专利汇可以提供一种应用于超低TTV单晶硅片的切割方法专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本 发明 公开了一种应用于超低TTV单晶 硅 片 的切割方法,所述方法包括如下步骤:先清洗机台并设定切割高度,再布置线网同时设置运行参数,采用反向走线的方式,对硅锭进行切割加工,当切割高度达到设定高度的30%时,再采用正向走线的方式继续对硅锭进行切割加工,直至切割完成,取下硅锭。本发明的切割方法通过改变切割过程中不同阶段的金刚线走线方式,有效平衡了送返线比例和金刚线磨损度之间的关系,既保证了送返线之间比例,确保金刚线磨损均匀,又保证了切割的后半程硅锭能够被完全切透,从而有效的控制住了TTV,提升了良品率。,下面是一种应用于超低TTV单晶硅片的切割方法专利的具体信息内容。
1.一种应用于超低TTV单晶硅片的切割方法,其特征在于,包括以下步骤:
步骤1)清洗机台:清洗金刚线切割机的工作台,检查并清洁预处理的硅锭,设定切割高度;
步骤2)布置线网:在放线轴和收线轴之间布置好金刚线切割线网;
步骤3)设定运行参数:在切割过程中,所述工作台带动工件的运行速度为500~2300μm/min,所述金刚线的线速度为800~1380m/min;
步骤4)切割硅锭:先采用反向走线的方式,对所述硅锭进行切割加工,当切割高度达到设定高度的30%时,再采用正向走线的方式继续对硅锭进行切割加工,直至切割完成,取下硅锭。
2.根据权利要求1所述的一种应用于超低TTV单晶硅片的切割方法,其特征在于,步骤
1)所述切割高度为164.5mm。
3.根据权利要求1所述的一种应用于超低TTV单晶硅片的切割方法,其特征在于,步骤
2)所述放线轴和收线轴的丝杠的扭矩为85~90 N·m。
4.根据权利要求1所述的一种应用于超低TTV单晶硅片的切割方法,其特征在于,步骤
2)所述金刚线的切割张力为7~9 N。
5.根据权利要求1所述的一种应用于超低TTV单晶硅片的切割方法,其特征在于,步骤
2)所述金刚线的线径为55±2μm。
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