技术领域
[0001] 本
发明涉及载置台和等离子体处理装置。
背景技术
[0002] 在
专利文献1中记载有一种等离子体处理装置，该等离子体处理装置具备：处理容器，其能构成
真空空间；载置台，其兼用作下部
电极，将加工物保持于该处理容器内；上部电极，其以与该载置台相对的方式配置。在专利文献1所记载的等离子体处理装置中，通过向兼用作下部电极的载置台与上部电极之间施加高频电
力，对配置到载置台的
晶圆等加工物进行等离子体处理。
[0003] 另外，专利文献1所记载的等离子体处理装置具备多个升降销，该多个升降销相对于载置台的上表面出没自如，用于在载置台上抬起加工物。并且，载置台具有用于将该升降销收容于内部的销用孔。另外，专利文献1所记载的等离子体处理装置具有用于向加工物的背面与
静电卡盘的表面之间供给用于热传递的氦气等的气孔。
[0004] 专利文献1所记载的等离子体处理装置为了防止在加工物与载置台之间产生放电具有上端部形成为倒锥形状的升降销和上端部形成为锥形状的销用贯通孔。升降销的上端部在升降销收容到销用贯通孔时与销用贯通孔的上端部面
接触。
[0006] 专利文献
[0007] 专利文献1：日本特开2014-143244号
公报发明内容
[0008] 发明要解决的问题
[0009] 然而，在专利文献1所公开的结构中，为了防止例如气孔中的放电，存在改善的余地。在本技术领域中，期望的是能够防止异常放电的载置台和具备该载置台的等离子体处理装置。
[0010] 用于解决问题的方案
[0011] 即本发明的一方面的载置台是构成为能够被施加
电压的载置台。载置台具备静电卡盘、
基座、隔离件以及销。静电卡盘具有供加工物载置的载置面和与载置面相对的背面，在载置面形成有第1贯通孔。基座与静电卡盘的背面接合，形成有与第1贯通孔连通的第2贯通孔。隔离件呈筒状，被插入于第2贯通孔。销被收容于第1贯通孔和隔离件。销与第1贯通孔以及隔离件各自的内壁隔开间隙地配置，第1贯通孔与销之间的间隙比隔离件与销之间的间隙大。
[0012] 在该载置台中，销被收容于筒状的隔离件和形成于载置面的第1贯通孔，该筒状的隔离件插入到与第1贯通孔连通的第2贯通孔。由此，能够使设于载置台的孔的空间变窄，因此，能够不设置用于
电子加速的空间。因此，防止在第1贯通孔和隔离件处的放电。而且，销与第1贯通孔以及隔离件各自的内壁隔开间隙地配置，因此，不会阻碍气体供给功能、升降功能，能够防止放电。另外，在静电卡盘的材质与基座的材质不同的情况下，由于
热膨胀系数之差而第1贯通孔与隔离件之间的连接部位有可能偏离。在该载置台中，第1贯通孔与销之间的间隙比隔离件与销之间的间隙大。因此，即使是静电卡盘的材质与基座的材质不同的情况下，也能够避免被插入到第1贯通孔和隔离件的销破损。而且，本
发明人发现了如下内容：使基座侧的空间变窄的情况与使静电卡盘侧的空间变窄的情况相比，能够有效地防止异常放电。也就是说，通过使第1贯通孔与销之间的间隙具有为了避免销的破损所需要的空间，能够避免销的破损且有效地防止异常放电。
[0013] 本发明的另一方面的载置台是构成为能够被施加电压的载置台。载置台具备静电卡盘、基座和销。静电卡盘具有供加工物载置的载置面和与载置面相对的背面，在载置面形成有第1贯通孔。基座与静电卡盘的背面接合，形成有与第1贯通孔连通的第2贯通孔。销被收容于第1贯通孔和第2贯通孔。销与第1贯通孔以及第2贯通各自的内壁隔开间隙地配置，第1贯通孔与销之间的间隙比第2贯通孔与销之间的间隙大。
[0014] 在该载置台中，销被收容于形成于载置面的第1贯通孔、以及与第1贯通孔连通的第2贯通孔。由此，能够使设于载置台的孔的空间变窄，因此，能够不设置用于电子加速的空间。因此，防止在第1贯通孔和第2贯通孔处的放电。而且，销与第1贯通孔以及第2贯通孔各自的内壁隔开间隙地配置，因此，不会阻碍气体供给功能、升降功能，能够防止放电。另外，在静电卡盘的材质与基座的材质不同的情况下，由于
