专利汇可以提供具有掩埋位线的半导体构造及其形成方法专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本 发明 包括 半导体 结构,该结构具有掩埋的包含 硅 化物的位线。可以在该位线上形成垂直环栅晶体管结构。环栅晶体管结构可以结合到 存储器 件中,例如,结合到DRAM器件中。本发明可以用于形成4F2DRAM器件。,下面是具有掩埋位线的半导体构造及其形成方法专利的具体信息内容。
1.一种半导体结构的形成方法,包括:
提供半导体衬底,该半导体衬底具有第一掺杂半导体区和第一掺 杂半导体区之上的第二掺杂半导体区,第一和第二掺杂半导体区之一 是p型区,另一个是n型区;
形成延伸穿过第二掺杂半导体区并进入第一掺杂半导体区的沟 槽,该沟槽具有包括第一和第二掺杂半导体区的侧壁;
从沟槽侧壁形成硅化物,该硅化物位于第二掺杂半导体区内,而 不在第一掺杂半导体区内;以及
在沟槽内形成电绝缘材料以覆盖该硅化物。
2.权利要求1的方法,其中电绝缘材料是第二电绝缘材料,该方 法还包括:
在沟槽中形成第一电绝缘材料以部分地填充沟槽,该部分填充的 沟槽被填充成沿着侧壁高于第一掺杂半导体区的最上部分的高度水 平;
在部分填充的沟槽中并沿着侧壁的第二掺杂半导体区形成包含金 属的层;以及
使包含金属的层中的至少一些金属与侧壁的第二掺杂半导体区发 生反应以形成硅化物。
3.权利要求2的方法,其中包含金属的层包括Co、Ni、Ta、W和 Ti中的一种或多种。
4.权利要求2的方法,其中第一和第二电绝缘材料在化学成分上 彼此相同。
5.权利要求4的方法,其中第一和第二电绝缘材料都包括二氧化 硅。
6.权利要求4的方法,其中第一和第二电绝缘材料都由二氧化硅 组成。
7.权利要求1的方法,其中第一掺杂半导体区是p型区。
8.权利要求1的方法,其中第一掺杂半导体区是n型区。
9.权利要求1的方法,其中第一和第二掺杂半导体区包括导电掺 杂的硅。
10.权利要求1的方法,其中第一和第二掺杂半导体区包括导电 掺杂的单晶硅。
11.权利要求1的方法,其中第一和第二掺杂半导体区基本由导 电掺杂的单晶硅组成。
12.权利要求1的方法,其中第一和第二掺杂半导体区由导电掺 杂的单晶硅组成。
13.权利要求1的方法,还包括将硅化物结合到位线中。
14.一种半导体结构的形成方法,包括:
提供半导体材料,该半导体材料具有在其中延伸的沟槽;
在沟槽的底部内形成第一电绝缘材料以部分地填充沟槽,部分填 充的沟槽具有包括半导体材料的侧壁;
将侧壁的半导体材料结合到硅化物中,该硅化物是沿着沟槽延伸 的线;以及
使用第二电绝缘材料填充沟槽以覆盖该硅化物。
15.权利要求14的方法,还包括将硅化物线结合到位线中。
16.权利要求14的方法,还包括:
在衬底之上、部分填充的沟槽中并且沿着侧壁形成包含金属的 层;以及
通过使包含金属的层中的金属与侧壁的半导体材料发生反应,由 包含金属的层的金属形成硅化物。
17.权利要求14的方法,还包括:
在衬底之上、部分填充的沟槽中并且沿着侧壁形成包含金属的 层;
通过使包含金属的层中的一些金属与侧壁的半导体材料发生反 应,由包含金属的层的金属形成硅化物,包含金属的层的一些金属不 反应形成硅化物;以及
去除包含金属的层的未反应的金属。
18.权利要求14的方法,其中:
半导体材料包括第一掺杂区和第一掺杂区之上的第二掺杂区;
第一和第二掺杂区之一是p型区,另一个是n型区;
沟槽完全延伸穿过第二掺杂区并具有在第一掺杂区中延伸的部 分;并且
第一电绝缘材料完全填充第一掺杂区中的沟槽部分。
