专利汇可以提供背照式图像传感器专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本 发明 提出一种背照式图像 传感器 ,包括: 半导体 材料层;位于半导体材料层的光电 二极管 ;转移晶体管、浮置扩散区、源跟随晶体管、复位晶体管;其中,所述 光电二极管 为P型掺杂区域;所述源跟随晶体管为鳍式 场效应晶体管 ,所述源跟随晶体管的 沟道 区区域为横梁结构,所述横梁结构具有顶面和两个侧面,源跟随晶体管的栅极 覆盖 所述顶面和两个侧面的至少其中一面;所述源跟随晶体管为NMOS晶体管,由于通过N型掺杂区域隔离源跟随晶体管底部的P型掺杂区域与光电二极管的P型掺杂区域,降低了工艺难度,并且由于源跟随晶体管底部的P型掺杂区域与光电二极管的P型掺杂区域间距相对较大,可以有效避免两者连通,从而保证图像传感器性能。,下面是背照式图像传感器专利的具体信息内容。
1.一种背照式图像传感器,其特征在于,包括:
半导体材料层;
位于半导体材料层的光电二极管;
转移晶体管、浮置扩散区、源跟随晶体管、复位晶体管;
其中,所述光电二极管为P型掺杂区域;所述源跟随晶体管为鳍式场效应晶体管,所述源跟随晶体管的沟道区区域为横梁结构,所述横梁结构具有顶面和两个侧面,源跟随晶体管的栅极覆盖所述顶面和两个侧面的至少其中一面;所述源跟随晶体管为NMOS晶体管。
2.根据权利要求1所述的背照式图像传感器,其特征在于,所述源跟随晶体管的横梁结构底部对应的半导体材料层具有P型掺杂区域,所述P型掺杂区域与光电二极管的P型掺杂区域之间由N型掺杂区域隔离。
3.根据权利要求1所述的背照式图像传感器,其特征在于,相邻光电二极管之间由N型掺杂区域隔离。
4.根据权利要求1所述的背照式图像传感器,其特征在于,所述光电二极管的上部具有N型钉扎层。
5.根据权利要去1所述的背照式图像传感器,其特征在于,所述浮置扩散区为横梁结构,所述浮置扩散区耦接于源跟随晶体管的栅极。
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