有机发光二极管显示器及其制造方法
阅读：870发布：2024-02-12
专利汇可以提供有机发光二极管显示器及其制造方法专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 提供一种 有机发光 二极管 显示器 及其制造方法。该 有机 发光二极管 显示器 包括：基底；被设置在基底上并包括本征多晶 半导体 部件和掺杂多晶半导体部件的半导体层； 覆盖 半导体层的栅绝缘层；被设置在栅绝缘层上并传输扫描 信号 的扫描线；和扫描线绝缘并相交并传输数据信号的数据线；被连接到扫描线和数据线的 薄膜 晶体管；以及被连接到 薄膜晶体管 的 有机发光二极管 ，其中本征多晶半导体部件被 定位 在扫描线附近的区域。，下面是有机发光二极管显示器及其制造方法专利的具体信息内容。
1.一种有机发光二极管显示器，包括：
基底；
被设置在所述基底上并包括本征多晶半导体部件和掺杂多晶半导体部件的半导体层；
覆盖所述半导体层的栅绝缘层；
被设置在所述栅绝缘层上并传输扫描信号的扫描线；
与所述扫描线绝缘并相交并传输数据信号的数据线；
被连接到所述扫描线和所述数据线的薄膜晶体管；和
被连接到所述薄膜晶体管的有机发光二极管，
其中所述本征多晶半导体部件被定位在所述扫描线附近的区域。
2.如权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中
所述扫描线包括：
被设置在所述栅绝缘层上的主扫描线，和
被设置在所述主扫描线上并接触所述主扫描线的辅助扫描线。
3.如权利要求2所述的有机发光二极管显示器，其中
所述数据线包括：
被设置在所述栅绝缘层上的辅助数据线，和
被设置在所述辅助数据线上并接触所述辅助数据线的主数据线。
4.如权利要求3所述的有机发光二极管显示器，其中
所述掺杂多晶半导体部件包括被设置在所述扫描线和所述数据线的交叉区域的交叉半导体部件，并且
所述交叉半导体部件包括彼此分离并彼此面对的第一交叉半导体部件和第二交叉半导体部件。
5.如权利要求4所述的有机发光二极管显示器，进一步包括：
被设置在所述交叉半导体部件和所述主扫描线上的交叉层间绝缘层图案，其中所述交叉层间绝缘层图案彼此绝缘所述主扫描线和所述主数据线。
6.如权利要求5所述的有机发光二极管显示器，其中
所述交叉层间绝缘层图案具有包括交叉的横向部件和纵向部件的交叉形状，所述横向部件接触所述主扫描线并被设置在所述主扫描线上，并且所述纵向部件重叠所述交叉半导体部件。
7.如权利要求5所述的有机发光二极管显示器，其中：
所述辅助扫描线的分离部分通过在所述交叉区域的所述主扫描线被连接，并且所述辅助数据线的分离部分通过在所述交叉区域的所述主数据线被连接。
8.如权利要求5所述的有机发光二极管显示器，其中
所述本征多晶半导体部件被定位在所述主扫描线和所述辅助数据线的下方。
9.如权利要求4所述的有机发光二极管显示器，其中
所述掺杂多晶半导体部件进一步包括被设置在所述薄膜晶体管处的晶体管半导体部件，并且
所述晶体管半导体部件包括彼此分离并彼此面对的源区和漏区。
10.如权利要求9所述的有机发光二极管显示器，进一步包括：
部分重叠所述晶体管半导体部件的晶体管层间绝缘层图案；和
部分重叠所述晶体管半导体部件的源电极和漏电极。
11.一种制造有机发光二极管显示器的方法，该方法包括：
在基底上顺序形成包括本征多晶半导体的半导体层、栅绝缘层和栅极层；
掺杂所述半导体层，以提供掺杂多晶半导体部件和本征多晶半导体部件；
在所述掺杂多晶半导体部件和所述栅极层上形成层间绝缘层图案；
在所述栅极层和所述层间绝缘层图案上形成数据层；
图案化所述数据层，以提供辅助扫描线和主数据线；以及
图案化被设置在所述辅助扫描线和所述主数据线附近的区域的所述栅极层，以暴露所述本征多晶半导体部件。
12.如权利要求11所述的方法，其中
提供所述掺杂多晶半导体部件包括在所述辅助扫描线和所述主数据线的交叉区域设置交叉半导体部件。
