专利汇可以提供叠堆状的光耦合器组件专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且一种叠堆状的光 耦合器 组件,其具有发射组件和接收组件以及板状电绝缘体,发射组件具有发射区域,接收组件具有接收区域,绝缘体构造在发射组件和接收组件之间,发射组件和接收组件以及板状电绝缘体叠堆状地彼此重叠地布置,发射组件和接收组件在电方面彼此分离然而在光方面彼此耦合,绝缘体对于发射组件的发射 波长 透明,发射组件的光主要通过绝缘体作用到接收组件上,接收组件具有N个相互 串联 的部分 电压 源,其中N是自然数,单个部分电压源的部分电压彼此的偏差小于20%,部分电压源中的每一个具有 半导体 二极管 ,半导 体二极管 具有p‑n结,在各两个相继的部分电压源之间构造有 隧道二极管 ,部分电压源和隧道二极管一起单片式地集成。,下面是叠堆状的光耦合器组件专利的具体信息内容。
1.一种叠堆状的光耦合器组件(OPT),其具有:
具有发射区域(SF)的发射组件(S),其中,所述发射区域(SF)具有表面,具有接收区域(EF)的接收组件(E),其中,所述接收区域(EF)具有表面,板状的电绝缘体(IS),
其中,所述绝缘体(IS)构造在所述发射组件(S)和所述接收组件(E)之间,所述发射组件(S)和所述接收组件(E)和所述绝缘体(IS)叠堆状地彼此重叠地布置,所述发射组件(S)和所述接收组件(E)在电方面彼此分离、然而在光方面彼此耦合,其中,所述绝缘体(IS)至少对于所述发射区域(SF)的发射波长的一部分透明,所述发射区域(SF)的表面的重心线和所述接收区域(EF)的表面的重心线基本上或精确地相互平行,
这两个重心线之间的错位小于相应重心线与所述发射区域(SF)的表面的外棱边或者与所述接收区域(EF)的表面的外棱边的距离的一半或十分之一或五十分之一,从而所述发射组件(S)的光主要或仅仅通过所述绝缘体(IS)作用到所述接收组件(E)上,所述绝缘体(IS)在所有侧上从叠堆凸台状地凸出,
所述接收组件(E)具有N个相互串联连接的部分电压源,其中,N是自然数且≥2,各个部分电压源的部分电压彼此的偏差小于20%,
所述部分电压源中的每一个具有半导体二极管(D1,…,DN),所述半导体二极管具有p-n结,
在各两个相继的部分电压源之间构造有隧道二极管(TD1,…,TDN-1),其中,所述部分电压源和所述隧道二极管(TD1,…,TDN-1)一起单片式地集成。
2.根据权利要求1所述的光耦合器组件(OPT),其特征在于,所述发射区域(SF)的表面的大小与所述接收区域(EF)的表面的大小之间的差小于20%。
3.根据权利要求1或2所述的光耦合器组件(OPT),其特征在于,所述发射区域(SF)的表面和所述接收区域(EF)的表面具有四边形状并且相应的四边形的最大边长小于2mm。
4.根据权利要求1-2中任一项所述的光耦合器组件(OPT),其特征在于,由发射组件(S)和绝缘体(IS)和接收组件(E)组成的叠堆集成在一个共同的壳体(G)中。
5.根据权利要求1-2中任一项所述的光耦合器组件(OPT),其特征在于,所述发射区域(SF)的表面与所述接收区域(EF)的表面同样大,并且除电连接区域以外整个发射区域(SF)发射光(L)并且整个接收区域(EF)吸收光(L)。
6.根据权利要求1-2中任一项所述的光耦合器组件(OPT),其特征在于,所述发射区域(SF)的表面和所述接收区域(EF)的表面是正方形的并且分别具有大于0.2×0.2mm2且小于
4mm2或小于1mm2的基本面积。
7.根据权利要求1-2中任一项所述的光耦合器组件(OPT),其特征在于,所述发射组件(S)具有用于发射器的波长的光学镜或者具有RCLED或表面发射激光器。
8.根据权利要求1-2中任一项所述的光耦合器组件(OPT),其特征在于,板状的所述绝缘体(IS)由塑料和或由玻璃和或由氧化铝和或由环氧树脂和或由硅酮组成。
9.根据权利要求1-2中任一项所述的光耦合器组件(OPT),其特征在于,所述绝缘体(IS)在所有侧上从所述叠堆凸出至少5μm。
10.根据权利要求1-2中任一项所述的光耦合器组件(OPT),其特征在于,所述绝缘体(IS)的厚度小于0.5mm,并且最小是50μm。
11.根据权利要求1-2中任一项所述的光耦合器组件(OPT),其特征在于,所述发射区域(SF)的发射波长等于所述接收区域(EF)的吸收棱边或者比所述接收区域的吸收棱边小最多10%。
12.根据权利要求1-2中任一项所述的光耦合器组件(OPT),其特征在于,所述发射组件(S)和所述接收组件(E)由III-V族材料构造。
13.根据权利要求1-2中任一项所述的光耦合器组件(OPT),其特征在于,所述接收组件(E)包括GaAs衬底和/或者Ge衬底。
14.根据权利要求1-2中任一项所述的光耦合器组件(OPT),其特征在于,所述接收组件(E)包括(Al)GaAs和/或InGaP和/或InGaAs材料。
15.根据权利要求1-2中任一项所述的光耦合器组件(OPT),其特征在于,所述发射组件(S)和所述接收组件(E)沿着叠堆方向具有截棱锥状的构造,其中,所述截棱锥的下侧的面积大小与所述截棱锥的上侧的面积大小之间的差是至少5μm2。
16.根据权利要求1-2中任一项所述的光耦合器组件(OPT),其特征在于,所述发射区域(SF)的表面直接布置在所述绝缘体(IS)的上侧上并且所述接收区域(EF)的表面直接布置在所述绝缘体(IS)的下侧上,从而所述发射区域(SF)的表面与所述接收区域(EF)的表面彼此面向。
17.根据权利要求1至2中任一项所述的光耦合器组件(OPT),其特征在于,所述发射组件(S)具有衬底层(SUBS)并且所述衬底层(SUBS)布置在所述绝缘体(IS)的上侧上,并且所述接收组件(E)具有衬底层(SUBE)并且所述接收组件(E)的衬底层(SUBE)布置在所述绝缘体(IS)的下侧上,从而这两个衬底层(SUBS,SUBE)直接彼此面向。
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