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一种高摆率的运算放大电路

阅读：546发布：2020-05-08

专利汇可以提供一种高摆率的运算放大电路专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本实用新型公开了一种高摆率的运算放大电路；其特征在于：该放大电路包括轨到轨运放和摆率增强电路，其中摆率增强电路的两个输入端分别连接运放的正负输入端，其负向电流输出端与运放的PMOS输出管相连，提高输出信号上升速率，其正向电流输出端与运放的NMOS输出管相连，提高输出信号的下降速率；上述一种高摆率的运算放大电路，当运放正负两输入端信号的差量大于等于一定差值时，通过控制隧道二极管的开关转换，实现摆率增强电路达到开启状态，来控制输出管负载电容的充放电，从而减小了运放的输出延时；当运放的正负两输入信号的差量小于一定差值时，摆率增强电路不工作，对运算放大电路无影响，本实用新型利用隧道二极管的负阻特性，有效的降低了电路功耗，提高运放的输出摆率，增强信号的跟随响应能力。，下面是一种高摆率的运算放大电路专利的具体信息内容。

权利要求

1.一种高摆率的运算放大电路，其特征在于，该放大电路包括轨到轨运放和摆率增强电路，其中摆率增强电路包括正摆率增强单元电路和负摆率增强单元电路；摆率增强电路两个输入端分别连接运放的正负输入端，其负向电流输出端与运放的pmos输出管相连，提高输出信号上升速率，其正向电流输出端与运放的nmos输出管相连，提高输出信号的下降速率；上述一种高摆率的运算放大电路，当运放正负两输入端信号的差量大于等于一定差值时，摆率增强电路开启，并控制输出管负载电容的充放电，从而减小了运放的输出延时，当运放的正负两输入信号的差量小于一定差值时，摆率增强电路不工作对运放无影响，能有效提高运放的输出摆率，增强信号的跟随响应能力。
2.根据权利要求1所述的一种高摆率的运算放大电路，其特征在于，所述轨到轨运放包括电流源I1-I4、电压源V1-V2以及mos管M1-M22；其中，
mos管M1的源极和mos管M2的源极于电流源I2的一端相连；mos管M1的漏极与mos管M5的漏极相连；mos管M1的栅极接入轨到轨运放的负向端；mos管M2的漏极与mos管M6的漏极相连；
mos管M2的栅极接入轨到轨运放的正向端；mos管M3的源极和mos管M4的源极与电流源I1的一端相连；mos管M3的漏极与mos管M13的源极相连；mos管M3的栅极接入轨到轨运放的负向端；
mos管M4的漏极与mos管M14的源极相连；mos管M4的栅极接入轨到轨运放的正向端；mos管M5的源极和mos管M6的源极均接电源电压Vdd；mos管M5的栅极与mos管M6的栅极、mos管M7的漏极相连；mos管M5的漏极与mos管M7的源极相连；mos管M6的漏极与mos管M8的源极相连；mos管M7的栅极与mos管M8的栅极相连，且均接入电压源V2的一端；mos管M7的漏极与mos管M9的源极、mos管M11的漏极相连；mos管M8的漏极与mos管M10的源极、mos管M12的漏极相连，并记为补偿点gp；mos管M9的栅极与mos管M10的栅极、mos管M19的漏极相连；mos管M9的漏极与mos管M11的漏极、mos管M13的漏极相连；mos管M10的漏极与mos管M12的漏极、mos管M14的漏极相连，并记为补偿点gn；mos管M11的栅极与mos管M12的栅极、mos管M18的漏极相连；mos管M13的栅极与mos管M14的栅极相连，且接入电压源V1的一端；mos管M13的源极与mos管M15的漏极相连；mos管M14的源极与mos管M16的漏极相连；mos管M15的栅极与mos管M16的栅极、mos管M13的漏极相连；mos管M15的源极和mos管M16的源极均与gnd相连；mos管M17的源极与gnd相连；mos管M17栅极与漏极短接，且与mos管M18的源极相连；mos管M18栅极与漏极短接，且与电流源I3的一端相连；mos管M19栅极与漏极短接，且与电流源I4的一端相连；mos管M19的源极与mos管M20的漏极相连；mos管M20栅极与漏极短接；mos管M20的源极与电源电压Vdd相连；mos管M21的栅极接入补偿点gp；
mos管M21的源极与电源电压Vdd相连；mos管M21的漏极与mos管M22的漏极相连；mos管M22的栅极接入补偿点gn；mos管M22的源极与gnd相连。