热膨胀系数之差而第1贯通孔与第2贯通孔之间的连接部位有可能偏离。在该载置台中，第1贯通孔与销之间的间隙比第2贯通孔与销之间的间隙大。因此，即使是静电卡盘的材质与基座的材质不同的情况下，也能够避免被插入到第1贯通孔和第2贯通孔的销破损。而且，本发明人发现了如下内容：使基座侧的空间变窄的情况与使静电卡盘侧的空间变窄的情况相比，能够有效地防止异常放电。也就是说，通过使第1贯通孔与销之间的间隙具有为了避免销的破损所需要的空间，能够避免销的破损且有效地防止异常放电。
[0015] 在一实施方式中，也可以是，静电卡盘由陶瓷形成，在该静电卡盘的内部具有电极。基座也可以由金属形成。即使是在静电卡盘与基座之间存在了热膨胀系数之差的情况下，也能够避免销的破损且有效地防止异常放电。
[0016] 在一实施方式中，也可以是，第1贯通孔是供给冷热传递用气体的气孔。在该情况下，能够在可对加工物的背面进行冷却的载置台中有效地防止异常放电。
[0017] 在一实施方式中，也可以是，销是用于在载置台上抬起加工物的升降销。第1贯通孔也可以是销用贯通孔。在该情况下，能够在可使加工物上升的载置台中有效地防止异常放电。
[0018] 在一实施方式中，也可以是，在将第1贯通孔内的间隙的长度设为g1、将基座的热
膨胀率设为α1、将静电卡盘的热膨胀率设为α2、将从载置面的中心到第1贯通孔的距离设为R、将销的直径设为D、将第2贯通孔内的间隙的直径设为d2、将距作为第1贯通孔和第2贯通孔同轴地配置时的
温度的基准温度的目标温度差设为ΔT时，第1贯通孔内的间隙的长度g1满足以下的式1的关系。
[0019] g1≥(2(R(α1-α2)ΔT+D)-d2-D)/2…(式1)
[0020] 在如此构成的情况下，能够根据孔的形成
位置和加工物处理时的目标温度来决定第1贯通孔与销之间的间隙的长度。
[0021] 本发明的又一方面的等离子体处理装置具备处理容器、气体供给部、以及载置台。处理容器划分形成供等离子体生成的处理空间。气体供给部向处理空间内供给处理气体。
载置台收容于处理空间内，供加工物载置。载置台构成为能够被施加电压。载置台具备静电卡盘、基座、隔离件和销。静电卡盘具有供加工物载置的载置面和与载置面相对的背面，在载置面形成有第1贯通孔。基座与静电卡盘的背面，形成有与第1贯通孔连通的第2贯通孔。
隔离件呈筒状，被插入第2贯通孔。销被收容于第1贯通孔和隔离件。销与第1贯通孔以及隔离件各自的内壁隔开间隙地配置，第1贯通孔与销之间的间隙比隔离件与销之间的间隙大。
根据该等离子体处理装置，起到与上述的载置台的效果相同的效果。
[0022] 本发明的又一方面的等离子体处理装置具备处理容器、气体供给部、以及载置台。处理容器划分形成供等离子体生成的处理空间。气体供给部向处理空间内供给处理气体。
载置台收容于处理空间内，供加工物载置。载置台构成为能够被施加电压。载置台具备静电卡盘、基座以及销。静电卡盘具有供加工物载置的载置面和与载置面相对的背面，在载置面形成有第1贯通孔。基座与静电卡盘的背面接合，形成有与第1贯通孔连通的第2贯通孔。销被收容于第1贯通孔和第2贯通孔。销与第1贯通孔以及第2贯通孔各自的内壁隔开间隙地配置，第1贯通孔与销之间的间隙比第2贯通孔与销之间的间隙大。根据该等离子体处理装置，起到与上述的载置台的效果相同的效果。
[0023] 发明的效果
[0024] 根据本发明的各种方面和实施方式，可以提供一种能够防止异常放电的载置台和等离子体处理装置。
附图说明
[0025] 图1是表示第1实施方式的等离子体处理装置的结构的概略剖视图。
[0026] 图2是表示图1的等离子体处理装置中的载置台的概略剖视图。
[0027] 图3是表示图1的等离子体处理装置中的载置台的概略剖视图。
