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阵列基板及显示面板

阅读：29发布：2024-02-06

专利汇可以提供阵列基板及显示面板专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本申请实施例提供一种阵列基板及显示面板。该阵列基板包括：显示区；在显示区内呈阵列排列的多个TFT及由其控制的像素电极；设置在显示区外围的第一修复线、第二修复线、多个第一连接部及包括至少一行第一冗余TFT的多个冗余TFT，位于同一行的多个第一冗余TFT的栅极与一条第一修复线连接；每个第一冗余TFT的源极与显示区内对应列的TFT连接的数据线连接；位于显示区边缘且靠近第一冗余TFT的一行像素电极中，每个像素电极与一个第一连接部连接，且该第一连接部从该像素电极向一个第一冗余TFT的漏极延伸；第二修复线与至少一条第一修复线及至少一条扫描线绝缘交叉设置。通过上述设置可对显示区边缘的失效TFT进行修复。，下面是阵列基板及显示面板专利的具体信息内容。

权利要求

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：
由多条数据线及多条扫描线交叉形成的多个像素区域，其中，多个像素区域组成显示区；
在所述显示区内呈阵列排列的多个薄膜晶体管TFT及像素电极，其中，每个所述像素区域内设置有一个TFT及一个像素电极，所述TFT的源极与所述数据线连接、栅极与所述扫描线连接、漏极与所述像素电极连接；
设置在所述显示区外围的多个冗余TFT、第一修复线、第二修复线及多个第一连接部，所述多个冗余TFT包括至少一行第一冗余TFT，位于同一行的多个所述第一冗余TFT的栅极与一条所述第一修复线连接；每个第一冗余TFT的源极与显示区内对应列的TFT连接的数据线连接；位于所述显示区边缘且靠近所述第一冗余TFT的一行像素电极中，每个像素电极与一个第一连接部连接，且该第一连接部从该像素电极向一个第一冗余TFT的漏极延伸；所述第二修复线与至少一条第一修复线及至少一条扫描线绝缘交叉设置。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，位于所述显示区边缘的一行TFT及相邻的一行第一冗余TFT与同一条扫描线连接。
3.根据权利要求1或2所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括设置在所述显示区外围的第三修复线、第四修复线及多个第二连接部，
所述多个冗余TFT还包括至少一列第二冗余TFT，每个所述第二冗余TFT的栅极与显示区内对应行的TFT连接的扫描线连接，位于同一列的多个所述第二冗余TFT的源极与一条所述第三修复线连接；位于所述显示区边缘且靠近所述第二冗余TFT的一列像素电极中，每个像素电极与一个第二连接部连接，且该第二连接部从该像素电极向一个第二冗余TFT的漏极延伸；
所述第四修复线用于在修复显示区内的待修复TFT时连接所述第三修复线及该待修复TFT连接的数据线。
4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，
每个第一连接部与该第一连接部延伸方向的一个第一冗余TFT的漏极绝缘交叉设置；
每个第二连接部与该第二连接部延伸方向的一个第二冗余TFT的漏极绝缘交叉设置。
5.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，像素电极所在层与所述TFT的漏极所在层相邻，
每个第一连接部与该第一连接部延伸方向的一个第一冗余TFT的漏极之间存在空隙；
每个第二连接部与该第二连接部延伸方向的一个第二冗余TFT的漏极之间存在空隙。
6.一种阵列基板，其特征在于，包括：
由多条数据线及多条扫描线交叉形成的多个像素区域，其中，多个像素区域组成显示区；
在所述显示区内呈阵列排列的多个薄膜晶体管TFT及像素电极，其中，每个所述像素区域内设置有一个TFT及一个像素电极，所述TFT的源极与所述数据线连接、栅极与所述扫描线连接、漏极与所述像素电极连接；
设置在所述显示区外围的多个冗余TFT、第一修复线、第二修复线及像素修复线，所述多个冗余TFT包括至少一行第一冗余TFT，位于同一行的多个所述第一冗余TFT的栅极与一条所述第一修复线连接；每个第一冗余TFT的源极与显示区内对应列的TFT连接的数据线连接；每一条所述像素修复线位于一列像素电极的一侧并延伸至其中至少一个第一冗余TFT的漏极对应位置处；所述第二修复线与至少一条第一修复线及至少一条扫描线绝缘交叉设置。
7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述多个冗余TFT包括分别位于所述显示区相对两端的两行第一冗余TFT，每条像素修复线的相对两端分别延伸至其中一行的其中一个第一冗余TFT的漏极对应位置处。
8.根据权利要求6或7所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括设置在所述显示区外围的第三修复线、第四修复线及第五修复线，
所述多个冗余TFT还包括至少一列第二冗余TFT，每个所述第二冗余TFT的栅极与显示区内对应行的TFT连接的扫描线连接；位于同一列的多个所述第二冗余TFT的源极与一条所述第三修复线连接；每个第二冗余TFT的漏极与一条所述第五修复线连接，其中，所述第五修复线的一部分位于一行像素电极的一侧；
所述第四修复线用于在修复显示区内的待修复TFT时连接所述第三修复线及该待修复TFT连接的数据线。
9.根据权利要求8所述的阵列基板，其特征在于，每条所述第五修复线包括分离的第一段及第二段，其中，每个所述第一段与一个所述第二冗余TFT的漏极连接，所述第二段设置在一行像素电极的一侧。
10.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括权利要求1-9中任意一项所述的阵列基板。

