专利汇可以提供Cold electron emission cathode专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且PURPOSE: To uniform the distribution of electron flow by employing specific impurity concentration in N-type epitaxial layer then forming P-type epitaxial layer on it to provide electron emission face.
CONSTITUTION: Impurity is diffused on the surface of N-type Si semiconductor board 1 except circular central portion to form P-type semiconductor layer 4 having circular hole 3, then N-type Si layer 5 is epitaxial grown on said surface while N- type impurity is ion injected into the portion facing with said hole 3 and the concentration is gradually increased from the edge of hole 3 toward the center. Then P-type epitaxial layer 6 is grown on N-type layer and metallic film 8 having hole 7 is coated. Then it is activated with cesium and oxygen and when suitable positive voltage is applied on the anode 9, electrons are injected from power source 10 through N substrate 1 and N-type layer 5 into P-type layer 6 thus emitted into the vacuum. Since N-type impurity concentration is high at the center, the electron flow at the edge is collected to the center to provide overall uniformity
COPYRIGHT: (C)1980,JPO&Japio,下面是Cold electron emission cathode专利的具体信息内容。
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