温度传感器制备方法及温度传感器
阅读：590发布：2020-05-11
专利汇可以提供温度传感器制备方法及温度传感器专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且一种 温度 传感器 及其制备方法，该方法包括：在 硅 片 (20)形成若干沟槽(21)；热 退火 使若干沟槽(21) 变形 后相互连通形成一空腔(22)，且 硅片 (20)在空腔(22)上方连接起来，将空腔(22)封闭； 氧 化空腔(22)上部的硅片(20)得到氧化硅 薄膜 (23)；在氧化硅薄膜(23)上形成测温单元。这种温度传感器制备方法，可以得到氧化硅薄膜，且氧化硅薄膜与硅通过空腔隔离，空腔下方的硅不会影响上方氧化硅薄膜的隔离效果，因此无需通过 深槽 刻蚀 工艺将多余的硅刻蚀掉，简化了制备过程，节约制备时间，节省了制备成本。由于氧化硅薄膜导热率低，将测温单元制备在氧化硅薄膜上，具有较好的测温效果，使温度传感器性能更加稳定。，下面是温度传感器制备方法及温度传感器专利的具体信息内容。
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