说明书全文

阵列基板及显示面板

技术领域

[0001] 本申请涉及显示技术领域，具体而言，涉及一种阵列基板及显示面板。

背景技术

[0002] 随着TFT-LCD(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display，薄膜晶体管液晶显示器)行业的不断发展，用户对显示器的要求也越来越高。产品竞争力高的显示器必须具备品质优良、经济性、实用性等多方面优点。其中，品质的优点包括对比度高、清晰度高、广视角等；经济性的优点包括功耗低、使用成本低、生产成本低等；实用性的优点包括柔性、尺寸适中、能显示多种信息格式等。

[0003] TFT-LCD的阵列基板在生产过程中，会由于很多不可控因素(比如，静电、灰尘、曝光等)导致显示区内的某列TFT(Thin FilmTransistor，薄膜晶体管)一端的TFT失效，由此成为不良品。若仅因上述原因而直接报废该产品，会大大影响产生效益、增加生产成本、降低该产品的产品竞争力。发明内容

[0004] 为了克服现有技术中的上述不足，本申请实施例的目的在于提供一种阵列基板及显示面板，其能够在显示区内的某列TFT一端的TFT失效时，利用设置的第一修复线、第二修复线及第一连接部，使设置的某个第一冗余TFT与失效TFT所连接的数据线、扫描线及像素电极连接，从而实现对因TFT失效而成为不良品的阵列基板的修复。

[0005] 第一方面，本申请实施例提供一种阵列基板，包括：

[0006] 由多条数据线及多条扫描线交叉形成的多个像素区域，其中，多个像素区域组成显示区；

[0007] 在所述显示区内呈阵列排列的多个薄膜晶体管TFT及像素电极，其中，每个所述像素区域内设置有一个TFT及一个像素电极，所述TFT的源极与所述数据线连接、栅极与所述扫描线连接、漏极与所述像素电极连接；

[0008] 设置在所述显示区外围的多个冗余TFT、第一修复线、第二修复线及多个第一连接部，所述多个冗余TFT包括至少一行第一冗余TFT，位于同一行的多个所述第一冗余TFT的栅极与一条所述第一修复线连接；每个第一冗余TFT的源极与显示区内对应列的TFT连接的数据线连接；位于所述显示区边缘且靠近所述第一冗余TFT的一行像素电极中，每个像素电极与一个第一连接部连接，且该第一连接部从该像素电极向一个第一冗余TFT的漏极延伸；所述第二修复线与至少一条第一修复线及至少一条扫描线绝缘交叉设置。

[0009] 可选地，在本申请实施例中，位于所述显示区边缘的一行TFT及相邻的一行第一冗余TFT与同一条扫描线连接。

[0010] 可选地，在本申请实施例中，所述阵列基板还包括设置在所述显示区外围的第三修复线、第四修复线及多个第二连接部，

[0011] 所述多个冗余TFT还包括至少一列第二冗余TFT，每个所述第二冗余TFT的栅极与显示区内对应行的TFT连接的扫描线连接，位于同一列的多个所述第二冗余TFT的源极与一条所述第三修复线连接；位于所述显示区边缘且靠近所述第二冗余TFT的一列像素电极中，每个像素电极与一个第二连接部连接，且该第二连接部从该像素电极向一个第二冗余TFT的漏极延伸；

