专利汇可以提供发光二极管专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且具有堆叠状结构的发光 二极管 ,其中,所述堆叠状结构包括载体层和镜层和n掺杂的下部包覆层和产生电 辐射 的有源层和p掺杂的上部包覆层和n掺杂的 电流 分配层,并且前面所述的层以所提及的顺序布置。所述有源层包括 量子阱 结构。 隧道二极管 在所述上部包覆层与所述电流分配层之间布置,其中,所述电流分配层主要由n掺杂的含Ga层构成,其中,Ga含量>1%。,下面是发光二极管专利的具体信息内容。
1.一种具有堆叠状结构的发光二极管(10),该发光二极管具有:
载体层(14),
n掺杂的下部包覆层(16),
产生电辐射的有源层(18),其中,所述有源层(18)包括量子阱结构,
p掺杂的上部包覆层(20),
n掺杂的电流分配层(24),
其中,载体层(14)、下部包覆层(16)、有源层(18)、上部包覆层(20)和分配层(24)以所提及的顺序布置,
在所述上部包覆层(20)与所述电流分配层(24)之间布置有隧道二极管(22),其中,所述电流分配层(24)主要具有n掺杂的含Ga层,该n掺杂的含Ga层具有>1%的Ga含量,在所述载体层(14)与所述n掺杂的下部包覆层(16)之间布置有镜层(15),在所述n掺杂的下部包覆层(16)之下构造有n掺杂的接触层,并且
所述隧道二极管(22)包括具有大于3×1018N/cm3的掺杂物浓度的n掺杂层(18.2)和具有大于1×1019N/cm3的掺杂物浓度的p掺杂层(18.1),
其特征在于,
所述电流分配层(24)具有凹槽(30)并且所述凹槽(30)具有上侧边缘面(33)和侧面(32)和底面(31),其中,所述电流分配层(24)在所述底面(31)处完全去除并且所述底面(31)以与邻近的半导体材料不同的填充材料(40)覆盖,并且所述填充材料(40)与所述底面之间的接触电阻比所述填充材料(40)与所述电流分配层(24)之间的接触电阻大,并且所述隧道二极管(22)包括含As层和/或含P层,
其中,所述含As层以碳掺杂,
其中,所述含P层以碲掺杂。
2.根据权利要求1所述的发光二极管(10),其特征在于,在所述电流分配层(24)上构造有接触层(26)并且所述电流分配层(24)在掺杂方面具有与所述接触层(26)一样的极性,其中,所述接触层(26)的n掺杂比所述电流分配层(24)的n掺杂高。
3.根据权利要求1或2所述的发光二极管,其特征在于,所述堆叠状结构(10)主要包括单片布置的层并且所述单片布置的层的一部分包含III族砷化物化合物半导体和/或III族磷化物化合物半导体。
4.根据权利要求1或2所述的发光二极管(10),其特征在于,发射波长大于600nm。
5.根据权利要求1或2所述的发光二极管(10),其特征在于,所述载体层(14)包括硅或锗或镍或GaAs或者由硅或锗或镍或GaAs构成并且具有第一连接接触部。
6.根据权利要求1或2所述的发光二极管(10),其特征在于,所述镜层(15)由金属层构成并且所述金属层构成所述载体层(14)与所述下部包覆层和/或所述n掺杂的接触层之间的电接触。
7.根据权利要求1或2所述的发光二极管(10),其特征在于,所述下部包覆层(16)和所述上部包覆层(20)主要包括由GaAs或由AlGaAs或由InGaAsP或由GaAsP或由InGaP或由AlInGaP构成的化合物。
8.根据权利要求1或2所述的发光二极管(10),其特征在于,所述有源层(18)的量子阱结构包括多量子阱结构,所述多量子阱结构具有15nm至350nm之间的厚度。
9.根据权利要求1或2所述的发光二极管(10),其特征在于,所述电流分配层(24)具有
0.1μm至5.0μm之间的厚度。
10.根据权利要求1或2所述的发光二极管(10),其特征在于,所述电流分配层(24)是n掺杂的并且由GaAs或AlGaAs或InGaP或InAlP或AlInGaP构成。
11.根据权利要求1或2所述的发光二极管(10),其特征在于,所述电流分配层(24)包括n掺杂的AlxGa1-xAs层,所述n掺杂的AlxGa1-xAs层具有0%至20%之间的Al含量x。
12.根据权利要求1或2所述的发光二极管(10),其特征在于,所述电流分配层(24)具有
18 3
大于1.0×10 N/cm的n掺杂物浓度。
