一种防串流光敏二极管芯片及其制造方法
专利汇可以提供一种防串流光敏二极管芯片及其制造方法专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 提供一种防串流光敏 二极管 芯片及其制造方法，所述防串流光敏二极管芯片包括第一导电类型衬底，所述第一导电类型衬底上间隔地设有多个发光单元，相邻的发光单元之间由阻断 深槽 相隔离，所述阻断深槽中填充有绝缘介质；每个所述发光单元包括在第一导电类型衬底的第一导电类型 外延 层，所述第一导电类型外延层上形成第一导电类型阱区和第二导电类型阱区。所述防串流光敏二极管芯片及其制造方法能够减少相邻二极管之间的光 电流 干扰，实现电流的均匀输出。，下面是一种防串流光敏二极管芯片及其制造方法专利的具体信息内容。
1.一种防串流光敏二极管芯片，其特征在于，所述防串流光敏二极管芯片包括第一导电类型衬底，所述第一导电类型衬底上间隔地设有多个发光单元，相邻的发光单元之间由阻断深槽（2）相隔离，所述阻断深槽（2）中填充有绝缘介质；每个所述发光单元包括在第一导电类型衬底的第一导电类型外延层，所述第一导电类型外延层上形成第一导电类型阱区和第二导电类型阱区。
2.如权利要求1所述的防串流光敏二极管芯片，其特征在于，在每个发光单元中，其上的第一导电类型阱区位于第二导电类型阱区的周围。
3.如权利要求1所述的防串流光敏二极管芯片，其特征在于，所述阻断深槽（2）的宽为
30-100µm，深10-20µm。
4.一种防串流光敏二极管芯片的制造方法，其特征在于，所述防串流光敏二极管芯片的制造方法具体包括以下步骤：
提供第一导电类型衬底；
采用外延工艺，在所述第一导电类型衬底的表面生长出第一导电类型外延层；
在所述第一导电类型外延层的外延面向内刻蚀形成多个相间隔的第一导电类型阱区注入窗口，向所述第一导电类型阱区注入窗口中注入第一掺杂离子，在第一导电类型阱区注入窗口位置处形成第一导电类型阱区；
在所述第一导电类型外延层的外延面向内刻蚀形成多个相间隔的第二导电类型阱区注入窗口，向所述第二导电类型阱区注入窗口中注入第二掺杂离子，在第二导电类型阱区注入窗口位置处形成第二导电类型阱区；
在第一导电类型外延层的外延面向内刻蚀形成多个阻断深槽（2）；
在所述阻断深槽（2）中和第一导电类型阱区表面、第二导电类型阱区表面沉淀绝缘层。
5.如权利要求4所述的防串流光敏二极管芯片的制造方法，其特征在于，所述第一导电类型阱区位于第二导电类型阱区的周围。
6.如权利要求4所述的防串流光敏二极管芯片的制造方法，其特征在于，多个阻断深槽（2）将所述第一导电类型外延层间隔成多个发光单元；从每个所述发光单元上的第一导电类型外延层外延面向内形成有所述第一导电类型阱区和第二导电类型阱区。
一种防串流光敏二极管芯片及其制造方法
技术领域
背景技术
发明内容
采用外延工艺，在所述第一导电类型衬底的表面生长出第一导电类型外延层；
在所述第一导电类型外延层的外延面向内刻蚀形成多个相间隔的第一导电类型阱区
注入窗口，向所述第一导电类型阱区注入窗口中注入第一掺杂离子，在第一导电类型阱区注入窗口位置处形成第一导电类型阱区；
在所述第一导电类型外延层的外延面向内刻蚀形成多个相间隔的第二导电类型阱区
注入窗口，向所述第二导电类型阱区注入窗口中注入第二掺杂离子，在第二导电类型阱区注入窗口位置处形成第二导电类型阱区；
在第一导电类型外延层的外延面向内刻蚀形成多个阻断深槽；
在所述阻断深槽中和第一导电类型阱区表面、第二导电类型阱区表面沉淀绝缘层。
具体实施方式
采用外延工艺，在所述第一导电类型衬底的表面生长出第一导电类型外延层；
在所述第一导电类型外延层的外延面向内刻蚀形成多个相间隔的第一导电类型阱区
注入窗口，向所述第一导电类型阱区注入窗口中注入第一掺杂离子，在第一导电类型阱区注入窗口位置处形成第一导电类型阱区；
在所述第一导电类型外延层的外延面向内刻蚀形成多个相间隔的第二导电类型阱区
注入窗口，向所述第二导电类型阱区注入窗口中注入第二掺杂离子，在第二导电类型阱区注入窗口位置处形成第二导电类型阱区；
在第一导电类型外延层的外延面向内刻蚀形成多个阻断深槽2；
在所述阻断深槽2中和第一导电类型阱区表面、第二导电类型阱区表面沉淀绝缘层。
S120：如图4所示，采用外延工艺，在所述N型衬底1的表面生长出N型外延层3；
S130：在所述N型外延层3的外延面向内刻蚀形成多个N型阱区4注入窗口，多个所述N型注入窗口在N型外延层3间隔分布；
S140：向所述N型阱区4注入窗口中注入N型杂质磷，从而在N型阱区4注入窗口位置处形成N型阱区4；
S150：如图5所示，在N型阱区4以外的N型外延层3的外延面向内刻蚀P型阱区5注入窗口，并向所述P型阱区5注入窗口中注入P型杂质硼，从而在P型阱区5注入窗口位置处形成P型阱区5；所述N型阱区4位于P型阱区5的外周，并且一个P型阱区5至少与一个N型阱区4配合；
S160：如图6所示，在P型阱区5的周围向N型外延层3内延伸刻蚀形成宽为30-100µm，深
10-20µm的阻断深槽2；所述阻断深槽2将N型外延层3间隔成多个发光单元，从每个所述发光单元上的N型外延层3外延面向内形成有相配合的述N型阱区4和P型阱区5。
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