[0028] 图4是示意性地表示图2和图3的载置台中的气孔的结构的概略剖视图。
[0029] 图5是说明构成图4的气孔的构件的位置关系的图。
[0030] 图6是说明异常放电的图。
[0031] 图7是示意性地表示第2实施方式的气孔的结构的概略剖视图。
[0032] 图8是表示
实施例和比较例中的放电产生的有无的表。
[0033] 附图标记说明
[0034] 1、处理容器；2、载置台；2a、基材(基座)；6、静电卡盘；17、第1贯通孔；18、第2贯通孔；31、销；61、升降销；200、销用贯通孔；203、销用隔离件；204、气体用隔离件。
具体实施方式
[0035] 以下，参照附图详细地说明各种实施方式。此外，在各附图中对相同或相当的部分标注相同的附图标记。另外，“上”“下”的用语基于图示的状态，为了方便而设定。
[0036] [第1实施方式]
[0037] 图1是表示本实施方式的等离子体处理装置的结构的概略剖视图。等离子体处理装置具有气密地构成且电气地设为接地电位的处理容器1。该处理容器1呈圆筒状，由例如
铝等形成。处理容器1划分形成供等离子体生成的处理空间。在处理容器1内，设有
水平地支承作为加工物的
半导体晶圆(以下简称为“晶圆”。)W的载置台2。载置台2包括基材(基座)2a和静电卡盘6地构成。基材2a由
导电性的金属、例如铝等形成，具有作为下部电极的功能。静电卡盘6具有用于静电
吸附晶圆W的功能。载置台2隔着绝缘板3支承于导体的支承台4。另外，在载置台2的上方的外周设有由例如单晶
硅形成的聚焦环5。而且，以包围载置台2和支承台4的周围的方式设有由例如
石英等形成的圆筒状的内壁构件3a。
[0038] 基材2a借助第1匹配器11a连接有第1RF电源10a，并且，借助第2匹配器11b连接有第2RF电源10b。第1RF电源10a是等离子体产生用的RF电源，构成为，从该第1RF电源10a向载置台2的基材2a供给预定的
频率的高频电力。另外，第2RF电源10b是离子吸引用(
偏压用)的RF电源，构成为，从该第2RF电源10b向载置台2的基材2a供给比第1RF电源10a的预定频率低的预定频率的高频电力。如此，载置台2构成为能被施加电压。另一方面，在载置台2的上方，以与载置台2平行地相对的方式设有具有作为上部电极的功能的喷头16，喷头16和载置台2作为一
对电极(上部电极和下部电极)发挥功能。
[0039] 静电卡盘6是使电极6a介于该绝缘体6b之间而构成的，在电极6a连接有直流电源12。并且，构成为，通过从直流电源12对电极6a施加直流电压，利用库仑力吸附晶圆W。绝缘体6b由例如陶瓷等形成。
[0040] 在载置台2的内部形成有制冷剂流路2d，在制冷剂流路2d连接有制冷剂入口配管2b、制冷剂出口配管2c。并且，构成为，通过使适当的制冷剂、例如
冷却水等在制冷剂流路2d中循环，能将载置台2控制成预定的温度。另外，以贯通载置台2等的方式设有用于向晶圆W的背面供给氦气等冷热传递用气体(背侧气体)的气体供给管30，气体供给管30与未图示的气体供给源连接。利用这些结构，将被静电卡盘6吸附保持到载置台2的上表面的晶圆W控制成预定的温度。随后叙述气体供给管30的构造。
[0041] 在载置台2设有多个、例如3个销用贯通孔200(图中仅示出1个。)，在这些销用贯通孔200的内部分别配设有升降销61。升降销61与驱动机构62连接，利用驱动机构62上下运动。随后叙述销用贯通孔200的构造。
[0042] 上述的喷头16设于处理容器1的顶壁部分。喷头16具备主体部16a和构成电极板的上部顶板16b，借助绝缘性构件95支承于处理容器1的上部。主体部16a由导电性材料、例如表面被
阳极氧化处理后的铝形成，构成为，能够将上部顶板16b以可拆卸的方式支承于该主体部16a的下部。