3.根据权利要求1所述的一种高摆率的运算放大电路，其特征在于，正摆率增强单元电路包括电阻R1-R3、隧道二极管D1-D4、电流源I5和I6以及mos管M23-M33；其中，mos管M23的源极和mos管M24的源极均与电流源I5的一端相连；mos管M23的栅极接入轨到轨运放的正向端；mos管M23的漏极与电阻R1的一端相连；mos管M24的栅极接入轨到轨运放的负向端；mos管M24的漏极与电阻R2的一端相连；mos管M25的源极和mos管M26的源极均与电流源I6的一端相连；mos管M25的栅极与mos管M24的漏极相连；mos管M25的漏极与mos管M27的栅极相连；mos管M26的栅极与mos管M23的漏极相连；mos管M26的漏极与mos管M28的栅极相连；mos管M27的栅极分别与隧道二极管D3和D1相连；mos管M27的源极与mos管M29的漏极，mos管M33的栅极相连；mos管M27的源极与mos管M28漏极均与电源电压Vdd相连；mos管M28的栅极分别与隧道二极管D2和D4相连；mos管M28的源极与mos管M30的漏极相连；mos管M29的栅极分别与mos管M29的漏极，mos管M30的栅极相连；mos管M29的源极和mos 管M30的源极接gnd；mos管M31的栅极和mos管M32的栅极均与mos管M33的漏极相连；mos管M31的源极和mos管M32的源极连接gnd；mos管M31的漏极与轨到轨运放中补偿点gp相连；mos管M32的漏极与轨到轨运放中的补偿点gn相连；
mos管M33的源极与电源电压Vdd相连；mos管M33的栅极与mos管M27的源极相连；mos管M33的漏极与电阻R3的一端相连。
4.根据权利要求1所述的一种高摆率的运算放大电路，其特征在于，负摆率增强单元电路包括电阻R4和R5、隧道二极管D5-D8、电流源I7和I8以及mos管M34和M43；其中，mos管M34的源极和mos管M35的源极均与电流源I7的一端相连；mos管M34的漏极与电阻R4的一端相连；mos管M34的栅极接入轨到轨运放的正向端；mos管M35的漏极与电阻R5的一端相连；mos管M35的栅极接入轨到轨运放的负向端；mos管M36的栅极与mos管M34的漏极相连；mos管M36的源极与mos管M37的源极均与电流源I8的一端相连；mos管M36的漏极与mos管M38的栅极相连；mos管M37的栅极与mos管M34的漏极相连；mos管M37的漏极与mos管M39的栅极相连；mos管M38的栅极分别与隧道二极管D5和D7的一端相连；mos管M38的源极与mos管M40的漏极相连；mos管M38和mos管M39的漏极与电源电压Vdd相连；mos管M39的栅极分别与隧道二极管D6和D8的一端相连；mos管M39的漏极与mos管M41的漏极相连；mos管M40的栅极与漏极短接，且与mos管M41的栅极相连；mos管M40的源极和mos管M41的源极连接gnd；mos管M42的栅极和mos管M43的栅极均与mos管M41的漏极相连；mos管M42的源极和mos管M43的源极均与电源电压Vdd相连；mos管M42的漏极与轨到轨运放中的补偿点gp相连；mos管M43的漏极与轨到轨运放中的补偿点gn相连。

说明书全文

一种高摆率的运算放大电路

技术领域

[0001] 本实用新型涉及集成电路技术领域，特别是涉及一种利用隧道二极管作为摆率倍增电路设计的高摆率运算放大电路。

背景技术

[0002] 运算放大电路是模拟集成电路领域最基本最重要的部分，同时也是数模混合电路中最关键的模块之一。高摆率作为高速运算放大电路的显著特征，表明运放输出信号高低电平的转换速率，即响应时间短，因而适合驱动大负载电容。在大信号处理中，摆率常被视为一个重要指标。

[0003] 高摆率运算放大电路常应用于ADC前端的采样/保持电路、高阻抗传感器中的电流-电压转换器，视频放大器中的线缆驱动等等。在处理高低电平转换速度很快的高频信号时，运算放大电路的摆率不足容易导致信号的波形失真，对更高层次的系统电路的性能造成严重的影响。一般在运算放大电路中，输出放大管的栅漏之间接有一个补偿电容，则摆率可近似视为由输入电路的尾电流对该电容的充放电能力决定。在传统运算放大电路中摆率的提高可以通过增大尾电流或降低补偿电容的方法来实现。但这两种方法会导致电路功耗的增加和稳定性的下降。

