基板處理方法及基板處理裝置 METHOD FOR PROCESSING SUBSTRATE AND APPARATUS THEREOF
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把處理槽10區分為洗淨處理部15與乾燥處理部30，在兩處理部的接合部形成間隙，使此間隙連通於 水 槽29，在基板乾燥時使基板由洗淨處理部移動到該乾燥處理部，在形成有間隙的下方插入多孔板28，令乾燥處理部30的內壓比水槽29的內壓高，且洗淨處理部15的內壓比乾燥處理部30的內壓低，而噴射乾燥氣體到該基板。
在此場合，前述多孔板28為設置有複數個預定直徑的小孔之穿孔板較佳。 This invention relates to a method for processing substrate and apparatus thereof, which accommodates a plurality of sets of substrates with desiccant gas steadily and evenly.
Dividing processing tank 10 into a washing processing part 15 and a desiccating processing part30, forming a gap in a connecting part which is located in between the two processing parts such that the gap is connected with a water tank 29, at the time of desiccating the substrates, moving the substrates from the washing processing part to the desiccating processing part. Inserting a reticular board 28 into the gap, which makes an inner pressure of the desiccating processing part 30 higher than that of the water tank 29, and an inner pressure of the washing processing part 15 is lower than that of the desiccating processing part 30, at last the desiccant gas is injected onto the substrates.
In this case, the reticular board 28 is preferably arranged with a plurality of through holes having a predetermined diameter. 【創作特點】 但是，在上述專利文獻記載的的基板處理裝置中，乾燥氣體的一部分在處理槽內一邊回流一邊由排氣管排放到外面，故在處理槽內的乾燥氣體的流動不為一定而成為亂流狀態。其結果無法朝各個晶圓均勻地供給氮氣，在基 板面 發生處理不勻。此處理不勻係乾燥氣體越多亂流狀態越嚴重，處理不勻也擴大，使穩定的表面處理變成不可能。而且，也判明因內槽的底部的處理液排出孔為一個，故乾燥氣體流量多，例如若成為100L/min左右的話，槽內的亂流變的劇烈。該亂流的產生源之一也考慮為處理槽未被區分為乾燥處理部與洗淨處理部的緣故。
另一方面，若調查連接有排氣管的排氣處理設備的話，得知上述亂流的原因在此排氣處理設備也有。通常來自基板處理裝置的排氣管係連接於工場內的排氣處理設備。此排氣處理設備係使用 真空 泵 浦，在此泵浦連接有複數個機器/裝置，總括進行排氣處理的管理。因此，考慮各個機器/裝置的規格，每一這些機器/裝置的細緻的調整很困難，若想實施個別調整，則設備費的上漲無法避免。而且，在通常的排氣處理設備中，在起動初期或停止時排氣根源壓 力 的變動激烈。因此，對於一邊維持高品質一邊處理大量的晶圓，必須使此排氣處理設備中的排氣根源壓力的影響最少，但是在上述基板處理裝置中此調整極為困難。
近年來，在處理槽內處理的晶圓等的基板為了提高處理效率，需在儘可能地保持多數個基板於升降機構的狀態下插入槽內，依照情況以50~100片的批(lot)單位使基板在處理槽內同時被處理。此情形，各基板因以垂直豎起的姿勢互相平行而支持，故基板間的間距(pitch)成為數mm的狹窄。如此在處理槽內藥液處理多量的基板，或者進行利用純水的漂洗(rinse)處理的情形，需在處理槽內插入多量的基板下供給處理液給處理槽內部，或置換成其他的處理液等，惟此時對各基板的處理速度紛亂，或乾燥所需時間變長，故有微粒等容易發生等的課題。
