专利汇可以提供一种选择性剥离光刻胶制备微纳结构的方法专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本 发明 揭示了一种选择性剥离 光刻 胶 制备微纳结构的方法。本发明通过对衬底进行修饰以降低光刻胶与衬底的粘附 力 ,然后在光刻胶上曝光出所需结构的轮廓,再利用黏贴层选择性的把轮廓以外的光刻胶撕走,留下的光刻胶结构便是正型结构,即代替了常规的负胶结构,从而实现正胶负用。,下面是一种选择性剥离光刻胶制备微纳结构的方法专利的具体信息内容。
1.一种选择性剥离光刻胶制备微纳结构的方法,其特征在于,包括以下步骤:
步骤一、提供衬底,并清洗;
步骤二、对衬底进行修饰降低光刻胶与衬底的粘附力;
步骤三、衬底上旋涂光刻胶得到薄膜;
步骤四、在光刻胶上加工出所需结构的轮廓;所述所需结构包括若干独立单元,独立单元外周形成有闭合的缝隙;
步骤五、在光刻胶上覆盖一层黏贴层;
步骤六、自所需结构以外的光刻胶的边沿处揭开黏贴层,黏贴层将所需结构以外的光刻胶粘走,留下所需结构即衬底上留下的微纳结构;
黏贴层与光刻胶的粘附力a大于光刻胶与衬底的粘附力b。
2.根据权利要求1所述的一种选择性剥离光刻胶制备微纳结构的方法,其特征在于,所述衬底为硅、氧化硅、石英、玻璃、氮化硅、碳化硅、铌酸锂、金刚石、蓝宝石或ITO制成。
3.根据权利要求1所述的一种选择性剥离光刻胶制备微纳结构的方法,其特征在于,所述步骤(2)对衬底修饰的试剂包括HMDS和十三氟正辛基硅烷;对衬底修饰的试剂通过气象法修饰在衬底表面。
4.根据权利要求3所述的一种选择性剥离光刻胶制备微纳结构的方法,其特征在于,在供体衬底表面修饰光刻胶抗粘层为高温气体修饰法或抽真空气体修饰法;高温气体修饰法包括如下步骤:将衬底和光刻胶抗粘剂置于密闭空间中,其中,密闭空间的温度控制在60℃-800℃之间,保温1分钟以上,直接取出衬底;
所述抽真空气体修饰法包括如下步骤:将将衬底和光刻胶抗粘层置于密闭空间中,对密闭空间抽真空至光刻胶抗粘剂气化,保持1分钟以上,直接取出衬底。
5.根据权利要求3所述的一种选择性剥离光刻胶制备微纳结构的方法,其特征在于,所述所述光刻胶包括PMMA,ZEP,瑞红胶,AZ胶,纳米压印胶和光固化胶。
6.根据权利要求1所述的一种选择性剥离光刻胶制备微纳结构的方法,其特征在于,所述光刻胶厚度为1nm-100mm。
7.根据权利要求1所述的一种选择性剥离光刻胶制备微纳结构的方法,其特征在于,所述光刻胶上加工出所需结构的轮廓的方法为电子束曝光,离子束曝光,聚焦离子束曝光,重离子曝光,X射线曝光,等离子体刻蚀,紫外光刻,极紫外光刻,激光直写或纳米压印。
8.根据权利要求1所述的一种选择性剥离光刻胶制备微纳结构的方法,其特征在于,所述黏贴层为PDMS,紫外固化胶,热释放胶,高温胶带,普通胶带,PVA,纤维素或AB胶。
9.权利要求1-8任一一种选择性剥离光刻胶制备微纳结构的方法制备的微纳结构用于微纳制造,光学领域,电学,生物领域,MEMS领域,NEMS领域。
技术领域:
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