专利汇可以提供发光二极管专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且具有堆叠状结构的发光 二极管 ,所述结构具有第一区域、第二区域和第三区域,其中,所有三个区域以如下顺序具有以下层:载体层、n掺杂的下包覆层和产生电磁 辐射 的有源层,其中,所述有源层包括 量子阱 结构,并且p掺杂的上包覆层和第一区域附加地具有构造在上包覆层上且由p+层和n+层构成的 隧道二极管 和n掺杂的 电流 分配层,其中,电流分配层和n掺杂的接通层以印制 导线 覆盖 ,并且对于第一区域附加地提及的层以上述顺序布置,并且其中,至少所述下包覆层、有源层、上包覆层、隧道二极管和电流分配层单片地构造,所述第二区域和第三区域不具有或仅部分地具有所述第一区域的附加层,并且所述第二区域具有底部区域的接通孔,并且在接通孔的底部区域中构造注入势垒,所述注入势垒面式地构造在上包覆层中或在上包覆层的表面处或在上包覆层的上方,并且所述印制导线以注入势垒覆盖,并且其中,所述第三区域有纹理地构造。,下面是发光二极管专利的具体信息内容。
1.一种发光二极管(10),其具有主要由III-V族半导体层构成的堆叠状结构(12),所述发光二极管具有:
第一区域(31)、第二区域(32)和第三区域(33),其中,所有三个区域(31,32,33)以如下顺序具有以下半导体层:载体层(14)、n掺杂的下包覆层(16)、产生电磁辐射的有源层(18)、p掺杂的上包覆层(20),其中,所述有源层(18)包括量子阱结构,
其特征在于,
所述第一区域(31)附加地具有:
+ +
隧道二极管(26),其构造在所述上包覆层(20)上并且由p 层(22)和n 层(24)构成,其中,所述隧道二极管(26)的p+层(22)由III族砷化物构成或者包括III族砷化物,并且所述隧道二极管(26)的n+层(24)由III族磷化物构成或者包括III族磷化物;
n掺杂的电流分配层(28),其中,所述电流分配层(28)由III族砷化物构成或者包括III族砷化物;
n掺杂的接通层(34),其中,所述n掺杂的接通层(34)由III族砷化物构成或者包括III族砷化物,并且所述n掺杂的接通层(34)以印制导线(40)覆盖,
并且对于所述第一区域(31)附加地提及的层以上面提及的顺序布置,
其中,至少所述下包覆层(16)、所述有源层(18)、所述上包覆层(20)、所述隧道二极管(26)和所述电流分配层(28)单片地构造,
所述第二区域(32)和所述第三区域(33)不具有或部分地具有所述第一区域(31)的附加层,
所述第二区域(32)具有接通孔,所述接通孔具有底部区域,并且在所述接通孔的底部区域中附加地构造有以下层:
注入势垒(27),其面式地构造在所述上包覆层(20)中或在所述上包覆层(20)的表面处或在所述上包覆层(20)的上方,以便抑制与所述堆叠方向相反的电流流动;
印制导线(40),所述注入势垒(27)以所述印制导线覆盖;
所述第三区域(33)有纹理地构造,其中,所述纹理具有凹部(36)并且所述凹部(36)完全地穿过所述电流分配层(28)并且穿过所述隧道二极管(26)的n+层(24)。
2.根据权利要求1所述的发光二极管(10),其特征在于,在所述接通孔的底部区域中和在所述纹理的凹部中构造有AlGaAs层。
3.根据权利要求1或权利要求2所述的发光二极管(10),其特征在于,所述注入势垒(27)包括pn结和/或绝缘层,或由pn结或绝缘层构成。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的发光二极管(10),其特征在于,在所述载体层(14)与所述下包覆层(16)之间布置有镜层(15)。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的发光二极管(10),其特征在于,所述堆叠状结构(12)的下侧由所述载体层(14)形成或由与所述载体层(14)连接的接通层形成。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的发光二极管(10),其特征在于,所述凹部(36)穿过整个隧道二极管(22)直至到达所述上包覆层(20)。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的发光二极管(10),其特征在于,所述凹部(36)截多面体形地构造。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的发光二极管(10),其特征在于,所述凹部(36)具有盆形的横截面。
9.根据权利要求8所述的发光二极管(10),其特征在于,所述凹部具有侧凹(38)。
10.根据权利要求1至9中任一项所述的发光二极管(10),其特征在于,所述下包覆层(16)和所述上包覆层(20)由III族砷化物构成或包括III族砷化物。
11.一种用于制造发光二极管(10)的制造方法,所述发光二极管具有第一区域(31)、第二区域(32)和第三区域(33),所述制造方法具有以下方法步骤:
提供堆叠状结构(12),其具有上侧和下侧并且主要由III-V族半导体层构成,其中,所述堆叠状结构(12)具有形成所述下侧的载体(14)、下包覆层(16)、具有量子阱结构的产生电磁辐射的有源层(18)、p掺杂的上包覆层(20)、由p+层(22)和n+层(24)形成的隧道二极管(26)、n掺杂的电流分配层(28)和n掺杂的接通层(34),并且上面提及的半导体层以所提及的顺序构造,并且所述隧道二极管(26)的p+层(22)和所述电流分配层(28)分别包括III族+
砷化物或由III族砷化物构成,并且所述隧道二极管(26)的n层(24)包括III族磷化物或由III族磷化物构成;
在掩模处理期间将光敏感层施加到所述堆叠状结构(12)的上侧(30)上并且对所述光敏感层进行结构化;
从所述堆叠状结构(12)的上侧出发,在所述第二区域(32)中各向异性地蚀刻这些层以形成接通孔,同时,在所述第三区域中(33)蚀刻这些层以产生纹理,其中,在蚀刻两个区域(32,33)时,所述隧道二极管(26)的含磷化物的n+层(24)分别用作蚀刻停止;
在所述接通孔的底部区域中形成面式的注入势垒(27),并且在所述第二区域(32)中沉积印制导线(40)且对其进行结构化以充填所述接通孔,并且在所述第一区域(31)中形成连接接通指。
12.根据权利要求11所述的制造方法,其特征在于,在所述接通孔的底部处和在所述纹理的凹部中移除所述隧道二极管(26)的含磷化物的n+层(24)。
13.根据权利要求11或权利要求12所述的制造方法,其特征在于,借助在使用过氧化物-磷酸的情况下的湿法蚀刻执行至少一个蚀刻步骤。
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