13.如权利要求12所述的方法，其中
形成所述层间绝缘层图案包括在所述交叉区域设置交叉层间绝缘层图案。
14.如权利要求12所述的方法，其中
所述交叉半导体部件和所述本征多晶半导体部件通过图案化所述栅极层以限定栅极开口并通过所述栅极开口掺杂所述半导体层被提供。
15.如权利要求11所述的方法，进一步包括：
在所述辅助扫描线下方设置主扫描线，并且在所述主数据线下方设置辅助数据线。
16.如权利要求15所述的方法，进一步包括：
形成包括所述主扫描线和所述辅助扫描线的扫描线以及包括所述主数据线和所述辅助数据线的数据线，并将薄膜晶体管连接到所述扫描线和所述数据线。
17.如权利要求16所述的方法，进一步包括：
形成被连接到所述薄膜晶体管的有机发光二极管。
有机发光二极管显示器及其制造方法
技术领域
背景技术
[0002] 有机发光二极管(“OLED”)显示器包括两个电极和被设置在它们之间的有机发光构件。从一个电极注入的电子和从另一电极注入的空穴在有机发光构件中结合，以形成激子，并且随着激子释放能量，光被发射。
[0003] 为了最小化在OLED显示器的制造方法中使用的掩模的数量，已经开发出了有源图案跳过(“APS”)方法，APS方法是一种制造OLED显示器的方法，其中半导体层不被蚀刻，而是被保持在整个表面上，从而当形成半导体层时不使用掩模，使得掩模的数量可以被有效地减小。
发明内容
[0004] 在有源图案跳过(“APS”)方法中，在预定方向上延伸的扫描线重叠下面的半导体，使得寄生电容产生，这样可能增加电阻-电容(“RC”)延迟。
[0005] 本发明提供了通过最小化扫描线和半导体层之间的寄生电容减少了RC延迟的有机发光二极管(“OLED”)显示器及其制造方法。
[0006] 根据一个示例性实施例的OLED显示器包括：基底；被设置在基底上并包括本征多晶半导体部件和掺杂多晶半导体部件的半导体层；覆盖半导体层的栅绝缘层；被设置在栅绝缘层上并传输扫描信号的扫描线；与扫描线绝缘并相交并传输数据信号的数据线；被连接到扫描线和数据线的薄膜晶体管(“TFT”)；以及被连接到TFT的OLED，其中本征多晶半导体部件被定位在扫描线附近的区域。
[0007] 在一个示例性实施例中，扫描线可以包括：被设置在栅绝缘层上的主扫描线、以及被设置在主扫描线上并接触主扫描线的辅助扫描线。
[0008] 在一个示例性实施例中，数据线可以包括被设置在栅绝缘层上的辅助数据线、以及被设置在辅助数据线上并接触辅助数据线的主数据线。
[0009] 在一个示例性实施例中，掺杂多晶半导体部件可以包括被设置在扫描线和数据线的交叉区域的交叉半导体部件，交叉半导体部件可以包括彼此分离并彼此面对的第一交叉半导体部件和第二交叉半导体部件。
[0010] 在一个示例性实施例中，OLED显示器可以进一步包括被设置在交叉半导体部件和主扫描线上的交叉层间绝缘层图案，交叉层间绝缘层图案可以彼此绝缘主扫描线和主数据线。
[0011] 在一个示例性实施例中，交叉层间绝缘层图案可以具有包括交叉的横向部件和纵向部件的交叉形状，横向部件可以接触主扫描线并被设置在主扫描线上，纵向部件可以重叠交叉半导体部件。
[0012] 在一个示例性实施例中，辅助扫描线的分离部分可以通过在交叉区域的主扫描线被连接，辅助数据线的分离部分可以通过在交叉区域的主数据线被连接。
[0013] 在一个示例性实施例中，本征多晶半导体部件可以被定位在主扫描线和辅助数据线的下方。
[0014] 在一个示例性实施例中，掺杂多晶半导体部件可以进一步包括被设置在TFT处的晶体管半导体部件，晶体管半导体部件可以包括彼此分离并彼此面对的源区和漏区。
[0015] 在一个示例性实施例中，OLED显示器可以进一步包括部分重叠晶体管半导体部件的晶体管层间绝缘层图案以及部分重叠晶体管半导体部件的源电极和漏电极。