[0004] 参考图1所示，为了摆脱上述两种因素对电路性能的影响，通常在运算放大电路中接入一个摆率增强电路，通过检测输入端的差分电平变化来提供较大的电流，能够快速给补偿电容充电，使输出摆率得到明显的提升。当负载电容较大，工作频率较高时，运算放大电路最大工作电流需达到毫安量级，无疑会给运算放大器带来巨大的功耗。如图2所示，为隧道二极管的I-V特性曲线，它获取较大的峰值电流时，工作电压反而减小。与传统的mos管相比，用隧道二极管做负载差分对，电路速度更快，功耗更小。利用隧道二极管的负阻特性有必要提供一种改良的摆率增强电路来解决上述缺陷。实用新型内容

[0005] 本实用新型的目的是提供一种高摆率的运算放大电路，有效的降低了电路功耗，提高运放的输出摆率，增强信号的跟随响应能力。

[0006] 一种高摆率的运算放大电路，其特征在于，该放大电路包括轨到轨运放和摆率增强电路，其中摆率增强电路包括正摆率增强单元电路和负摆率增强单元电路；摆率增强电路两个输入端分别连接运放的正负输入端，其负向电流输出端与运放的pmos输出管相连，提高输出信号上升速率，其正向电流输出端与运放的nmos 输出管相连，提高输出信号的下降速率；上述一种高摆率的运算放大电路，当运放正负两输入端信号的差量大于等于一定差值时，通过控制隧道二极管的开关转换，实现摆率增强电路达到开启状态，来控制输出管负载电容的充放电，从而减小了运放的输出延时；当运放的正负两输入信号的差量小于一定差值时，摆率增强电路不工作，对运算放大电路无影响。

[0007] 在一个实施例中，所述轨到轨运放包括电流源I1-I4、电压源V1-V2以及mos 管M1-M22；其中，

[0008] mos管M1的源极和mos管M2的源极于电流源I2的一端相连；mos管M1 的漏极与mos管M5的漏极相连；mos管M1的栅极接入轨到轨运放的负向端； mos管M2的漏极与mos管M6的漏极相连；mos管M2的栅极接入轨到轨运放的正向端；mos管M3的源极和mos管M4的源极与电流源I1的一端相连；mos 管M3的漏极与mos管M13的源极相连；mos管M3的栅极接入轨到轨运放的负向端；mos管M4的漏极与mos管M14的源极相连；mos管M4的栅极接入轨到轨运放的正向端；mos管M5的源极和mos管M6的源极均接电源电压Vdd； mos管M5的栅极与mos管M6的栅极、mos管M7的漏极相连；mos管M5的漏极与mos管M7的源极相连；mos管M6的漏极与mos管M8的源极相连； mos管M7的栅极与mos管M8的栅极相连，且均接入电压源V2的一端；mos 管M7的漏极与mos管M9的源极、mos管M11的漏极相连；mos管M8的漏极与mos管M10的源极、mos管M12的漏极相连，并记为补偿点gp；mos管M9 的栅极与mos管M10的栅极、mos管M19的漏极相连；mos管M9的漏极与 mos管M11的漏极、mos管M13的漏极相连；mos管M10的漏极与mos管M12 的漏极、mos管M14的漏极相连，并记为补偿点gn；mos管M11的栅极与mos 管M12的栅极、mos管M18的漏极相连；mos管M13的栅极与mos管M14的栅极相连，且接入电压源V1的一端；mos管M13的源极与mos管M15的漏极相连；mos管M14的源极与mos管M16的漏极相连；mos管M15的栅极与mos 管M16的栅极、mos管M13的漏极相连；mos管M15的源极和mos管M16的源极均与gnd相连；mos管M17的源极与gnd相连；mos管M17栅极与漏极短接，且与mos管M18的源极相连；mos管M18栅极与漏极短接，且与电流源I3 的一端相连；mos管M19栅极与漏极短接，且与电流源I4的一端相连；mos管 M19的源极与mos管M20的漏极相连；mos管M20栅极与漏极短接；
mos管 M20的源极与电源电压Vdd相连；mos管M21的栅极接入补偿点gp；mos管 M21的源极与电源电压Vdd相连；mos管M21的漏极与mos管M22的漏极相连；mos管M22的栅极接入补偿点gn；mos管M22的源极与gnd相连；