[0043] 在主体部16a的内部设有气体扩散室16c，以位于该气体扩散室16c的下部的方式在主体部16a的底部形成有许多气体流通孔16d。另外，在上部顶板16b，以沿着厚度方向贯通该上部顶板16b的方式气体导入孔16e以与上述的气体流通孔16d重叠的方式设置。利用这样的结构，供给到气体扩散室16c的处理气体经由气体流通孔16d和气体导入孔16e向处理容器1内呈喷淋状分散而供给。
[0044] 在主体部16a形成有用于将处理气体向气体扩散室16c导入的气体导入口16g。在该气体导入口16g连接有气体供给配管15a，在该气体供给配管15a的另一端连接有供给处理气体的处理气体供给源(气体供给部)15。在气体供给配管15a从上游侧依次设有
质量流量
控制器(MFC)15b和开闭
阀V2。并且，
等离子体蚀刻用的处理气体从处理气体供给源15经由气体供给配管15a向气体扩散室16c供给，从该气体扩散室16c经由气体流通孔16d和气体导入孔16e向处理容器1内呈喷淋状分散而供给。
[0045] 在作为上述的上部电极的喷头16借助低通
滤波器(LPF)71电连接有可变直流电源72。该可变直流电源72构成为通过连断
开关73能进行供电的连通/断开。可变直流电源72的
电流/电压以及通断开关73的连通/断开由随后叙述的控制部90控制。此外，如随后叙述那样，在从第1RF电源10a、第2RF电源10b对载置台2施加高频而在处理空间产生等离子体之际，根据需要，在控制部90的控制下，通断开关73设为连通，对作为上部电极的喷头16施加预定的直流电压。
[0046] 以从处理容器1的
侧壁向比喷头16的高度位置靠上方的位置延伸的方式设有圆筒状的接地导体1a。该圆筒状的接地导体1a在其上部具有顶壁。
[0047] 在处理容器1的底部形成有排气口81，在该排气口81借助排气管82连接有第1排气装置83。第1排气装置83具有真空
泵，构成为，通过使该
真空泵工作，能够将处理容器1内减压到预定的真空度。另一方面，在处理容器1内的侧壁设有晶圆W的输入输出口84，在该输入输出口84设有对该输入输出口84进行开闭的闸阀85。
[0048] 在处理容器1的侧部内侧，沿着内壁面设有
沉积物屏蔽件86。沉积物屏蔽件86防止蚀刻副生成物(沉积物)附着于处理容器1。在该沉积物屏蔽件86的与晶圆W大致相同的高度位置设有电位可控制地接地的导电性构件(GND模
块)89，由此，防止异常放电。另外，在沉积物屏蔽件86的下端部设有沿着内壁构件3a延伸的沉积物屏蔽件87。沉积物屏蔽件86、87拆卸自由。
[0049] 上述结构的等离子体处理装置的动作由控制部90综合地控制。在该控制部90设有具备CPU并对等离子体处理装置的各部进行控制的工艺控制器91、用户
接口92、以及存储部93。
[0050] 用户接口92由工序管理者为了管理等离子体处理装置而进行指令的输入操作的
键盘、使等离子体处理装置的运转状况
可视化来显示的显示器等构成。
[0051] 在存储部93储存有制程，该制程存储有用于在工艺控制器91的控制下实现在等离子体处理装置中执行的各种处理的控制程序(
软件)、处理条件数据等。并且，根据需要，在来自用户接口92的指示等下将任意的制程从存储部93调出而使工艺控制器91执行，从而，在工艺控制器91的控制下，能进行等离子体处理装置中的所期望的处理。另外，控制程序、处理条件数据等制程也能够利用储存到可由计算机读取的计算机存储介质(例如
硬盘、CD、
软盘、半导体
存储器等)等的状态的制程、或从其他装置经由例如专用线路随时传输而在线使用。
[0052] 接着，参照图2和图3对载置台2的主要部分结构进行说明。图2和图3是表示图1的等离子体处理装置中的载置台2的概略剖视图。图2表示使升降销61上升而支承着晶圆W的情况，图3表示使升降销61下降而将晶圆W支承到静电卡盘6上的情况。如上所述，载置台2由基材2a和静电卡盘6构成，构成为升降销61能从基材2a的下方向静电卡盘6的上方贯穿。