[0016] 在一个示例性实施例中，根据一个示例性实施例的制造OLED显示器的方法包括：在基底上顺序形成包括本征多晶半导体的半导体层、栅绝缘层和栅极层；掺杂半导体层，以提供掺杂多晶半导体部件和本征多晶半导体部件；在掺杂多晶半导体部件和栅极层上形成层间绝缘层图案；在栅极层和层间绝缘层图案上形成数据层；图案化数据层，以提供辅助扫描线和主数据线；以及图案化被设置在辅助扫描线和主数据线附近的区域的栅极层，以暴露本征多晶半导体部件。
[0017] 在一个示例性实施例中，提供掺杂多晶半导体部件可以包括在辅助扫描线和主数据线的交叉区域设置交叉半导体部件。
[0018] 在一个示例性实施例中，形成层间绝缘层图案可以包括在交叉区域设置交叉层间绝缘层图案。
[0019] 在一个示例性实施例中，交叉半导体部件和本征多晶半导体部件可以通过图案化栅极层以限定栅极开口并通过栅极开口掺杂半导体层被设置。
[0020] 在一个示例性实施例中，制造OLED显示器的方法可以进一步包括：在辅助扫描线下方设置主扫描线，并且可以在主数据线下方设置辅助数据线。
[0021] 在一个示例性实施例中，制造OLED显示器的方法可以进一步提供：形成包括主扫描线和辅助扫描线的扫描线以及包括主数据线和辅助数据线的数据线，并将TFT连接到扫描线和数据线。
[0022] 在一个示例性实施例中，制造OLED显示器的方法可以进一步包括：形成被连接到TFT的OLED。
[0023] 根据一个示例性实施例，通过将本征多晶半导体部件定位在扫描线附近的区域，可以最小化扫描线和半导体层之间的寄生电容的产生，从而减少RC延迟。
[0024] 另外，通过在扫描线和数据线的交叉区域形成层间绝缘层图案，扫描线和数据线可以绝缘并交叉。
[0026] 通过参考附图进一步详细描述示例性实施例，上述和其它实施例以及此公开的优点和特征将变得更显而易见，附图中：
[0027] 图1示出了根据本发明的有机发光二极管(“OLED”)显示器的等效电路的示例性实施例。
[0029] 图3是沿图2的线III-III截取的剖视图。
[0030] 图4是沿图2的线IV-IV截取的剖视图。
[0031] 图5是沿图2的线V-V'和V'-V″截取的剖视图。
[0032] 图6是沿图2的线VI-VI截取的薄膜晶体管的剖视图。
[0034] 图8至图10是依次示出了根据本发明的OLED显示器的制造方法的示例性实施例的平面图。
具体实施方式
[0036] 为了使本发明的描述清楚，与描述无关的部件被省略，并且相同的附图标记贯穿附图被用来指代相同或相似的部件。
[0037] 另外，为了更好地理解和易于描述，附图中所示的构成构件的尺寸和厚度被任意给出，本发明不限于所示出的尺寸和厚度。
[0038] 在图中，为了清楚，层、膜、面板、区域等的厚度可能被夸大。在图中，为了更好地理解和易于描述，一些层和区域的厚度被夸大。将理解的是，当诸如层、膜、区域或基底的元件被称为在另一元件“上”时，它可以直接在另一元件上，或者也可以存在中间元件。
[0039] 将理解的是，虽然术语“第一”、“第二”、“第三”等可在本文中用来描述各种元件、组件、区域、层和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应该受这些术语的限制。这些术语仅用来区分一个元件、组件、区域、层或部分与另一个元件、组件、区域、层或部分。因此，下面讨论的“第一元件”、“组件”、“区域”、“层”或“部分”可以被称为第二元件、组件、区域、层或部分，而不脱离本文的教导。
[0040] 本文使用的术语仅用于描述特定的实施例，并不旨在限制。如本文所用，单数形式的“一个”和“该”旨在包括复数形式，包括“至少一个”，除非上下文另有明确说明。“或”意味着“和/或”。如本文所用，术语“和/或”包括相关联的所列项目的一个或多个的任意和所有组合。将进一步理解的是，当在申请文件中使用时，术语“包括”或“包含”表明存在所陈述的特征、区域、整数、步骤、操作、元件和/或组件，但不排除存在或添加一个或多个其它特征、区域、整数、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。