[0012] 所述第四修复线用于在修复显示区内的待修复TFT时连接所述第三修复线及该待修复TFT连接的数据线。

[0013] 可选地，在本申请实施例中，每个第一连接部与该第一连接部延伸方向的一个第一冗余TFT的漏极绝缘交叉设置；

[0014] 每个第二连接部与该第二连接部延伸方向的一个第二冗余TFT的漏极绝缘交叉设置。

[0015] 可选地，在本申请实施例中，像素电极所在层与所述TFT的漏极所在层相邻，

[0016] 每个第一连接部与该第一连接部延伸方向的一个第一冗余TFT的漏极之间存在空隙；

[0017] 每个第二连接部与该第二连接部延伸方向的一个第二冗余TFT的漏极之间存在空隙。

[0018] 第二方面，本申请实施例提供一种阵列基板，包括：

[0019] 由多条数据线及多条扫描线交叉形成的多个像素区域，其中，多个像素区域组成显示区；

[0020] 在所述显示区内呈阵列排列的多个薄膜晶体管TFT及像素电极，其中，每个所述像素区域内设置有一个TFT及一个像素电极，所述TFT的源极与所述数据线连接、栅极与所述扫描线连接、漏极与所述像素电极连接；

[0021] 设置在所述显示区外围的多个冗余TFT、第一修复线、第二修复线及像素修复线，所述多个冗余TFT包括至少一行第一冗余TFT，位于同一行的多个所述第一冗余TFT的栅极与一条所述第一修复线连接；每个第一冗余TFT的源极与显示区内对应列的TFT连接的数据线连接；每一条所述像素修复线位于一列像素电极的一侧并延伸至其中至少一个第一冗余TFT的漏极对应位置处；所述第二修复线与至少一条第一修复线及至少一条扫描线绝缘交叉设置。

[0022] 可选地，在本申请实施例中，所述多个冗余TFT包括分别位于所述显示区相对两端的两行第一冗余TFT，每条像素修复线的相对两端分别延伸至其中一行的其中一个第一冗余TFT的漏极对应位置处。

[0023] 可选地，在本申请实施例中，所述阵列基板还包括设置在所述显示区外围的第三修复线、第四修复线及第五修复线，

[0024] 所述多个冗余TFT还包括至少一列第二冗余TFT，每个所述第二冗余TFT的栅极与显示区内对应行的TFT连接的扫描线连接；位于同一列的多个所述第二冗余TFT的源极与一条所述第三修复线连接；每个第二冗余TFT的漏极与一条所述第五修复线连接，其中，所述第五修复线的一部分位于一行像素电极的一侧；

[0025] 所述第四修复线用于在修复显示区内的待修复TFT时连接所述第三修复线及该待修复TFT连接的数据线。

[0026] 可选地，在本申请实施例中，每条所述第五修复线包括分离的第一段及第二段，其中，每个所述第一段与一个所述第二冗余TFT的漏极连接，所述第二段设置在一行像素电极的一侧。

[0027] 第三方面，本申请实施例提供一种显示面板，所述显示面板包括上述的阵列基板。

[0028] 相对于现有技术而言，本申请具有以下有益效果：

[0029] 本申请实施例提供一种阵列基板及显示面板，该阵列基板的显示区外围设置有第一修复线、第二修复线、第一连接部及包括至少一行第一冗余TFT的多个冗余TFT。位于同一行的多个第一冗余TFT的栅极与一条第一修复线连接。每个第一冗余TFT的源极与显示区内对应列的TFT所连接的数据线连接。在位于显示区边缘且靠近第一冗余TFT的一行像素电极中，每个像素电极与一个第一连接部连接，且该第一连接部从该像素电极向一个第一冗余TFT的漏极延伸。在显示区内的某列TFT的一端的TFT失效时，由于已有至少一个第一冗余TFT的源极与失效的待修复TFT连接的数据线连接，因此只需从所述至少一个冗余TFT中选出一个第一冗余TFT；再基于绝缘交叉设置的第二修复线和至少一条第一修复线及至少一条扫描线，通过熔接将待修复TFT连接的扫描线经一条第二修复线与选择的第一冗余TFT连接的第一修复线连接；最后通过熔接使待修复TFT所连接的像素电极通过第一连接部与选择的第一冗余TFT的漏极连接即可。由此，通过简单操作即可对因显示区内的某列TFT一端的TFT失效而成为不良品的阵列基板进行修复，从而降低生产成本，提高阵列基板的生产良品率及效益。