[0009] 在一个实施例中，正摆率增强单元电路包括电阻R1-R3、隧道二极管D1-D4、电流源I5和I6以及mos管M23-M33；其中，

[0010] mos管M23的源极和mos管M24的源极均与电流源I5的一端相连；mos 管M23的栅极接入轨到轨运放的正向端；mos管M23的漏极与电阻R1的一端相连；mos管M24的栅极接入轨到轨运放的负向端；mos管M24的漏极与电阻 R2的一端相连；mos管M25的源极和mos管M26的源极均与电流源I6的一端相连；mos管M25的栅极与mos管M24的漏极相连；mos管M25的漏极与mos 管M27的栅极相连；mos管M26的栅极与mos管M23的漏极相连；mos管M26 的漏极与mos管M28的栅极相连；mos管M27的栅极分别与隧道二极管D3和 D1相连；mos管M27的源极与mos管M29的漏极，mos管M33的栅极相连；mos管M27的源极与mos管M28漏极均与电源电压Vdd相连；mos管M28的栅极分别与隧道二极管D2和D4相连；mos管M28的源极与mos管M30的漏极相连；mos管M29的栅极分别与mos管M29的漏极，mos管M30的栅极相连；mos管M29的源极和mos管M30的源极接gnd；mos管M31的栅极和mos 管M32的栅极均与mos管M33的漏极相连；mos管M31的源极和mos管M32 的源极连接gnd；mos管M31的漏极与轨到轨运放中补偿点gp相连；mos管 M32的漏极与轨到轨运放中的补偿点gn相连；mos管M33的源极与电源电压 Vdd相连；
mos管M33的栅极与mos管M27的源极相连；mos管M33的漏极与电阻R3的一端相连。

[0011] 在一个实施例中，负摆率增强单元电路包括电阻R4和R5、隧道二极管 D5-D8、电流源I7和I8以及mos管M34和M43；其中，

[0012] mos管M34的源极和mos管M35的源极均与电流源I7的一端相连；mos 管M34的漏极与电阻R4的一端相连；mos管M34的栅极接入轨到轨运放的正向端；mos管M35的漏极与电阻R5的一端相连；mos管M35的栅极接入轨到轨运放的负向端；mos管M36的栅极与mos管M34的漏极相连；mos管M36 的源极与mos管M37的源极均与电流源I8的一端相连；mos管M36的漏极与 mos管M38的栅极相连；mos管M37的栅极与mos管M34的漏极相连；mos 管M37的漏极与mos管M39的栅极相连；mos管M38的栅极分别与隧道二极管D5和D7的一端相连；mos管M38的源极与mos管M40的漏极相连；mos 管M38和mos管M39的漏极与电源电压Vdd相连；mos管M39的栅极分别与隧道二极管D6和D8的一端相连；mos管M39的漏极与mos管M41的漏极相连；mos管M40的栅极与漏极短接，且与mos管M41的栅极相连；mos管M40 的源极和mos管M41的源极连接gnd；mos管M42的栅极和mos管M43的栅极均与mos管M41的漏极相连；mos管M42的源极和mos管M43的源极均与电源电压Vdd相连；mos管M42的漏极与轨到轨运放中的补偿点gp相连；mos 管M43的漏极与轨到轨运放中的补偿点gn相连。
附图说明

[0013] 图1为传统的的运算放大电路的电路结构图；

[0014] 图2为隧道二极管I-V特性曲线图；

[0015] 图3为本实用新型实施例提供的一种正摆率增强单元电路的电路结构图；

[0016] 图4为本实用新型实施例提供的一种负摆率增强单元电路的电路结构图。具体实施方案

[0017] 为了更为具体地描述本实用新型，下面结合附图及具体实施方案对本实用新型的技术方案进行了详细说明。

[0018] 如图1所示为本实用新型一个实施例中的一种高摆率的运算放大电路其特征在于，该放大电路包括轨到轨运放和摆率增强电路，其中摆率增强电路包括正摆率增强单元电路和负摆率增强单元电路；摆率增强电路两个输入端分别连接运放的正负输入端，其负向电流输出端与运放的pmos输出管相连，提高输出信号上升速率，其正向电流输出端与运放的nmos输出管相连，提高输出信号的下降速率；上述一种高摆率的运算放大电路，当运放正负两输入端信号的差量大于等于一定差值时，通过控制隧道二极管的开关转换，实现摆率增强电路达到开启状态，来控制输出管负载电容的充放电，从而减小了运放的输出延时；当运放的正负两输入信号的差量小于一定差值时，摆率增强电路不工作，对运算放大电路无影响，同时利用隧道二极管的负阻特性，有效的降低了电路功耗，提高运放的输出摆率，增强信号的跟随响应能力。