本發明係考慮如以上的事情，特別是解決在習知例中的乾燥製程的課題，本發明的第一目的為提供乾燥氣體可均勻且穩定地供給到複數片基板集合體的基板處理方法。
本發明的第二目的為提供在處理大量的基板時，減少附著於基板的表面的污染物資，且防止因污染造成的良率(yield)降低的基板處理裝置。
上述目的可藉由以下的手段達成。即本發明的基板處理方法，其特徵為：區分處理槽為洗淨處理部與乾燥處理部，在該兩處理部的接合部形成間隙，使該間隙連通於水槽，在基板乾燥時由該洗淨處理部使基板移動到該乾燥處理部，在形成有該間隙的下方插入多孔板，令該乾燥處理部的內壓比水槽的內壓高，且該洗淨處理部的內壓比乾燥處理部的內壓低，用以噴射乾燥氣體到該基板。
如果依照此基板處理方法，在基板乾燥時乾燥氣體在乾燥處理部中供給到複數片基板的群後，一部分的乾燥氣體由上述間隙朝水槽，剩餘的通過洗淨處理部，排放到外部。此時，因乾燥處理部的內壓確實比洗淨處理部的內壓高，故在乾燥處理部的乾燥氣體的降流(down flow)平順，藉由乾燥氣體的層流可有效地進行複數片基板的群的表面處理。
而且，本發明的基板處理方法，其特徵為：前述洗淨處理部係在其底部分別獨立配設處理液供給部以及處理液排出部，在基板洗淨時用以進行以下的(a)~(d)製程：(a)、由該處理液供給部供給藥液給該處理槽內，在該處理槽內貯存藥液的製程；(b)、在該處理槽內投入浸漬該基板，實施預定時間該基板的藥液處理的製程；(c)、在藥液處理的終了後，由該處理液供給部供給洗淨液，由該處理槽通過該處理液排出部排出該藥液的製程；以及(d)、在排出該藥液後停止該洗淨液的供給的製程。
如果依照此基板處理方法，因使用共通的處理槽可進行藥液、洗淨以及乾燥的一連的處理，故在此一連的處理中無基板暴露於空氣。因此，基板處理的效率提高，並且可抑制自然 氧 化膜的形成以及防止因微粒等造成的污染。
在前述處理液排出部，於該處理液排出部配設排洩(drain)機構，在基板乾燥時在該洗淨處理部與該乾燥處理部之間插入多孔板，同時使該排洩機構動作，短時間地使前述洗淨處理部內的處理液排出，而且，前述多孔板為設有複數個預定直徑的小孔的穿孔板(punching plate)較佳。
如果依照此基板處理方法，穿孔板的各小孔使乾燥氣體分散，並且藉由孔口(orifice)效應，可確實地使乾燥處理部的內壓比洗淨處理部的內壓還高。而且，藉由該排洩機構的動作，藉由快速大量地使前述洗淨處理部內的處理液排出，使在乾燥處理部的乾燥氣體的降流平順，藉由乾燥氣體的層流可有效地進行複數片基板群的表面處理。
本發明的基板處理裝置，其特徵包含：以互相等間距平行且垂直的姿勢支持應處理的複數片基板的支持裝置；收容藉由該支持裝置支持的基板的集合體的洗淨處理槽；以及覆蓋該洗淨處理槽的上部開口，當作乾燥處理槽而發揮功能的蓋體，其中該蓋體具有可收容該基板的集合體的大小，由頂面閉鎖下部開口的容器構成，在該容器的頂面複數個噴射噴嘴係以略等間隔排列成面狀，各噴射噴嘴孔係朝該基板集合體而配設，在該蓋體覆蓋該洗淨處理槽的上部開口時，用以在該洗淨處理槽與該蓋體之間形成有連通於水槽的間隙，且在該間隙的下方插入有多孔板。
如果依照此基板處理裝置，在基板乾燥時乾燥氣體在乾燥處理槽中供給到複數片基板的群後，一部分的乾燥氣體由上述間隙朝水槽，剩餘的通過洗淨處理槽，排放到外部。此時，因乾燥處理槽的內壓確實比洗淨處理槽的內壓高，故在乾燥處理槽的乾燥氣體的降流平順，藉由乾燥氣體的層流可有效地進行複數片基板群的表面處理。
而且，前述洗淨處理槽具備：在其底部分別獨立配設的處理液供給部以及處理液排出部；連接於該處理液供給部，供給處理液給該處理槽的處理液供給系配管；供給藥液給該處理液供給系配管的藥液供給源；藉由經由該處理液供給系配管，供給洗淨液給該處理槽，且由該處理槽的上部溢出此洗淨液，洗淨該基板的洗淨液供給裝置；以及將連接於該處理液排出部，由該處理槽排出的洗淨液導入到該處理槽的外部的排出配管較佳。
如果依照此構成，因使用共通的處理槽可進行藥液、洗淨以及乾燥的一連的處理，故在此一連的處理中無基板暴露於空氣。因此，基板處理的效率提高，並且可抑制自然氧化膜的形成以及防止因微粒等造成的污染。
在前述處理液排出部配設排洩機構，在前述基板集合體的乾燥時前述多孔板被插入前述洗淨處理槽與前述蓋體之間，同時使該排洩機構動作，而且，前述複數個噴射噴嘴係沿著前述基板集合體的外周緣，使該外周緣與各噴嘴孔的距離大致相等而配設於前述容器的頂面，再者，前述多孔板為具有複數個預定直徑的孔的穿孔板較佳。
如果依照此基板處理裝置，可均勻穩定地供給乾燥氣體到前述基板集合體。，下面是基板處理方法及基板處理裝置 METHOD FOR PROCESSING SUBSTRATE AND APPARATUS THEREOF专利的具体信息内容。
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