另外，将第二直线L2上的点且上述第一线段与第二线段之间的中心的点称为第二原点。第二测定位置以将距第二原点的距离设为绝对值的值表示。第二测定位置在处于比第二原点靠-Y方向的前端的情况下以负的值表示，在处于比第二原点靠Y方向的前端的情况下以正的值表示。

[0197] 模拟中，改变第二磁场成分Hy的强度，求得相对于第二模型施加第二磁场成分Hy时的第二测定位置与第二磁通通过率的关系。第二磁通通过率是第二测定位置处的磁通密度的值相对于与第二磁场成分Hy对应的磁通密度By的值的比。

[0198] 图26表示与第二模型相关的模拟的结果的一部分。图26中，横轴表示第二测定位置，纵轴表示第二磁通通过率。图26中，以符号281、282、283表示的线分别表示磁通密度By的值为180mT、200mT、220mT时的第二测定位置与第二磁通通过率的关系。

[0199] 图27是表示第三模型的立体图。如图27所示，第三模型替代第一模型的屏蔽件171而具备屏蔽件71A、71B、71C、71D，且替代第一模型的屏蔽件172而具备屏蔽件72A、72B、72C、72D。第三模型的屏蔽件71A、71B、71C、71D、72A、72B、72C、72D与第一～第三实施方式中的屏蔽件71A、71B、71C、71D、72A、72B、72C、72D对应。第三模型的屏蔽件71A、71B、71C、71D、72A、
72B、72C、72D具有相同的长方体形状。屏蔽件71A、71B、71C、71D、72A、72B、72C、72D各自的X方向的尺寸、Y方向的尺寸及Z方向的尺寸分别为135μm、25μm、7μm。

[0200] 沿着与Z方向平行的方向观察时，屏蔽件71A、71B、71C、71D沿着Y方向依次排列，屏蔽件72A、72B、72C、72D沿着Y方向依次排列。Y方向上相邻的两个屏蔽件的间隔为27μm。屏蔽件72A、72B、72C、72D分别相对于屏蔽件71A、71B、71C、71D隔开5μm的间隔，并配置于屏蔽件71A、71B、71C、71D的下方。

[0201] 在此，如图27所示，假定沿着Y方向延伸的第三直线L3。第三直线L3包含：位于屏蔽件71A、72A之间的空间中的Z方向的中心且X方向的中心的第一线段；位于屏蔽件71B、72B之间的空间中的Z方向的中心且X方向的中心的第二线段；位于屏蔽件71C、72C之间的空间中的Z方向的中心且X方向的中心的第三线段；位于屏蔽件71D、72D之间的空间中的Z方向的中心且X方向的中心的第四线段。

[0202] 另外，将第三直线L3上的任意点的位置称为第三测定位置。另外，将第三直线L3上的点且上述第二线段与第三线段之间的中心的点称为第三原点。第三测定位置以将距第三原点的距离为绝对值的值表示。第三测定位置在处于比第三原点靠-Y方向的前端的情况下以负的值表示，在处于比第三原点靠Y方向的前端的情况下以正的值表示。

[0203] 模拟中，改变第二磁场成分Hy的强度，求得相对于第三模型施加第二磁场成分Hy时的第三测定位置与第三磁通通过率的关系。第三磁通通过率是第三测定位置处的磁通密度的值相对于与第二磁场成分Hy对应的磁通密度By的值的比。

[0204] 图28表示与第三模型相关的模拟的结果的一部分。图28中，横轴表示第三测定位置，纵轴表示第三磁通通过率。图28中，以符号381、382、383、384表示的线分别是磁通密度By的值为360mT、380mT、400mT、420mT时的第三测定位置与第三磁通通过率的关系。

[0205] 模拟中，对第一～第三模型各自求得磁通密度By与标准化磁通通过率的关系。与第一模型相关的标准化磁通通过率如以下求得。首先，将从-6μm到6μm的第一测定位置的范围设为第一测定范围。接着，对磁通密度By的每个值求得第一测定范围内的第一磁通通过率的平均值。接着，将磁通密度By的每个值的上述平均值除以与第一模型相关的模拟中的磁通密度By的最小值所对应的上述平均值得到的值设为磁通密度By的每个值的标准化磁通通过率。

[0206] 与第二模型相关的标准化磁通通过率如以下求得。首先，将从-49μm到-37μm的第二测定位置的范围及从37μm到49μm的第二测定位置的范围设为第二测定范围。接着，对磁通密度By的每个值求得第二测定范围内的第二磁通通过率的平均值。接着，将磁通密度By的每个值的上述平均值除以与第二模型相关的模拟中的磁通密度By的最小值所对应的上述平均值得到的值设为磁通密度By的每个值的标准化磁通通过率。

[0207] 与第三模型相关的标准化磁通通过率如以下求得。首先，将从-31μm到-19μm的第三测定位置的范围及从19μm到31μm的第三测定位置的范围设为第三测定范围。接着，对磁通密度By的每个值求得第三测定范围内的第三磁通通过率的平均值。接着，将磁通密度By的每个值的上述平均值除以与第三模型相关的模拟中的磁通密度By的最小值所对应的上述平均值得到的值设为磁通密度By的每个值的标准化磁通通过率。

[0208] 图29中表示第一～第三模型各自的、磁通密度By与标准化磁通通过率的关系。图29中，横轴表示磁通密度By，纵轴表示标准化磁通通过率。另外，图29中，符号401表示第一模型中的磁通密度By与标准化磁通通过率的关系，符号402表示第二模型的磁通密度By与标准化磁通通过率的关系，符号403表示第三模型的磁通密度By与标准化磁通通过率的关系。