19.权利要求18的方法,其中第一掺杂区是n型区。
20.权利要求18的方法,其中第一掺杂区是p型区。
21.权利要求14的方法,其中第一和第二电绝缘材料在化学成分 上彼此相同。
22.权利要求14的方法,其中:
所述侧壁是部分填充的沟槽中的一对相对侧壁之一;
硅化物线是第一硅化物线;
所述相对侧壁对中的另一侧壁的半导体材料结合到硅化物中,以 形成沿着沟槽延伸的第二硅化物线;以及
第二硅化物线与第一硅化物线分隔开。
23.一种半导体器件的形成方法,包括:
提供半导体衬底,该半导体衬底具有半导电材料表面;
形成延伸到衬底中的沟槽;
沿着沟槽的侧壁形成硅化物线;
在沟槽中淀积第一电绝缘材料以覆盖该硅化物线;
在硅化物线和第一电绝缘材料上形成图形化的第二电绝缘材料; 该图形化的第二电绝缘材料具有穿过其延伸的开口,以暴露半导体衬 底的半导电材料表面的一部分;
在开口中形成导电掺杂半导体材料的立柱;以及
使用导电材料代替至少一些第二电绝缘材料。
24.权利要求23的方法,其中半导体衬底包括沿着所述表面的单 晶半导体材料,且其中导电掺杂半导体材料的立柱从衬底的单晶半导 体材料外延生长。
25.权利要求24的方法,其中衬底的单晶半导体材料包括硅。
26.权利要求24的方法,其中衬底的单晶半导体材料由硅组成。
27.权利要求24的方法,其中导电掺杂半导体材料的立柱被掺杂 成包括一对第二类型区域之间的第一类型区域,第一和第二类型之一 是n型,另一类型是p型。
28.权利要求27的方法,其中第一类型区域是n型区。
29.权利要求27的方法,其中第一类型区域是p型区。
30.权利要求23的方法,其中:
衬底包括第一掺杂区和第一掺杂区之上的第二掺杂区,第一和第 二掺杂区之一是p型的,另一个是n型的;
沟槽延伸穿过第二掺杂区并进入第一掺杂区中;
硅化物位于衬底的第二掺杂区内,而不位于衬底的第一掺杂区 内。
31.权利要求30的方法,其中第一掺杂区是p型区。
32.权利要求30的方法,其中第一掺杂区是n型区。
33.权利要求23的方法,其中:
衬底包括第一掺杂区和第一掺杂区之上的第二掺杂区,第一和第 二掺杂区之一是p型的,另一个是n型的;
沟槽延伸穿过第二掺杂区并进入第一掺杂区中;
在形成硅化物之前,在沟槽的底部内形成填充材料;
填充材料完全填充延伸到第二掺杂区的沟槽的部分;
在沟槽内和填充材料上形成包含金属的层;以及
包含金属的层中的金属与第二掺杂区的衬底发生反应以形成硅化 物。
34.权利要求23的方法,其中:
导电掺杂半导体材料的立柱包括一对源极/漏极区之间的沟道 区;
代替至少一些第二电绝缘材料的导电材料包括晶体管栅极并结合 到字线中,该栅极通过沟道区门控地将源极/漏极区彼此连接;并且
硅化物与源极/漏极区之一电连接并结合到位线中。
35.权利要求34的方法,其中所述与硅化物电连接的源极/漏极 区中的一个是第一源极/漏极区,其中该对源极/漏极区的源极/漏极区 中的另一个是第二源极/漏极区,并与电容器电连接,且其中晶体管栅 极、电容器、源极/漏极区以及沟道区的组合形成DRAM单元。
36.权利要求35的方法,其中DRAM单元与多个其它DRAM单元同 时形成,并与所述其它DRAM单元一起结合到DRAM阵列中。
37.权利要求36的方法,还包括将DRAM阵列结合到电子装置中。
38.一种半导体存储装置的形成方法,包括:
提供半导体衬底,该半导体衬底具有半导电材料的上表面;
形成延伸穿过该上表面并进入衬底内的沟槽;
沿着沟槽的侧壁形成位线;
在沟槽中淀积第一电绝缘材料以覆盖该位线;