[0019] 在一个实施例中，如图1所示，轨到轨运放包括电流源I1-I4、电压源V1-V2 以及mos管M1-M22；其中，

[0020] mos管M1的源极和mos管M2的源极于电流源I2的一端相连；mos管M1 的漏极与mos管M5的漏极相连；mos管M1的栅极接入轨到轨运放的负向端； mos管M2的漏极与mos管M6的漏极相连；mos管M2的栅极接入轨到轨运放的正向端；mos管M3的源极和mos管M4的源极与电流源I1的一端相连；mos 管M3的漏极与mos管M13的源极相连；mos管M3的栅极接入轨到轨运放的负向端；mos管M4的漏极与mos管M14的源极相连；mos管M4的栅极接入轨到轨运放的正向端；mos管M5的源极和mos管M6的源极均接电源电压Vdd； mos管M5的栅极与mos管M6的栅极、mos管M7的漏极相连；mos管M5的漏极与mos管M7的源极相连；mos管M6的漏极与mos管M8的源极相连； mos管M7的栅极与mos管M8的栅极相连，且均接入电压源V2的一端；mos 管M7的漏极与mos管M9的源极、mos管M11的漏极相连；mos管M8的漏极与mos管M10的源极、mos管M12的漏极相连，并记为补偿点gp；mos管M9 的栅极与mos管M10的栅极、mos管M19的漏极相连；mos管M9的漏极与 mos管M11的漏极、mos管M13的漏极相连；mos管M10的漏极与mos管M12 的漏极、mos管M14的漏极相连，并记为补偿点gn；mos管M11的栅极与mos 管M12的栅极、mos管M18的漏极相连；mos管M13的栅极与mos管M14的栅极相连，且接入电压源V1的一端；mos管M13的源极与mos管M15的漏极相连；mos管M14的源极与mos管M16的漏极相连；mos管M15的栅极与mos 管M16的栅极、mos管M13的漏极相连；mos管M15的源极和mos管M16的源极均与gnd相连；mos管M17的源极与gnd相连；mos管M17栅极与漏极短接，且与mos管M18的源极相连；mos管M18栅极与漏极短接，且与电流源I3 的一端相连；mos管M19栅极与漏极短接，且与电流源I4的一端相连；mos管 M19的源极与mos管M20的漏极相连；mos管M20栅极与漏极短接；
mos管 M20的源极与电源电压Vdd相连；mos管M21的栅极接入补偿点gp；mos管 M21的源极与电源电压Vdd相连；mos管M21的漏极与mos管M22的漏极相连；mos管M22的栅极接入补偿点gn；mos管M22的源极与gnd相连。

[0021] 在一个实施例中，如图2所示，正摆率增强单元电路包括电阻R1-R3、隧道二极管D1-D4、电流源I5和I6以及mos管M23-M33；其中，

[0022] mos管M23的源极和mos管M24的源极均与电流源I5的一端相连；mos 管M23的栅极接入轨到轨运放的正向端；mos管M23的漏极与电阻R1的一端相连；mos管M24的栅极接入轨到轨运放的负向端；mos管M24的漏极与电阻 R2的一端相连；mos管M25的源极和mos管M26的源极均与电流源I6的一端相连；mos管M25的栅极与mos管M24的漏极相连；mos管M25的漏极与mos 管M27的栅极相连；mos管M26的栅极与mos管M23的漏极相连；mos管M26 的漏极与mos管M28的栅极相连；mos管M27的栅极分别与隧道二极管D3和 D1相连；mos管M27的源极与mos管M29的漏极，mos管M33的栅极相连； mos管M27的源极与mos管M28漏极均与电源电压Vdd相连；mos管M28的栅极分别与隧道二极管D2和D4相连；mos管M28的源极与mos管M30的漏极相连；mos管M29的栅极分别与mos管M29的漏极，mos管M30的栅极相连；mos管M29的源极和mos管M30的源极接gnd；mos管M31的栅极和mos 管M32的栅极均与mos管M33的漏极相连；mos管M31的源极和mos管M32 的源极连接gnd；mos管M31的漏极与轨到轨运放中补偿点gp相连；mos管 M32的漏极与轨到轨运放中的补偿点gn相连；mos管M33的源极与电源电压 Vdd相连；
mos管M33的栅极与mos管M27的源极相连；mos管M33的漏极与电阻R3的一端相连。