13.根据权利要求1或2所述的发光二极管(10),其特征在于,所述电流分配层(24)具有层电阻Rs<70Ω/sq并且所述包覆层具有层电阻Rs>400Ω/sq。
14.根据权利要求1或2所述的发光二极管(10),其特征在于,所述有源层(18)由InxGa1-xAs/GaAs1-yPy多量子阱结构构成,其中,0.1≤x≤0.2且0.1≤y≤0.3,或由AlxGa1-xAs/AlyGa1-yAs多量子阱结构构成,其中,0≤x≤0.25且0.2≤y≤0.85。
15.根据权利要求1或2所述的发光二极管(10),其特征在于,边缘区域和/或所述侧面(32)至少部分地或完全以所述填充材料(40)覆盖。
16.根据权利要求1或2所述的发光二极管(10),其特征在于,所述填充材料(40)包括金属化合物,并且所述金属化合物在所述底面(31)的区域中构造如下接触电阻:所述接触电阻是至所述侧面(32)和/或至所述边缘面(33)的接触电阻的至少10倍。
17.根据权利要求1或2所述的发光二极管(10),其特征在于,在所述填充材料(40)与围绕所述填充材料(40)的包围层之间的边界面处构造有化学化合物或合金或半导体中间层。
18.根据权利要求1或2所述的发光二极管(10),其特征在于,所述填充材料(40)包含Au和/或Ni和/或Pd和/或Pt和/或Ag。
19.根据权利要求17所述的发光二极管(10),其特征在于,所述填充材料(40)包含用于具有所述包围层的边界面的掺杂的掺杂物。
20.根据权利要求1或2所述的发光二极管(10),其特征在于,所述填充材料(40)和/或所述电流分配层(24)和所述接触层(26)具有以元素Si、Ge和Te中一个或多个的掺杂。
21.根据权利要求1或2所述的发光二极管(10),其特征在于,在所述底面(31)的区域中构造有肖特基接触。
22.根据权利要求1或2所述的发光二极管(10),其特征在于,所述凹槽(30)不穿透或部分穿透或完全穿透所述隧道二极管层结构(22.1,22.2)。
23.根据权利要求1或2所述的发光二极管(10),其特征在于,所述底面(31)的至少一部分构造在所述上部包覆层(20)的区域中。
24.根据权利要求1或2所述的发光二极管(10),其特征在于,所述凹槽(30)环形地或椭圆形地或有角地构造并且所述凹槽(30)的面积最大为所述有源层(18)的面积的25%。
25.根据权利要求1或2所述的发光二极管(10),其特征在于,所述凹槽(30)中心地或偏心地布置在所述发光二极管(10)的上表面上并且在所述凹槽(30)内的填充材料的上表面上布置有呈接合形式的第二连接接触部。
26.根据权利要求25所述的发光二极管(10),其特征在于,从所述凹槽(30)出发,多个导电指(28.1,28.2)布置在所述发光二极管(10)的上表面上并且所述指(28.1,28.2)与所述第二连接接触部电连接。
标题 | 发布/更新时间 | 阅读量 |
---|---|---|
可表面安装的半导体激光器、具有这种半导体激光器的装置和其运行方法 | 2020-05-11 | 166 |
一种模块化微波组件的S/C频段接收模块 | 2020-05-12 | 485 |
光电耦合器 | 2020-05-14 | 163 |
光学接收器模块 | 2020-05-15 | 161 |
叠堆状的光耦合器组件 | 2020-05-17 | 948 |
具有改进稳定性的功率半导体器件及其生产方法 | 2020-05-08 | 322 |
发光二极管 | 2020-05-14 | 636 |
一种基于隧道二极管的增益负折射率材料 | 2020-05-12 | 110 |
在碳纳米管的定向阵列上形成的多层涂层 | 2020-05-15 | 819 |
一种太阳能电池及其生产工艺 | 2020-05-08 | 55 |
高效检索全球专利专利汇是专利免费检索,专利查询,专利分析-国家发明专利查询检索分析平台,是提供专利分析,专利查询,专利检索等数据服务功能的知识产权数据服务商。
我们的产品包含105个国家的1.26亿组数据,免费查、免费专利分析。
专利汇分析报告产品可以对行业情报数据进行梳理分析,涉及维度包括行业专利基本状况分析、地域分析、技术分析、发明人分析、申请人分析、专利权人分析、失效分析、核心专利分析、法律分析、研发重点分析、企业专利处境分析、技术处境分析、专利寿命分析、企业定位分析、引证分析等超过60个分析角度,系统通过AI智能系统对图表进行解读,只需1分钟,一键生成行业专利分析报告。