在位线和第一电绝缘材料上形成图形化的第二电绝缘材料;该图 形化的第二电绝缘材料具有穿过其延伸的开口,以暴露半导电材料上 表面的一部分;
在开口中形成导电掺杂半导体材料的垂直延伸立柱,该立柱被掺 杂成包括在第二类型沟道区的垂直相对侧的一对第一类型源极/漏极 区,第一和第二类型之一为p型,另一类型为n型,该对源极/漏极区 是第一源极/漏极区和第二源极/漏极区,第一源极/漏极区与位线电连 接;
在立柱周围形成栅极电介质;
使用导电字线材料代替至少一些第二电绝缘材料,导电字线材料 横向环绕立柱,并通过栅极电介质与立柱分离开;以及
形成与第二源极/漏极区电连接的电荷存储器件。
39.权利要求38的方法,其中位线由金属硅化物组成。
40.权利要求38的方法,其中电荷存储器件是电容器。
41.权利要求40的方法,其中电容器、源极/漏极区和沟道区一 起结合到DRAM单元中。
42.权利要求41的方法,其中DRAM单元是使用彼此相同的工艺 形成的多个DRAM单元中的一个。
43.权利要求42的方法,其中DRAM单元是使用彼此相同的工艺 形成的多个DRAM单元中的一个。
44.权利要求43的方法,还包括将该多个DRAM单元结合到电子 系统中。
45.权利要求38的方法,其中穿过第二绝缘材料延伸到半导电材 料表面的暴露部分的开口是第二开口,该方法还包括:
在衬底上形成蚀刻停止材料;
在蚀刻停止材料上形成第二电绝缘材料并图形化该第二电绝缘材 料,以形成具有第一开口的图形化的第二电绝缘材料,该第一开口穿 过图形化的第二电绝缘材料延伸到蚀刻停止材料,该第二电绝缘材料 形成了该开口的边界;
沿着所述边界形成被各向异性蚀刻的隔离物以使第一开口变窄; 以及
将变窄的第一开口延伸到半导电材料上表面以形成第二开口。
46.权利要求45的方法,其中第二电绝缘材料直接靠着蚀刻停止 材料形成。
47.权利要求45的方法,还包括在衬底上形成低k电介质材料以 及在该低k电介质材料上并直接靠着该低k电介质材料形成蚀刻停止 材料。
48.权利要求47的方法,其中低k电介质材料包括二氧化硅,且 其中蚀刻停止材料包括氧化铝和氧化铪之一或二者。
49.权利要求45的方法,还包括在形成垂直延伸立柱之后:
相对于第二电绝缘材料选择性地去除各向异性蚀刻的隔离物以在 第二电绝缘材料和垂直延伸立柱之间形成间隔;以及
在该间隔中形成栅极电介质。
50.权利要求49的方法,栅极电介质包括二氧化硅,其中垂直延 伸立柱包括硅,且其中通过使垂直延伸立柱的表面暴露于氧化条件形 成栅极电介质。
51.权利要求49的方法,栅极电介质由二氧化硅组成,并通过沿 着垂直延伸立柱的表面淀积二氧化硅而形成。
52.权利要求49的方法,图形化的第二电绝缘材料包括二氧化硅, 且其中各向异性蚀刻的隔离物包括氮化硅。
53.一种半导体构造,包括:
第一掺杂半导体区;
第一掺杂半导体区之上的第二掺杂半导体区,第一和第二掺杂半 导体区之一是p型区,另一个是n型区;
完全延伸穿过第二掺杂半导体区并部分进入第一半导体区的隔离 区;以及
沿着隔离区并直接靠着该隔离区延伸的硅化物线,该硅化物线完 全包含在隔离区和第二掺杂半导体区之间。
54.权利要求53的构造,其中第一和第二掺杂半导体区分别是n 型和p型区。
55.权利要求53的构造,其中第一和第二掺杂半导体区分别是p 型和n型区。
56.权利要求53的构造,其中第一和第二掺杂半导体区都由掺杂 的硅组成。
57.权利要求53的构造,其中第一和第二掺杂半导体区都由掺杂 的单晶硅组成。
58.权利要求53的构造,其中隔离区包括二氧化硅。