[0041] 此外，在本文中使用了诸如“下”或“底”、“上”或“顶”的相对术语来描述如图中所示的一个元件相对于另一个元件的关系。将理解的是，除了图中描述的方位之外，相对术语意在包含装置的不同方位。例如，如果一个图中的装置被翻转，被描述为在其它元件“下”侧的元件将然后被定向为在其它元件“上”侧。因此，取决于图的特定方位，术语“下”可以包括“下”和“上”两种方位。与此类似，如果一个图中的装置被翻转，被描述为在其它元件“之下”或“下方”的元件将然后被定向为在其它元件“上方”。因此，示例性术语“之下”或“下方”可以包含上方和下方两种方位。
[0042] 如本文所用，“大约”或“近似”包括所列出的值，考虑到测量中的问题和对特定数量的测量相关的误差(也就是测量系统的限制)，也意味着在由本领域普通技术人员确定的该特定值的可接受范围的偏差内。例如，“大约”可以意味着在所列出的值的一个或多个标准偏差内，或在±30％、20％、10％、5％内。
[0043] 除非另有定义，本文使用的所有术语(包括技术和科学术语)具有本发明构思所属的技术领域的普通技术人员所通常理解的相同含义。将进一步理解，例如那些在常用字典中定义的术语应该被解释为具有与它们在相关领域的上下文和本公开的含义一致的含义，将不以理想化或过于正式的意义来解释，除非在本文中明确地如此定义。
[0044] 本文中参考是理想化的实施例的示意性图示的剖视图图示描述示例性实施例。这样，例如作为制造技术和/或公差的结果，与图示的形状之间的变化是可以预期的。因此，本文所描述的实施例不应该被解释为限于本文所示的区域的特定形状，而是包括例如由于制造的结果引起的形状的偏差。例如，被示出或描述为平坦的区域通常可能具有粗糙和/或非线性的特征。此外，示出的尖角可以是圆形的。因此，在图中示出的区域在本质上是示意性的，它们的形状并不意图示出区域的精确形状，并且不旨在限制本权利要求的范围。
[0045] 接下来将参考图1至图7描述根据示例性实施例的有机发光二极管(“OLED”)显示器。
[0046] 图1是根据示例性实施例的OLED显示器的等效电路。
[0047] 如图1所示，根据示例性实施例的OLED显示器包括多条信号线121、171和172、以及被连接到该多条信号线上并以近似矩阵形式排列的多个像素PX。
[0048] 信号线包括用于传输扫描信号(或栅极信号)的多条扫描线121、用于传输数据信号的多条数据线171、以及用于传输驱动电压ELVDD的多条驱动电压线172。扫描线121在行方向上彼此平行，数据线171和驱动电压线172在列方向上彼此平行。每个像素PX包括开关薄膜晶体管(“TFT”)T1、驱动TFT T2、存储电容器Cst和OLED。
[0049] 开关TFT T1有控制端、输入端和输出端。控制端被连接到扫描线121，输入端被连接到数据线171，输出端被连接到驱动TFT T2。开关TFT T1响应于被施加到扫描线121的扫描信号，向驱动TFT T2传输被施加到数据线171的数据信号。
[0050] 驱动TFT T2也有控制端、输入端和输出端。控制端被连接到开关TFT T1，输入端被连接到驱动电压线172，输出端被连接到OLED。驱动TFT T2导致输出电流Id流过，输出电流Id的幅度根据被施加在其控制端和输出端之间的电压而变化。
[0051] 存储电容器Cst被连接在驱动TFT T2的控制端和输入端之间。存储电容器Cst充电被施加到驱动TFT T2的控制端的数据信号，并在开关TFT T1截止后保持该数据信号。
[0054] 接下来将参考图2至图7以及图1描述图1中所示的OLED显示器的像素PX的详细结构。
[0055] 图2是根据示例性实施例的OLED显示器的一个像素的平面图，图3是沿图2的线III-III截取的剖视图，图4是沿图2的线IV-IV截取的剖视图，图5是沿图2的线V-V'和V'-V″截取的剖视图，图6是沿图2的线VI-VI截取的TFT的剖视图，图7是沿图2的线VII-VII截取的存储电容器的剖视图。
