一种优化米勒电容和导通压降的功率器件及制备方法
专利汇可以提供一种优化米勒电容和导通压降的功率器件及制备方法专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 公开了一种优化米勒电容和导通压降的功率器件及制备方法，包括衬底，位于衬底左上方的阱区域，阱区域右侧为局部高掺注入区域；阱区域上方依次 离子注入 形成第二导电类型重掺区和第一导电类型重掺区；阱区域重掺区上方设置发射极，衬底右上方依次生长栅 氧 化层和栅极，衬底下方设置收集极。本发明通过区域注入方式替代普遍注入方式，确保在阱周边3um～5um的区域进行注入，栅极下方其余 位置 不进行注入，可以实现注入浓度的提升，从5E11～1E12atom/cm2增加到3E12～5E12atom/cm2，从而在不影响米勒(Miller)电容的前提下，降低器件导通压降。，下面是一种优化米勒电容和导通压降的功率器件及制备方法专利的具体信息内容。
1.一种优化米勒电容和导通压降的功率器件，其特征在于，包括衬底(4)，位于衬底(4)左上方的阱区域(5)，阱区域(5)右侧为局部高掺注入区域(8)；阱区域(5)上方依次离子注入形成第二导电类型重掺区(7)和第一导电类型重掺区(6)；阱区域(5)重掺区上方设置发射极(2)，衬底(4)右上方依次生长栅氧化层和栅极(1)，衬底(4)下方设置收集极(3)。
2.根据权利要求1所述的优化米勒电容和导通压降的功率器件，其特征在于，所述阱区域(5)右侧3-5um为局部高掺注入区域(8)。
3.根据权利要求1所述的优化米勒电容和导通压降的功率器件，其特征在于，所述衬底(4)和局部高掺注入区域(8)为第一导电类型，所述阱区域(5)和收集极(3)为第二导电类型。
4.一种优化米勒电容和导通压降的功率器件制备方法，其特征在于，包括步骤：
(1)在衬底(4)上方右侧区域进行光刻，形成光刻胶阻挡区域；
(2)在衬底(4)上方进行离子注入，形成局部高掺注入区域(8)；
(3)去除光刻胶，在衬底上方生长形成栅氧化层和多晶硅层，然后通过光刻和刻蚀工艺形成多晶硅栅极(1)；
(4)以栅极(1)作为阻挡层，进行P型阱离子注入，然后进行热过程推进，形成阱区域(5)；
(5)通过光刻工艺，进行离子注入，依次形成第二导电类型重掺区(7)和第一导电类型重掺区(6)；
(6)通过金属溅射工艺在阱区域(5)重掺区上方制备发射极(2)，在衬底(4)下方制备收集极(3)；
(7)通过沉积和刻蚀制备器件表面钝化层，最终得到器件的完整结构。
5.根据权利要求4所述的优化米勒电容和导通压降的功率器件制备方法，其特征在于，所述衬底(4)和局部高掺注入区域(8)为第一导电类型，所述阱区域(5)和收集极(3)为第二导电类型。
6.根据权利要求4所述的优化米勒电容和导通压降的功率器件制备方法，其特征在于，所述第二导电类型重掺区(7)的注入深度为30Kev～100Kev，注入浓度为1E15～5E15atom/cm2；所述第一导电类型重掺区(6)的注入深度为30Kev～70Kev，注入浓度为1E15～
5E15atom/cm2。
7.根据权利要求4所述的优化米勒电容和导通压降的功率器件制备方法，其特征在于，所述阱区域(5)右侧3-5um为局部高掺注入区域(8)。
8.根据权利要求4所述的优化米勒电容和导通压降的功率器件制备方法，其特征在于，所述局部高掺注入区域(8)注入浓度为3E12～5E12atom/cm2。
一种优化米勒电容和导通压降的功率器件及制备方法
技术领域
背景技术
发明内容
1E15～5E15 atom/cm2。
附图说明
具体实施方式
5E15atom/cm；所述第一导电类型重掺区6的注入深度为30Kev～70Kev，注入浓度为1E15～
5E15 atom/cm2。
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