Production of semiconductor integrated circuit unit
专利汇可以提供Production of semiconductor integrated circuit unit专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且PURPOSE: To form a bi-polar transistor and a JFET on he same substrate.
CONSTITUTION: An n
+ type buried layer is formed on a p type Si substrate, and n
- type epi-layer 4 is overlapped to form selectively P
+ type ion injection layer 6. Layer 6 is stretched out by heat treatment, and p
- type inversion layer 7 is formed while standing out from the substrate. Continuously, n type ions are injected to layer 7, and layer 7 is stretched out to form channel 9. Next, p
- type isolation layer 10 is formed in n
- type layer 3 in the upper part of the buried layer while surrounding p
+ type base 10 and layer 9. Next, p
+ type gate layer 17 is formed in layer 9, and an n
+ type collector leading-out layer, emitter layer 14, source leading-out part 15 and drain leading-out part 16 are formed in layers 3 and 10. Finally, the Al electrode is added. Thus, an IC of the bi-polar. n channel JFET incorporating a JFET can be formed.
COPYRIGHT: (C)1979,JPO&Japio，下面是Production of semiconductor integrated circuit unit专利的具体信息内容。
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