[0056] 如图2至图7所示，在根据示例性实施例的OLED显示器中，缓冲层120被设置在基底110上。基底110可以包括绝缘基底，包括玻璃、石英、陶瓷或塑料，或者可以包括金属基底，包括不锈钢。缓冲层120可以具有包括氮化硅(SiNx)的单层结构，或包括氮化硅(SiNx)和二氧化硅(SiO2)的双层结构。缓冲层120有效地防止如杂质元件或湿气的不想要的组件侵入目标，同时平整其表面。
[0057] 包括本征多晶半导体部件131和掺杂多晶半导体部件132、1356、1357和138的半导体层130被设置在缓冲层120上。本征多晶半导体部件131包括包含其中没有掺杂杂质的本征多晶半导体的区域，掺杂多晶半导体部件132、1356、1357和138是掺杂有杂质的区域。
[0058] 本征多晶半导体部件131包括没有提供掺杂多晶半导体部件132、1356、1357和138的区域，掺杂多晶半导体部件132、1356、1357和138包括交叉半导体部件132、晶体管半导体部件1356和1357以及电容半导体部件138。
[0059] 交叉半导体部件132被提供在扫描线151和数据线171的交叉区域，并包括彼此分离并彼此面对的第一交叉半导体部件132a和第二交叉半导体部件132b。
[0060] 晶体管半导体部件1356和1357分别包括被提供在本征多晶半导体的沟道区1355的各自侧的、彼此分离并彼此面对的源区1356漏区1357。
[0061] 电容器半导体部件138被提供为大致四边形环状。
[0062] 栅绝缘层140被设置在半导体层130上(参考图4)。栅绝缘层140可以包括单层，或包括氮化硅和氧化硅中的至少一个的多层。
[0063] 主扫描线51、辅助数据线53、栅电极155、辅助源电极56、辅助漏电极57、第一主存储电容板58和第二辅助存储电容板59被设置在栅绝缘层140上(参考图2至图7)。主扫描线51在横向方向上延伸并传输扫描信号，辅助数据线53在纵向方向上延伸并传输数据信号，栅电极155被连接到主扫描线51并重叠沟道区1355，第一主存储电容板58和第二辅助存储电容板59彼此分离。主扫描线51、辅助数据线53、栅电极155、辅助源电极56、辅助漏电极57、第一主存储电容板58和第二辅助存储电容板59包括栅极线束(gate wire)。
[0064] 层间绝缘层图案160被设置在主扫描线51、辅助数据线53、栅电极155、辅助源电极56、辅助漏电极57、第一主存储电容板58和第二辅助存储电容板59上，层间绝缘层图案160包括交叉层间绝缘层图案161、晶体管层间绝缘层图案162和存储器层间绝缘层图案
163。
163。
[0065] 交叉层间绝缘层图案161被设置在主扫描线51和辅助数据线53上(参考图3和图4)，晶体管层间绝缘层图案162被设置在栅电极155上(参考图6)，存储器层间绝缘层图案163被设置在第一主存储电容板58上(参考图7)。
[0066] 交叉层间绝缘层图案161具有交叉形状，其中横向部件161a和纵向部件161b彼此交叉(参考图2)，横向部件161a接触主扫描线51，并被设置在主扫描线51上(参考图3)，纵向部件161b覆盖主扫描线51的一部分和辅助数据线53的一端的一部分，并重叠交叉半导体部件132(参考图4)。
[0067] 晶体管层间绝缘层图案162覆盖栅电极155，并部分重叠晶体管半导体部件1356和1357(参考图6)。
[0068] 存储器层间绝缘层图案163被提供在四边形环状的电容器半导体部件138内，并覆盖第一主存储电容板58(参考图2和图7)。
[0069] 在示例性实施例中，层间绝缘层图案160可包括氮化硅或氧化硅作为栅绝缘层140。
[0070] 包括主数据线71的数据线束、辅助扫描线73、主源电极76、主漏电极77、第一辅助存储电容板78和第二主存储电容板79被设置在层间绝缘层图案160以及包括主扫描线51的栅极线束、辅助数据线53、栅电极155、辅助源电极56、辅助漏电极57、第一主存储电容板58和第二辅助存储电容板59上。
