一种钬钕共掺杂硫代硅酸钇上转换发光材料及其制备方法和有机发光二极管
专利汇可以提供一种钬钕共掺杂硫代硅酸钇上转换发光材料及其制备方法和有机发光二极管专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 提供了一种钬钕共掺杂硫代 硅 酸钇上转换发光材料，其化学式为Y2-x-ySiS5∶xHo3+，yNd3+，其中0.01≤x≤0.1，0.01≤y≤0.06。该钬钕共掺杂硫代 硅酸 钇上转换发光材料可由红外至绿光的长波 辐射 激发，在490nm 波长 区由Ho3+离子5F3→5I8的跃迁辐射形成发射峰，可作为蓝光发光材料。本发明还提供了该钬钕共掺杂硫代硅酸钇上转换发光材料的制备方法以及使用该钬钕共掺杂硫代硅酸钇上转换发光材料的 有机发光 二极管 。，下面是一种钬钕共掺杂硫代硅酸钇上转换发光材料及其制备方法和有机发光二极管专利的具体信息内容。
1.一种钬钕共掺杂硫代硅酸钇上转换发光材料，其特征在于，其化学式为
3+ 3+
Y2-x-ySiS5∶xHo ，yNd ，其中0.01≤x≤0.1，0.01≤y≤0.06。
2.如权利要求1所述的钬钕共掺杂硫代硅酸钇上转换发光材料，其特征在于，所述x为
0.06，y为0.03。
3.一种钬钕共掺杂硫代硅酸钇上转换发光材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
（1）根据摩尔比为（2-x-y）∶2∶x∶y称取Y2S3，SiS2，Ho2S3和Nd2S3粉体，其中
0.01≤x≤0.1，0.01≤y≤0.06；
（2）将步骤（1）称取的粉体混合研磨20～60分钟，得到均匀的粉料前驱体；
（3）将步骤（2）所得前驱体在800～1000℃下灼烧0.5～5小时，之后降温到100～
500℃，保温0.5～3小时，然后随炉冷却至室温，得到钬钕共掺杂硫代硅酸钇上转换发光材
3+ 3+
料，其化学式为Y2-x-ySiS5∶xHo ，yNd ，其中0.01≤x≤0.1，0.01≤y≤0.06。
4.如权利要求3所述的钬钕共掺杂硫代硅酸钇上转换发光材料的制备方法，其特征在于，所述x为0.06，y为0.03。
5.如权利要求3所述的钬钕共掺杂硫代硅酸钇上转换发光材料的制备方法，其特征在于，将步骤（1）称取的粉体在刚玉研钵中混合研磨。
6.如权利要求3所述的钬钕共掺杂硫代硅酸钇上转换发光材料的制备方法，其特征在于，所述研磨时间为40分钟。
7.如权利要求3所述的钬钕共掺杂硫代硅酸钇上转换发光材料的制备方法，其特征在于，步骤（3）中所述前驱体在980℃下灼烧3小时。
8.如权利要求3所述的钬钕共掺杂硫代硅酸钇上转换发光材料的制备方法，其特征在于，将所述前驱体在980℃下灼烧3小时，之后冷却到250℃，再保温2小时，然后随炉冷却至室温，得到钬钕共掺杂硫代硅酸钇上转换发光材料。
9.如权利要求3所述的钬钕共掺杂硫代硅酸钇上转换发光材料的制备方法，其特征在于，步骤（3）进一步包括，将随炉冷却至室温后得到的块状钬钕共掺杂硫代硅酸钇上转换发光材料粉碎，得到粉体目标产物。
10.一种有机发光二极管，该有机发光二极管包括依次层叠的基板、阴极、有机发光层、透明阳极以及透明封装层，其特征在于，所述透明封装层中分散有钬钕共掺杂硫
3+ 3+
代硅酸钇上转换发光材料，其化学式为Y2-x-ySiS5∶xHo ，yNd ，其中0.01≤x≤0.1，
0.01≤y≤0.06。
一种钬钕共掺杂硫代硅酸钇上转换发光材料及其制备方法
技术领域
背景技术
发明内容
为Y2-x-ySiS5∶xHo ，yNd ，其中0.01≤x≤0.1，0.01≤y≤0.06。
射；而Ho 离子发生 F3→ I8的跃迁辐射形成490nm波长区的发射峰，从而提供了白光器件所需要的蓝色光；Nd离子在该发光材料体系中充当敏化离子的作用，把基质吸收的能量更多的传递到发光中心离子以得到更高的发光效率。
3+ 3+
发光材料，其化学式为Y2-x-ySiS5∶xHo ，yNd ，其中0.01≤x≤0.1，0.01≤y≤0.06。 [0012] 优选地，所述x为0.06，y为0.03。
杂硫代硅酸钇上转换发光材料，其化学式为Y2-x-ySiS5∶xHo ，yNd ，其中0.01≤x≤0.1，
0.01≤y≤0.06。
490nm波长区由Ho 离子 F3→ I8的跃迁辐射形成发射峰，即可得到白光有机发光二极管所需要的蓝色光。
激发出蓝光短波发光，在490nm波长区由Ho 离子 F3→ I8的跃迁辐射形成发射峰，可作为蓝光发光材料，从而弥补目前蓝光发光材料的不足，促进白光OLED器件的发展。本发明制备工艺易于控制，有利于器件的工业化生产，以及加工成本低廉，具有极为广阔的商业化发展前景。
附图说明
具体实施方式
得到Y1.91SiS5：0.06Ho ，0.03Nd 上转换荧光粉。
是Ho 离子 F3→ I8的跃迁辐射发光。曲线2是不含Nd 掺杂的对比例Y1.91SiS5：0.06Ho上转换发光材料的光致发光光谱，从图1可看出增加了钕元素的共掺杂，上转换发光材料具有更好的发光效率。
得到Y1.98SiS5：0.01Ho ，0.01Nd 上转换荧光粉。
其粉碎，得到Y1.84SiS5：0.1Ho ，0.06Nd 上转换荧光粉。
碎，得到Y1.93SiS5：0.02Ho ，0.05Nd 上转换荧光粉。
得到Y1.93SiS5：0.03Ho ，0.04Nd 上转换荧光粉。
粉碎，得到Y1.91SiS5：0.07Ho ，0.02Nd 上转换荧光粉。
例1制备的钬钕共掺杂硫代硅酸钇上转换发光材料Y1.91SiS5：0.06Ho ，0.03Nd 上转换荧光粉106。
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