Ion implanter
专利汇可以提供Ion implanter专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且PURPOSE: To detect the degree of squeezing an ion beam and prevent the electrostatic breakdown on a wafer due to charge-up and the nonuniform ion implantation in the face by constituting a flag Faraday with a main Faraday and a center Faraday.
CONSTITUTION: An ion implanter has a flag Faraday 1 shielding an ion beam and measuring the beam current when no ion is implanted, the flag Faraday 1 is constituted of a box-shaped main Faraday 1A having the first opening section 2A provided on the first side wall 9A to introduce the ion beam and the second opening section 28 provided on the second side wall 9B facing the first side wall 9A and smaller than the first opening section 2A and a center Faraday 18 measuring the beam current of the ion beam incoming through the second opening section 2B provided on the outer side face of the second side wall 9B via an insulator 7. The degree of squeezing the ion beam can be thereby detected, the electrostatic breakdown or the like on a wafer can be prevented.
COPYRIGHT: (C)1990,JPO&Japio，下面是Ion implanter专利的具体信息内容。
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