[0209] 如图29所示，第一～第三模型的任意者中，若磁通密度By的值为某个值以下，则标准化磁通通过率均为1，但当磁通密度By的值超过某个值时，标准化磁通通过率变得比1大，且磁通密度By的值越大，标准化磁通通过率变得越大。可以说标准化磁通通过率越大，屏蔽件的第二磁场成分Hy的吸收能力越低。标准化磁通通过率开始比1大的磁通密度By的值在第三模型中最大，接着，在第二模型中较大，在第一模型中最小。据此可知，通过第一实施方式中说明的第一特征，可得到能够提高屏蔽件的第二磁场成分Hy的吸收能力的第一效果。

[0210] [实验结果]

[0211] 接着，对于第一～第三实施方式的磁传感器30说明比较检测信号的磁滞的实验的结果。

[0212] 首先，对实验的内容进行说明。以下，将相对于磁传感器30的与Z方向平行的方向的施加磁场的强度称为施加磁场强度，并以符号Bz表示。另外，将磁场检测部60的检测信号的值称为检测信号值，并以符号DS表示。施加磁场强度Bz中，-Z方向的施加磁场以负的值表示，Z方向的施加磁场以正的值表示。施加磁场强度Bz以在没有施加磁场时设为0，将最大值设为100，将最小值设为-100的任意单位表示。另外，检测信号值DS也以任意单位表示。在没有检测信号的磁滞的情况下，施加磁场强度Bz为0时，检测信号值DS为0。另外，将强度Bz为100时的检测信号值设为DSH，将强度Bz为-100时的检测信号值设为DSL，并将DSH-DSL的值设为DDS。

[0213] 图30是表示实验的内容的说明图。如图30所示，实验中，使用第一～第三实施方式的磁传感器30，使施加磁场强度Bz从-100逐渐增加到100，然后，从100逐渐减少到0，并测定期间的检测信号值DS。

[0214] 实验中，使用第一磁滞参数HP1和第二磁滞参数HP2评价检测信号的磁滞。以下，对第一及第二磁滞参数HP1、HP2的定义进行说明。

[0215] 如图30所示，使施加磁场强度Bz从-100逐渐增加，并将施加磁场强度Bz成为0时的检测信号值DS设为DS1。另外，使施加磁场强度Bz从100逐渐减少，并将施加磁场强度Bz成为0时的检测信号值DS设为DS2。第一磁滞参数HP1是将(DS2-DS1)/DDS以百分率表示的值。

[0216] 另外，如图30所示，使施加磁场强度Bz从-100逐渐增加，并将施加磁场强度Bz成为50时的检测信号值DS设为DS3。另外，使施加磁场强度Bz从100逐渐减少，并将施加磁场强度Bz成为50时的检测信号值DS设为DS4。第二磁滞参数HP2是将(DS4-DS3)/DDS以百分率表示的值。

[0217] 图31表示对于第一实施方式的一个磁传感器30的实验结果。图32表示对于第二实施方式的一个磁传感器30的实验结果。图33表示对于第三实施方式的一个磁传感器30的实验结果。图31～图33中，横轴表示施加磁场强度Bz，纵轴表示检测信号值DS。

[0218] 实验中，关于第一～第三实施方式各自，对多个磁传感器30求得第一及第二磁滞参数HP1、HP2的值。图34表示第一磁滞参数HP1的值的分布。图35表示第二磁滞参数HP2的值的分布。图34及图35中，横轴表示磁轭51的长度。EB1表示第一实施方式的磁轭51的长度，EB2表示第二实施方式的磁轭51的长度，EB3表示第三实施方式的磁轭51的长度。因此，EB1、EB2、EB3分别与第一～第三实施方式对应。图34的纵轴将第一磁滞参数HP1的值以对数刻度表示。图35的纵轴将第二磁滞参数HP2的值以对数刻度表示。

[0219] 如图34所示，第三实施方式中的第一磁滞参数HP1的值的分布比第一及第二实施方式中的第一磁滞参数HP1的值的分布接近0。

[0220] 如图35所示，第三实施方式中的第二磁滞参数HP2的值的分布也比第一及第二实施方式中的第二磁滞参数HP2的值的分布接近0。

[0221] 根据图34及图35所示的实验结果可知，根据第三实施方式，能更有效地发挥第二效果。

[0222] 此外，本发明不限定于上述各实施方式，可进行各种变更。例如，只要满足权利要求的要件，MR元件、磁轭及多个屏蔽件的形状、数目及配置就不限于各实施方式所示的例子，是任意的。例如，本发明的磁传感器也可以仅具备屏蔽件71A、71B、71C、71D的组和屏蔽件72A、72B、72C、72D的组的一方。

[0223] 另外，本发明的磁传感器中，也可以仅在X方向上的一个磁轭51的一侧配置一个以上的MR元件90。

[0224] 另外，磁场检测部60包含电源端口V、接地端口G、第一输出端口E1、第一电阻部61及第二电阻部62，但也可以是不包含第二输出端口E2、第三电阻部63、第四电阻部64的结构。在该情况下，磁场检测部60的检测信号依赖于第一输出端口E1的电位。

[0225] 基于以上的说明可知，可实施本发明的各种方式或变形例。因此，在以下的权利要求的均等的范围内，即使是上述的最佳形式以外的形式也可实施本发明。

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