专利汇可以提供Manufacture of semiconductor integrated circuit device专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且PURPOSE:To prevent electrification even by increasing an electric current for ion implantation by a method wherein, before ions are implanted, a conductive film is formed on the whole surface of a semiconductor substrate. CONSTITUTION:A conductive film 5 is formed on a whole face of a substrate 1 where a gate electrode 3 composed of a polysilicon layer has been formed via a gate oxide film 2. An electric charge of ions flows from the conductive film 5 to a wafer mounting stand through the substrate 1; accordingly, even when the ions used to form a source and a drain are implanted by using a large-current ion implantation machine, it is possible to prevent the gate electrode 3 from being electrified; accordingly, it is possible to prevent an electrostatic breakdown of the gate oxide film.,下面是Manufacture of semiconductor integrated circuit device专利的具体信息内容。
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