裝置形成方法
阅读：1025发布：2020-07-29
专利汇可以提供裝置形成方法专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本發明為一種裝置形成方法，於單晶矽 基板 離子注入摻雜物而形成擴散層，並藉由雷射 退火 活化擴散層，其中在作為該單晶矽基板而使用該擴散層形成區域的 氧 濃度未滿5 ppma者的情況下，於藉由雷射退火活化擴散層之前，進行將該擴散層形成區域的氧濃度予以控制在5 ppma以上的步驟。如此一來可提供一種裝置形成方法，即便是在擴散層形成區域的氧濃度低的情況下，也能簡便地藉由雷射退火提升摻雜物的活化程度。，下面是裝置形成方法专利的具体信息内容。
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