[0030] 为使申请的上述目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举本申请较佳实施例，并配合所附附图，作详细说明如下。

附图说明

[0031] 为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本申请的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。

[0032] 图1是本申请实施例提供的阵列基板的俯视结构示意图之一。

[0033] 图2是本申请实施例提供的阵列基板的俯视结构示意图之二。

[0034] 图3是TN显示模式的阵列基板100的局部剖面示意图。

[0035] 图4是本申请实施例提供的阵列基板的局部剖面示意图。

[0036] 图5是IPS显示模式的阵列基板100的局部剖面示意图。

[0037] 图6是本申请实施例提供的阵列基板的俯视结构示意图之三。

[0038] 图7是本申请实施例提供的阵列基板的俯视结构示意图之四。

[0039] 图8是本申请实施例提供的阵列基板的俯视结构示意图之五。

[0040] 图9是本申请实施例提供的阵列基板的俯视结构示意图之六。

[0041] 图标：100-阵列基板；101-玻璃基板；102-第一金属层；103-第一绝缘层；1036-绝缘层；104-半导体层；105-第二金属层；106-第二绝缘层；107-第一像素ITO层；108-第二像素ITO层；109-过孔；112-数据线；114-扫描线；116-TFT；118-像素电极；121-第一冗余TFT；122-第二冗余TFT；131-第一修复线；133-第二修复线；135-第一连接部；137-像素修复线；
141-第三修复线；143-第四修复线；145-第二连接部；147-第五修复线；148-第一段；149-第二段；150-驱动芯片。

具体实施方式

[0042] 下面将结合本申请实施例中附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本申请实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。

[0043] 因此，以下对在附图中提供的本申请的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本申请的范围，而是仅仅表示本申请的选定实施例。基于本申请的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

[0044] 应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。

[0045] 在本申请的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，或者是该申请产品使用时惯常摆放的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。

[0046] 此外，术语“水平”、“竖直”、“悬垂”等术语并不表示要求部件绝对水平或悬垂，而是可以稍微倾斜。如“水平”仅仅是指其方向相对“竖直”而言更加水平，并不是表示该结构一定要完全水平，而是可以稍微倾斜。

[0047] 在本申请的描述中，还需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“设置”、“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。

[0048] 下面结合附图，对本申请的一些实施方式作详细说明。在不冲突的情况下，下述的实施例及实施例中的特征可以相互组合。

[0049] 请参照图1，图1是本申请实施例提供的阵列基板100的俯视结构示意图之一。所述阵列基板100包括数据线112、扫描线114、TFT116(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)和由TFT116控制的像素电极118、冗余TFT、第一修复线131、第二修复线133及第一连接部135。其中，冗余TFT为多个，多个冗余TFT并包括至少一行设置在阵列基板100边缘的第一冗余TFT121。在位于阵列基板100的显示区边缘且靠近所述第一冗余TFT121的一行像素电极118中，每个像素电极118连接一个向一第一冗余TFT121延伸的第一连接部135。在位于阵列基板100的显示区边缘且靠近所述第一冗余TFT121的一行像素电极118中，若任意像素电极
118电性连接的TFT116失效，可通过第一冗余TFT121、第一修复线131、第二修复线133及第一连接部135的配合实现对失效的待修复TFT116的修复，使得基于修复后的阵列基板100可以正常显示，从而降低成本、提高效益。

[0050] 在本实施例中，所述数据线112及所述扫描线114分别为多条，多条数据线112及多条扫描线114交叉形成多个像素区域，组成显示区(AA区)。多个TFT116及多个像素电极118以阵列排列的方式位于所述显示区内。其中，每个像素区域中设置有一个TFT116及一个由该TFT116控制的像素电极118；所述TFT116的源极与数据线112电性连接、栅极与扫描线114电性连接、漏极与像素电极118电性连接。如图1所示，在像素列R中，一列TFT116中每个TFT116的源极与同一条数据线112电性连接；在像素行C1中，一行TFT116中每个TFT116的栅极与同一条扫描线114电性连接；每个TFT116的漏极与位于同一像素区域中的像素电极118电性连接。