[0071] 主数据线71和辅助扫描线73被设置在交叉层间绝缘层图案161上。辅助扫描线73参照被设置在交叉层间绝缘层图案161的横向部件161a上的主数据线71被分离，所分离的辅助扫描线73通过主扫描线51被连接。
[0072] 主数据线71覆盖交叉层间绝缘层图案161的纵向部件161b，并连接参照交叉层间绝缘层图案161的纵向部件161b下的主扫描线51分离的辅助数据线53。
[0073] 如描述的那样，主扫描线51和辅助扫描线73在没有提供交叉层间绝缘层图案161的横向部件161a的区域中直接接触(参考图3)，由此形成扫描线151，使得扫描线151的线束电阻可以降低，而且主数据线71和辅助数据线53在没有提供交叉层间绝缘层图案161的纵向部件161b的区域中直接接触(参考图4)，从而形成数据线171，使得数据线171的线束电阻可以降低。
[0074] 此外，如图5所示，本征多晶半导体部件131被定位在扫描线151附近的区域，使得在扫描线151和半导体层130之间的寄生电容的产生被最小化，从而减少RC延迟。
[0075] 此外，如图2至图4所示，通过在扫描线151和数据线171的交叉区形成交叉层间绝缘层图案161，扫描线151和数据线171彼此绝缘并彼此交叉。
[0076] 主源电极76和主漏电极77被分别设置在辅助源电极56和辅助漏电极57上。主源电极76和辅助源电极56一起提供源电极176，主漏电极77和辅助漏电极57一起提供漏电极177。
[0077] 晶体管半导体部件1356和1357、栅电极155、源电极176和漏电极177一起提供驱动薄膜晶体管。
[0078] 第一辅助存储电容板78被设置在第一主存储电容板58上，第二主存储电容板79被设置在第二辅助存储电容板59上。第一主存储电容板58和第一辅助存储电容板78一起提供第一存储电容板158，第二辅助存储电容板59和第二主存储电容板79一起提供第二存储电容板179。
[0079] 第一主存储电容板58和第二主存储电容板79提供具有存储器层间绝缘层图案163作为介电材料的存储电容器Cst。
[0080] 保护层180被设置在主数据线71、辅助扫描线73、主源电极76、主漏电极77、第一辅助存储电容板78和第二主存储电容板79上。像素电极710被设置在保护层180上。像素电极710被电连接到驱动TFT T2的漏电极177，从而是OLED的阳极。
[0081] 像素限定层350被设置在像素电极710和保护膜180的边缘部分上。暴露像素电极710的开口351被限定在像素限定层350中。保护膜180可包括树脂，如聚丙烯酸酯树脂或聚酰亚胺树脂、二氧化硅基无机材料等。
[0082] 有机发光层720被提供在像素限定层350的开口351中。有机发光层720被提供为多个层，包括发光层、空穴注入层(“HIL”)、空穴传输层(“HTL”)、电子传输层(“ETL”)和电子注入层(“EIL”)中的一个或多个。当有机发光层720包括所有这些时，空穴注入层可以被设置在像素电极710上作为阳极，空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层可以被顺序层叠在像素电极710上。
[0083] 有机发光层720可包括用于发射红光的红有机发光层、发射绿光的绿有机发光层和发射蓝光的蓝有机发光层，红有机发光层、绿有机发光层和蓝有机发光层被分别提供在红色、绿色和蓝色像素中，从而显示彩色图像。
[0084] 此外，有机发光层720的红有机发光层、绿有机发光层和蓝有机发光层可以分别被层叠在红色像素、绿色像素和蓝色像素上，对于各自像素可以提供红滤色器、绿滤色器和蓝滤色器，从而显示彩色图像。在另一示例性实施例中，用于发射白光的白有机发光层可以被设置在所有的红色、绿色和蓝色像素上，对于各自像素可以提供红滤色器、绿滤色器和蓝滤色器，从而显示彩色图像。当白有机发光层和滤色器被用来显示彩色图像时，没有必要使用在各自像素，也就是红色、绿色和蓝色像素，上沉积红、绿和蓝有机发光层的沉积掩模。