[0053] 静电卡盘6呈圆板状，具有用于载置晶圆W的载置面21和与该载置面相对的背面22。载置面21呈圆形，与晶圆W的背面接触而支承圆板状的晶圆。基材2a与静电卡盘6的背面
22接合。静电卡盘6能使用粘接材料而与基材2a的上表面接合。
[0054] 在载置面21形成有气体供给管30的端部(气孔)。气体供给管30供给冷却用的氦气等。气体供给管30的端部由第1贯通孔17和第2贯通孔18形成。第1贯通孔17以从静电卡盘6的背面22贯通到载置面21的方式设置。即、第1贯通孔17的内壁由静电卡盘6形成。另一方面，第2贯通孔18以从基材2a的背面贯通到与静电卡盘6之间的接合面的方式设置。即、第2贯通孔18的内壁由基材2a形成。第2贯通孔的孔径比例如第1贯通孔的孔径大。并且，以第1贯通孔17和第2贯通孔连通的方式配置有静电卡盘6和基材2a。在气体供给管30配置有气体用隔离件204。
[0055] 气体用隔离件204由例如陶瓷等绝缘体形成，呈圆筒形状。并且，气体用隔离件204以在第2贯通孔18内与基材2a接触的方式具有与第2贯通孔18的孔径大致相同的外径，以从基材2a的下表面侧朝向上表面侧嵌入第2贯通孔18内的方式安装。气体用隔离件204具有比第1贯通孔17的孔径小的内径。
[0056] 在气孔收容有销31。销31被收容于第1贯通孔17以及气体用隔离件204。销31的外径比第1贯通孔17以及气体用隔离件204的内径小。也就是说，气体用隔离件204具有比第1贯通孔17的孔径小且比销31的外径大的内径。销31能由例如陶瓷等绝缘体形成。
[0057] 另外，在载置面21形成有收容升降销61的销用贯通孔200。销用贯通孔200由第1贯通孔17和第2贯通孔18形成。如上所述，第1贯通孔17形成于静电卡盘6，第2贯通孔18形成于基材2a。形成销用贯通孔200的第1贯通孔17设为与升降销61的外径相应的孔径、即、比升降销61的外径稍大的(大例如0.1mm～0.5mm程度的)孔径，可在内部收容升降销61。第2贯通孔的孔径比例如第1贯通孔的孔径大。并且，在第1贯通孔17的内壁以及第2贯通孔18的内壁与升降销61之间配置有销用隔离件203。
[0058] 销用隔离件203配设于形成销用贯通孔200的第2贯通孔18内。销用隔离件203由例如陶瓷等绝缘体形成，呈圆筒形状。并且，销用隔离件203以在第2贯通孔18内与基材2a接触的方式具有与第2贯通孔18的孔径大致相同的外径，以从基材2a的下表面侧朝向上表面侧嵌入第2贯通孔18内的方式安装。销用隔离件203具有比第1贯通孔17的孔径小且比升降销61的外径大的内径。
[0059] 升降销61具备由绝缘性的陶瓷或
树脂等形成为销形状的销主体部61a和销上端部61b。该销主体部61a呈圆筒形状，外径具有例如几mm左右。销上端部61b是通过销主体部61a被
倒角而形成的，具有球状的面。该球状的面使例如
曲率非常大，使升降销61的销上端部
61b整体靠近晶圆W背面。升降销61利用图1所示的驱动机构62在销用贯通孔200内上下运动，相对于载置台2的载置面21出没自如地动作。此外，驱动机构62以在收容有升降销61之际升降销61的销上端部61b位于晶圆W背面正下方的方式进行升降销61的停止位置的高度调整。
[0060] 如图2所示，在使升降销61上升了状态下，成为销主体部61a的一部分以及销上端部61b从载置台2的载置面21突出来的状态，成为晶圆W支承到载置台2的上部的状态。另一方面，如图3所示，在使升降销61下降了的状态下，成为销主体部61a收容到销用贯通孔200内的状态，晶圆W载置于载置面21。如此，升降销61将晶圆W沿着上下方向输送。