[0051] 在本实施例中，所述显示区外围设置有第一修复线131、第二修复线133、多个第一连接部135及多个冗余TFT。所述多个冗余TFT包括至少一行第一冗余TFT121。位于同一行的多个第一冗余TFT121的栅极与同一条第一修复线131电性连接；每个第一冗余TFT121的源极与显示区内对应列的TFT116连接的数据线112电性连接；位于显示区边缘且靠近所述第一冗余TFT121的一行像素电极118中，每个像素电极118与一个第一连接部135电性连接，且该第一连接部135从该像素电极118向一个第一冗余TFT121的漏极延伸。每条所述第二修复线133与至少一条第一修复线131及至少一条扫描线114绝缘交叉设置。其中，所述第一修复线131及第二修复线133均为至少一条。

[0052] 可选地，如图1所示，一行第一冗余TFT121中第一冗余TFT121的数量与一行TFT116中TFT116的数量相同；且位置对应，即一第一冗余TFT121与对应的TFT116列位于同一列。如图1中的第一冗余TFT121a与像素列R中的TFT116位于同一列，即表示像素列R中的该TFT116列为第一冗余TFT121a的对应TFT116列；同理像素列R左侧的TFT116列为第一冗余TFT121b对应的TFT116列。

[0053] 在本实施例中，所述的“绝缘交叉”是指交叉的两个对象分别位于不同的结构层中但不直接电性连接，且该交叉的两个对象在同一平面的投影存在相交点。

[0054] 在检测到一位于显示区边缘且靠近第一冗余TFT121的某个像素电极118连接的TFT116失效时，可通过激光熔接等方式使与该像素电极118连接的第一连接部135与该第一连接部135延伸方向的一个第一冗余TFT121的漏极电性连接，并将一第二修复线133与待修复TFT116连接的扫描线114、与待修复TFT116连接的像素电极118连接的第一冗余TFT121连接的第一修复线131的绝缘交叉处熔接。由此，可利用第一冗余TFT121对与待修复TFT116电性连接的像素电极118进行控制，从而实现对位于显示区内的某列TFT116一端的失效
TFT116的修复。

[0055] 可选地，图1所示，所述显示区外的上下两侧各设置有一行第一冗余TFT121。对应地，所述第一修复线131的数量有两条，所述第二修复线133的数量有至少一条，每行第一冗余TFT121的栅极与一条第一修复线131电性连接。由此，可对位于显示区内上下侧边缘的任意失效TFT116(即像素行C1、C2中的任意失效TFT116)进行修复。

[0056] 进一步地，所述第一修复线131的数量为两条以上，所述第二修复线133的数量为至少两条。位于显示区外上下两侧的两行第一冗余TFT121中至少一行第一冗余TFT121中，部分第一冗余TFT121与一条第一修复线131电性连接，另一部分第一冗余TFT121与其他的第一修复线131电性连接。由此即使显示区内上下侧边缘的多个TFT116同时失效，也可以实现修复。

[0057] 进一步地，如图1所示，若显示区外的上下两侧各设置有一行第一冗余TFT121，由于所述显示区外其中一行第一冗余TFT121与显示内边缘的一行TFT116相邻，此时可通过使位于所述显示区边缘的一行TFT116及相邻的一行第一冗余TFT121同一条扫描线114电性连接，从而在保证可对位于显示区内上下侧边缘的任意失效TFT116进行修复的基础上，减少第一修复线131的数量。

[0058] 可选地，请再次参照图1，所述阵列基板100还包括驱动芯片150。所述驱动芯片150与所述数据线112及扫描线114电性连接，以经TFT116对像素电极118进行控制，实现画面的显示功能。

[0059] 请参照图2，图2是本申请实施例提供的阵列基板100的俯视结构示意图之二。所述阵列基板100还包括设置在所述显示区外围的第三修复线141、第四修复线143及多个第二连接部145。所述多个冗余TFT还包括至少一列第二冗余TFT122。每个所述第二冗余TFT122的栅极与显示区内对应行的TFT116连接的扫描线114电性连接；位于同一列的多个所述第二冗余TFT122的源极与同一条第三修复线141电性连接；位于所述显示区边缘且靠近所述第二冗余TFT122的一列像素电极118中，每个像素电极118与一个第二连接部145电性连接，且该第二连接部145从该像素电极118向一个第二冗余TFT122的漏极延伸。所述第四修复线143用于在修复显示区内的待修复TFT116时电性连接所述第三修复线141及该待修复
TFT116电性连接的数据线112。其中，所述第三修复线141及所述第四修复线143均为至少一条。