59.权利要求53的构造,其中硅化物选自下面的组,该组包括硅 化钴、硅化镍、硅化钛、硅化钨、硅化钽及其混合物。
60.一种半导体构造,包括:
第一掺杂半导体区;
第一掺杂半导体区之上的第二掺杂半导体区,第一和第二掺杂半 导体区之一是p型区,另一个是n型区;
完全延伸穿过第二掺杂半导体区并部分进入第一掺杂半导体区的 隔离区,该隔离区是具有一对相对侧壁的线,所述侧壁之一是第一侧 壁,另一个是第二侧壁;
沿着第一侧壁并直接靠着第一侧壁延伸的第一硅化物线,该第一 硅化物线与第二掺杂半导体区直接物理接触,但不与第一掺杂半导体 区直接物理接触;以及
沿着第二侧壁并直接靠着第二侧壁延伸的第二硅化物线,该第二 硅化物线与第二掺杂半导体区直接物理接触,但不与第一掺杂半导体 区直接物理接触。
61.权利要求60的构造,其中第一和第二硅化物线完全包含在隔 离区和第二掺杂半导体区之间。
62.权利要求60的构造,其中第一和第二掺杂半导体区分别是n 型和p型区。
63.权利要求60的构造,其中第一和第二掺杂半导体区分别是p 型和n型区。
64.权利要求60的构造,其中隔离区包括二氧化硅。
65.权利要求60的构造,其中隔离区是单一同质成分。
66.权利要求60的构造,其中隔离区具有下部和上部,它们具有 彼此不同的化学成分。
67.权利要求66的构造,其中下部包括第一掺杂半导体区中的整 个隔离区,以及第二掺杂半导体区中的部分隔离区。
68.一种半导体构造,包括:
包括导电掺杂半导电材料的半导体衬底;
导电掺杂半导电材料中的沟槽化隔离区,该沟槽化隔离区具有侧 壁;
沟槽化隔离区的侧壁和导电掺杂半导电材料之间的位线;
位线和沟槽化隔离区之上的电介质材料;
电介质材料之上的字线;以及
临近字线并包括一对源极/漏极区之间的垂直的沟道区的垂直延 伸立柱,该字线包括晶体管栅极,该栅极通过沟道区门控地将源极/漏 极区彼此连接,该对源极/漏极区之一与位线电连接。
69.权利要求68的构造,其中位线包含金属硅化物。
70.权利要求68的构造,其中衬底的导电掺杂半导电材料包括硅。
71.权利要求68的构造,其中垂直延伸立柱不直接位于位线之上。
72.权利要求68的构造,其中导电掺杂的半导电材料包括单晶半 导电材料,且其中垂直延伸立柱包括所述单晶半导电材料的单晶延 伸。
73.权利要求68的构造,其中垂直延伸立柱的源极/漏极区是n 型区,且垂直延伸立柱的沟道区是p型区。
74.权利要求68的构造,其中垂直延伸立柱的源极/漏极区是p 型区,且垂直延伸立柱的沟道区是n型区。
75.权利要求68的构造,其中电介质材料由二氧化硅组成。
76.权利要求68的构造,其中:
衬底包括第一掺杂区和第一掺杂区之上的第二掺杂区,第一和第 二掺杂区之一是p型的,另一个是n型的,导电掺杂的半导电材料是 第二掺杂区;
沟槽化隔离区延伸穿过第二掺杂区并进入第一掺杂区中;
位线位于衬底的第二掺杂区中,且不位于衬底的第一掺杂区中。
77.权利要求76的构造,其中第一掺杂区是p型区。
78.权利要求76的构造,其中第一掺杂区是n型区。
79.权利要求68的构造,其中所述与位线电连接的源极/漏极区 中的一个是第一源极/漏极区,其中该对源极/漏极区的源极/漏极区中 的另一个是第二源极/漏极区并与电容器电连接,且其中晶体管栅极、 电容器、源极/漏极区和沟道区的组合形成了DRAM单元。
80.一种DRAM阵列,包括权利要求79的DRAM单元以及与权利要 求76的DRAM单元基本相同的多个其它DRAM单元。
81.一种电子装置,包括权利要求80所述的DRAM阵列。