[0085] 在所示的示例性实施例中所描述的白有机发光层可以被提供为一个有机发光层或被层叠的多个有机发光层，以发射白光。在示例性实施例中，至少一个黄有机发光层和至少一个蓝有机发光层可以被组合以发射白光，至少一个青有机发光层和至少一个红有机发光层可以被组合以发射白光，或至少一个品红有机发光层和至少一个绿有机发光层可以被组合以发射白光。
[0086] 共用电极730被设置在像素限定层350和有机发光层720上。共用电极730用作OLED的阴极。像素电极710、有机发光层720和共用电极730提供OLED70。
[0087] 下面将参考图8至图10以及图2至图7描述根据示例性实施例的OLED显示器的制造方法。
[0088] 图8至图10是依次示出了根据示例性实施例的OLED显示器的制造方法的平面图。
[0089] 首先，如图8所示，缓冲层120被设置在基底110上(参考图3至图7)。缓冲层120通过诸如等离子体增强化学气相沉积(“PECVD”)的方法被沉积在基底110的整个表面上。接下来，半导体层130被设置在缓冲层120上。半导体层130可以包括本征多晶半导体，本征多晶半导体可在沉积非晶硅层后通过结晶非晶硅层的方法被提供。此外，栅绝缘层140被设置在半导体层130上，栅极层被设置在栅绝缘层140上。栅绝缘层140可以包括氮化硅(SiNx)或二氧化硅(SiO2)，并通过诸如PECVD的方法被沉积在缓冲层120的整个表面上。栅极层通过使用掩模通过光刻工艺被图案化，以限定栅极开口32、晶体管开口13和存储器开口58。通过栅极开口32、晶体管开口13和存储器开口58暴露的半导体层130被掺杂，以提供包括交叉半导体部件132、晶体管半导体部件1356和1357、以及存储器半导体部件138的掺杂多晶半导体部件。在半导体层130中没有进行掺杂的区域对应于本征多晶半导体部件131。
[0090] 如图9所示，包括交叉层间绝缘层图案161、晶体管层间绝缘层图案162和存储器层间绝缘层图案163的层间绝缘层图案160然后被分别设置在交叉半导体部件132、晶体管半导体部件1356和1357以及存储器半导体部件138上。
[0091] 接下来，如图10所示，数据层被设置在栅极层和层间绝缘层图案160上。数据层然后被图案化，以提供辅助扫描线73、主数据线71、主源电极76、主漏电极77、第一辅助存储电容板78和第二主存储电容板79。
[0092] 如图2至图7所示，被定位在辅助扫描线73、主数据线71、主源电极76、主漏电极77、第一辅助存储电容板78和第二主存储电容板79附近的栅极层然后被图案化，以暴露本征多晶半导体部件131。此时，主扫描线51被设置在辅助扫描线73下方，辅助数据线53被设置在主数据线71下方。此外，辅助源电极56被设置在主源电极76下方，辅助漏电极57被布置在主漏电极77下方，第一主存储电容板58被设置在第一辅助存储电容板78下方，第二辅助存储电容板59被设置在第二主存储电容板79下方。
[0093] 覆盖主数据线71、辅助扫描线73、主源电极76、主漏电极77、第一辅助存储电容板78和第二主存储电容板79的保护层180然后被提供。像素电极710被设置在保护层180上，像素限定层350被设置在保护层180以及像素电极710的边缘上，有机发光层720被提供在像素限定层350中限定的开口351中。共用电极730被设置在像素限定层350和有机发光层720上。
[0094] 尽管已结合目前被认为是实用的示例性实施例描述了本发明，但是应当理解，发明并不限于所公开的示例性实施例，而是相反，意在覆盖包括在所附权利要求的精神和范围内各种修改和等同布置。
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