[0061] 图4是示意性地表示图2和图3的载置台中的气孔的结构的概略剖视图。如图4所示，在销31的侧部与第1贯通孔17之间形成有间隙CL1。另外，在销31的侧部与气体用隔离件204的内壁204a之间形成有间隙CL2。另外，在销31的上端与晶圆W的背面之间形成有间隙CL3。间隙CL1比间隙CL2大。
[0062] 图5是说明构成图4的气孔的构件的位置关系的图。如图5所示，在将载置面21的中心设为P1、将气孔的中心设为P2、将从载置面21的中心P1到第1贯通孔17(气孔的中心P2)的距离设为R、将销31的直径设为D、将第1贯通孔17内的间隙CL1的直径设为d1、将第2贯通孔18内的间隙CL2的直径设为d2、将第1贯通孔17内的间隙的长度设为g1、将第2贯通孔18内的间隙的长度设为g2、将基材2a的热膨胀率设为α1、将静电卡盘6的热膨胀率设为α2、将距作为第1贯通孔17和第2贯通孔18同轴地配置时的温度的基准温度的目标温度差设为ΔT时，第1贯通孔内的间隙的长度g1满足以下的式1的关系。
[0063] g1≥(2(R(α1-α2)ΔT+D)-d2-D)/2…(式1)
[0064] 此外，在图中，省略了气体用隔离件204。第2贯通孔18内的间隙的长度g2在存在气体用隔离件204的情况下是气体用隔离件204的内壁与销31的侧部之间的距离，在不存在气体用隔离件204的情况下，是第2贯通孔18的内壁与销31的侧部之间的距离。
[0065] 接着，说明间隙CL1和间隙CL2对异常放电造成的影响。为了避免异常放电，重要的是不设置用于电子加速的空间，因此，需要使间隙CL1和间隙CL2这两者尽可能变窄。不过，在使间隙CL1和间隙CL2这两者变窄了的情况下，销31有可能因基材2a与静电卡盘6之间的热膨胀率之差而破损。因此，为了带有余量(游隙)，需要将间隙CL1和间隙CL2中的任一者较宽地设定。
[0066] 图6是说明异常放电的图。图6的(A)～(C)是间隙CL2比间隙CL1大的情况，图6的(D)～(F)是间隙CL1比间隙CL2大的情况。此外，省略了气体用隔离件204。
[0067] 最初，对间隙CL2比间隙CL1大的情况进行说明。如图6的(A)所示，在对载置台施加了电压的情况下，构成间隙CL2的基材2a的侧部2ae(在存在气体用隔离件204的情况下，是气体用隔离件204的侧部)与晶圆W的背面的所对应的部分WE之间产生
电场。此时，存在足够用于电子加速的空间，因此，在间隙CL2中产生微空心
阴极放电PL1。并且，如图6的(B)所示，从间隙CL2向间隙CL1产生供给电子。由此，如图6的(C)所示，在晶圆W的背面产生
辉光放电。也就是说，在间隙CL2较大的情况下，认为产生因微空心阴极放电导致的异常放电。
[0068] 接着，对间隙CL1比间隙CL2大的情况进行说明。如图6的(D)所示，在对载置台施加了电压的情况下，在构成间隙CL2的基材2a的侧部2ae(在存在气体用隔离件204的情况下，是气体用隔离件204的侧部)与晶圆W的背面的所对应的部分WE之间产生电场。此时，不存在足够用于电子加速的空间，因此，在间隙CL2中不产生微空心阴极放电PL1。因而，如图6的(E)和(F)所示，在晶圆W的背面也不产生辉光放电。也就是说，在间隙CL2较小的情况下，认为能够抑制因微空心阴极放电导致的异常放电的产生。
[0069] 如以上说明那样，在第1实施方式的载置台2和等离子体处理装置中，销31被收容于气体用隔离件204和形成于载置面21的第1贯通孔17，该气体用隔离件204插入到与第1贯通孔17连通的第2贯通孔18。由此，能够使设于载置台2的孔的空间变窄，因此，能够不设置用于电子加速的空间。因此，防止在第1贯通孔17和气体用隔离件204处的放电。而且，销31与第1贯通孔17以及气体用隔离件204各自的内壁隔开间隙地配置，因此，不会阻碍气体供给功能，能够防止放电。另外，无法使间隙CL1和间隙CL2这两者变窄，因此，在使任一者变窄的情况下，通过使对异常放电的产生的抑制有效果的间隙CL2变窄，能够避免销31的破损且有效地防止异常放电。