82.一种半导体构造,包括:
半导体衬底,该半导体衬底具有半导电材料的上表面;
延伸到衬底内的隔离区;
位于隔离区和衬底之间的位线;
位线和隔离区之上的一对间隔开的字线,该对字线之一是第一字 线,另一个是第二字线;
位于间隔开的字线之间的电绝缘线;
从半导电材料的上表面向上延伸的导电掺杂半导体材料的第一垂 直延伸立柱,该第一垂直延伸立柱穿过第一字线向上延伸,该第一垂 直延伸立柱包括位于第二类型沟道区垂直相对侧的一对第一类型源极 /漏极区,第一和第二类型之一是p型,另一类型是n型,该对源极/ 漏极区是第一源极/漏极区和第二源极/漏极区,第一源极/漏极区与位 线电连接;
从半导电材料的上表面向上延伸的导电掺杂半导体材料的第二垂 直延伸立柱,该第二垂直延伸立柱穿过第二字线向上延伸,该第二垂 直延伸立柱包括位于第二类型沟道区垂直相对侧的一对第一类型源极 /漏极区,第二垂直延伸立柱的该对源极/漏极区是第三源极/漏极区和 第四源极/漏极区,第三源极/漏极区与位线电连接;
第一栅极电介质,位于第一垂直延伸立柱周围并将第一垂直延伸 立柱与第一字线分离;
第二栅极电介质,位于第二垂直延伸立柱周围并将第二垂直延伸 立柱与第二字线分离;
与第二源极/漏极区电连接的第一电荷存储器件;以及
与第四源极/漏极区电连接的第二电荷存储器件。
83.权利要求82的构造,其中第一和第二电荷存储器件是电容器。
84.权利要求83的构造,其中电容器、源极/漏极区和沟道区结 合在一对DRAM单元中。
85.权利要求84的DRAM单元,其中,排除电容器,每个单元是 4F2器件。
86.一种DRAM阵列,包括权利要求84的DRAM单元。
87.一种电子系统,包括权利要求86的DRAM阵列。
88.权利要求83的构造,其中电绝缘线包括二氧化硅。
89.权利要求83的构造,其中电绝缘线包括高k电介质材料上的 二氧化硅。
90.权利要求83的构造,其中电绝缘线由高k电介质材料上的二 氧化硅组成。
91.权利要求90的构造,其中高k电介质材料由氧化铝和氧化铪 之一或二者组成。
92.权利要求83的构造,还包括隔离区和电绝缘线之间的高k电 介质材料。
93.权利要求92的构造,其中高k电介质材料由氧化铝和氧化铪 之一或二者组成。
94.权利要求92的构造,还包括隔离区和高k电介质材料之间的 低k电介质材料。
95.权利要求94的构造,其中低k电介质材料位于第一和第二字 线与衬底的半导电材料上表面之间。
96.权利要求95的构造,其中高k电介质材料不位于第一和第二 字线与衬底的半导电材料上表面之间。
97.权利要求94的构造,其中低k电介质材料包括二氧化硅,且 其中高k电介质材料包括氧化铝和氧化铪之一或二者。
98.权利要求94的构造,其中低k电介质材料由二氧化硅组成。
99.权利要求83的构造,其中第一和第二栅极电介质包括二氧化 硅。
100.权利要求83的构造,其中第一和第二栅极电介质由二氧化 硅组成。
101.权利要求83的构造,其中第一和第二字线包括导电掺杂的 硅。
102.权利要求83的构造,其中第一和第二字线由导电掺杂的硅 组成。
103.权利要求83的构造,其中位线由金属硅化物组成。
本发明涉及半导体构造和半导体结构的形成方法。在特定方面, 本发明涉及半导体构造,该构造包括一个或多个掩埋的位线以及一个 或多个垂直环栅晶体管(surround gate transistor,SGT)结构, 并涉及这种构造的形成方法。
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