专利汇可以提供Strained interband resonant tunneling negative resistance diode专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且A double barrier tunnel diode (10) has a quantum well (12), a pair of electron injection layers (16) on either side of the quantum well (12), and a barrier layer (14) between each of the electron injection layers (16) and the quantum well (12), in a strained biaxial epitaxial relationship with the quantum well (12). The material is chosen such that the biaxial strain is sufficient to reduce the energy of heavy holes in the quantum well (12) to less than the energy of the conduction band minimum energy of the electron injection layers (16).,下面是Strained interband resonant tunneling negative resistance diode专利的具体信息内容。
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