[0070] [第2实施方式]
[0071] 第2实施方式的载置台和等离子体处理装置与第1实施方式的载置台和等离子体处理装置相比，在不具备销用隔离件203和气体用隔离件204这点上不同，其他相同。以下，省略与第1实施方式重复的说明，以不同点为中心进行说明。
[0072] 图7是示意性地表示载置台中的气孔的结构的概略剖视图。如图7所示，在销31的侧部与第1贯通孔17之间形成有间隙CL1。另外，在销31的侧部与第2贯通孔18之间形成有间隙CL2。另外，在销31的上端与晶圆W的背面之间形成有间隙CL3。间隙CL1比间隙CL2大。其他的结构与第1实施方式的载置台的结构相同。
[0073] 在第2实施方式的载置台2和等离子体处理装置中，销31被收容于形成于载置面21的第1贯通孔17、和与第1贯通孔17连通的第2贯通孔18。由此，能够使设于载置台2的孔的空间变窄，因此，能够不设置用于电子加速的空间。因此，防止在第1贯通孔17和第2贯通孔18处的放电。而且，销31与第1贯通孔17以及第2贯通孔18各自的内壁隔开间隙地配置，因此，不会阻碍气体供给功能，能够防止放电。另外，无法使间隙CL1和间隙CL2这两者变窄，因此，在使任一者变窄的情况下，通过使对异常放电的产生的抑制有效果的间隙CL2变窄，能够避免销31的破损且有效地防止异常放电。
[0074] 以上，对一实施方式进行了叙述，但本发明并不限定于该特定的实施方式，在技术方案内所记载的本发明的主旨的范围内可进行各种
变形或变更。
[0075] 例如，在图4中，通过使第1贯通孔17的孔径比气体用隔离件204的内径大，使间隙CL1比间隙CL2大，但也可以通过变更销31的形状，使间隙CL1比间隙CL2大。同样地，在图7中，通过使第1贯通孔17的孔径比第2贯通孔18的内径大，来使间隙CL1比间隙CL2大，也可以通过变更销31的形状，使间隙CL1比间隙CL2大。
[0076] 另外，在上述的实施方式中，销31也可以是升降销。
[0077] 另外，在第1实施方式和第2实施方式中，等离子体处理装置也可以使用由径向线缝隙天线(Radical line slot antenna)产生的等离子体。
[0078] [实施例]
[0079] 以下，为了说明上述效果，对本发明人实施了的实施例和比较例进行说明。
[0080] (实施例1)
[0081] 使用了第1实施方式的等离子体处理装置。将晶圆W配置于载置台2，对载置台2施加电压而生成了等离子体(第1RF电源10a：2700W、第2RF电源10b：19000W、压力：30Torr(3.9×103Pa))。
传热气体使用了He。将间隙CL1设为0.15mm，将间隙CL2设为0.05mm，将间隙CL3设为0.2mm。并且，进行了预定时间的等离子体处理。之后，确认了在晶圆W的背面是否存在放电痕迹。
[0082] (实施例2)
[0083] 将间隙CL3设为0.3mm。其他的条件与实施例1相同。
[0084] (比较例1)
[0085] 使用了第1实施方式的等离子体处理装置。将晶圆W配置于载置台2，对载置台2施加电压而生成了等离子体。将间隙CL1设为0.035mm、将间隙CL2设为0.2mm，将间隙CL3设为大致0mm。在进行了预定时间的等离子体处理之后，确认了在晶圆W的背面是否存在放电痕迹。处理条件与实施例1的处理条件相同。
[0086] 将结果表示在图8中。如图8所示，在比较例1(间隙CL1＜间隙CL2)的情况下，确认到晶圆W的背面产生了异常放电。另一方面，在实施例1、2(间隙CL1>间隙CL2)中，确认到在晶圆W的背面没有产生异常放电。如此确认到：与使间隙CL1变窄相比，使间隙CL2变窄能够有效地防止异常放电的产生。