[0023] 在正摆率增强单元电路中，当ck为低电平时，整个单元电路处于非工作模式；当ck为高电平时，两个隧道二极管之间的电压VX由mos管M25和M26 的工作状态确定；其中，电阻R1和R2的阻值之差决定阈值电压Vopen的大小；当Vin+比Vin-高出一个Vopen时，mos管M24将获得低栅极电压，快速将其漏极拉至一个高电压；此时mos管M25导通，尾电流源I6将全部流入mos管M25 中；由于在设计中隧道二极管D3的峰值电流ID3小于隧道二极管D1的峰值电流ID1和尾电流I6之和，隧道二极管D3开启，导致节点X被转换成低电压状态；mos管M33导通，mos管M31和M32的栅极电压增大，并开始通过补偿点 gp和gn为轨到轨运放的负载电容提供大电流；当Vin-接近Vin+时，即两个输入之间的电压之差小于Vopen时，将导致mos管M31和M32截止，且正摆率增强单元电路返回非操作模式。

[0024] 在一个实施例中，如图3所示，负摆率增强单元电路包括电阻R4和R5、隧道二极管D5-D8、电流源I7和I8以及mos管M34和M43；其中，

[0025] mos管M34的源极和mos管M35的源极均与电流源I7的一端相连；mos 管M34的漏极与电阻R4的一端相连；mos管M34的栅极接入轨到轨运放的正向端；mos管M35的漏极与电阻R5的一端相连；mos管M35的栅极接入轨到轨运放的负向端；mos管M36的栅极与mos管M34的漏极相连；mos管M36 的源极与mos管M37的源极均与电流源I8的一端相连；mos管M36的漏极与 mos管M38的栅极相连；mos管M37的栅极与mos管M34的漏极相连；mos 管M37的漏极与mos管M39的栅极相连；mos管M38的栅极分别与隧道二极管D5和D7的一端相连；mos管M38的源极与mos管M40的漏极相连；mos 管M38和mos管M39的漏极与电源电压Vdd相连；mos管M39的栅极分别与隧道二极管D6和D8的一端相连；mos管M39的漏极与mos管M41的漏极相连；mos管M40的栅极与漏极短接，且与mos管M41的栅极相连；mos管M40 的源极和mos管M41的源极连接gnd；mos管M42的栅极和mos管M43的栅极均与mos管M41的漏极相连；mos管M42的源极和mos管M43的源极均与电源电压Vdd相连；mos管M42的漏极与轨到轨运放中的补偿点gp相连；mos 管M43的漏极与轨到轨运放中的补偿点gn相连。

[0026] 负摆率增强单元电路工作模式与正摆率增强单元电路类似，其中电阻R4和R5 之间的阻值之差决定阈值电压Vopen’的大小；在ck为高电平时，当Vin-比Vin+ 高出一个Vopen’时，mos管M34将获得低栅极电压，快速将其漏极拉至高电位；此时mos管M37导通，尾电流I8将全部流经mos管M37；由于在设计中隧道二极管D8的峰值电流ID8小于隧道二极管D6的峰值电流ID6和尾电流I8之和，隧道二极管D8开启，导致节点Y被转换成低电压状态；mos管M42和mos管 M43的栅压减小，并通过补偿点gp和gn为轨到轨运放的负载电容提供大电流；当Vin-减小并接近Vin+时，即两个输入之间的电压差小于Vopen时，将导致mos 管M42和M43截止，并且负摆率增强单元电路返回非操作模式。

[0027] 以上所述仅为本实用新型的优选实施而已，并不限于本实用新型。在本实用新型构思的前提下，其他任何形式的实施例均属于本实用新型的保护范围。因此，本实用新型的保护范围应以所附权利要求书为准。

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