[0060] 可选地，如2所示，一列第二冗余TFT122中第二冗余TFT122的数量与一列TFT116中TFT116的数量相同。由于每列TFT116中两端的TFT116已与第一冗余TFT121对应设置，因此，可直接设置每列第二冗余TFT122中第二冗余TFT122的数量为每列TFT116中TFT116的数量与2的差值。

[0061] 可选地，一列第二冗余TFT122中每个第二冗余TFT122与一列TFT116中每个TFT116位置对应，即一第二冗余TFT122与对应的TFT116行位于同一行。如图2中的第二冗余TFT122b与像素行C2中的TFT116位于同一行，即表示像素行C3中的该TFT116行为第二冗余TFT122的对应TFT116行。

[0062] 在检测到一位于显示区边缘且靠近第二冗余TFT122的某个像素电极118连接的TFT116失效时，可通过激光熔接等方式使与该像素电极118连接的第二连接部145与该第二连接部145延伸方向的一个第二冗余TFT122的漏极电性连接，并将一第四修复线143与待修复TFT116连接的数据线112、与该待修复TFT116对应的一第二冗余TFT122(该第二冗余
TFT122的漏极经一第二连接部145与待修复TFT116所连接的像素电极118连接)的源极连接的第三修复线141电性连接。由此，可利用第二冗余TFT122对与待修复TFT116电性连接的像素电极118进行控制，从而实现对位于显示区内的某行TFT116的一端的失效TFT116的修复。
通过上述设置，可对位于显示区内边缘的任意失效TFT116进行修复。

[0063] 在本实施例中，所述显示区外的左右两侧可各设置有一列第二冗余TFT122，所述第三修复线141及第四修复线143的设置方式与第一修复线131、第二修复线133的设置方式类似，可参照上文描述，在此不再赘述。

[0064] 可选地，在本实施例的实施方式中，所述第三修复线141、第四修复线143、数据线112分别位于不同层，且一第四修复线143与一第三修复线141及一数据线112绝缘交叉设置。在修复待修复TFT116时，可熔接上述绝缘交叉处，以使与待修复TFT116电性连接的数据线112经所述第四修复线143与一对应的第三修复线141电性连接。

[0065] 可选地，在本实施例的实施方式中，所述第三修复线141、第四修复线143、数据线112位于同一层，并在同一制造工艺中形成，且所述第四修复线143的一端与显示区边缘的一列TFT116连接的数据线112电性连接或与一第三修复线141电性连接，另一端与该第三修复线141或该数据线112间存在空隙。由此，在对待修复TFT116修复时，可减少需要熔接的绝缘交叉处。当然可以理解的是，也可以以其他方式设置第三修复线141、第四修复线143、数据线112。

[0066] 可选地，在本实施例的实施方式中，所述数据线112、扫描线114、第一修复线131、第二修复线133、第三修复线141、第四修复线143分别位于不同层。或者，根据实际情况某部分线设置在同一层，比如，数据线112、第二修复线133、第三修复线141及第四修复线143位于同一层，并在同一制造工艺中形成。

[0067] 请参照图3，图3是TN显示模式的阵列基板100的局部剖面示意图。该阵列基板100从下至上依次为：玻璃基板101、第一金属层102、第一绝缘层103、半导体层104、第二金属层105、第二绝缘层106、第一像素ITO(Indium Tin Oxide，铟锡氧化物)层107。其中，所述第一金属层102中设置有扫描线114，所述半导体层104中设置有硅岛，所述第二金属层105中设置有数据线112及阵列基板100中所有TFT(包括TFT116、冗余TFT)的源漏极，所述第一像素ITO层107中设置有像素电极118。由于第一绝缘层103、第二绝缘层106的存在，位于不同层的线之间的交叉处为绝缘设置，不会直接电性连接。比如，数据线112与扫描线114即为绝缘交叉设置。其中，所述第二绝缘层106中设置有过孔109，过孔109中填充有导电物质可使第二金属层105与第一像素ITO层107电性连接。比如，图1中的像素电极118通过过孔109与TFT116的漏极电性连接。

[0068] 请参照图4，图4是本申请实施例提供的阵列基板100的局部剖面示意图。由于每条第二修复线133与至少一条第一修复线131、至少一条扫描线114绝缘交叉设置，因此可通过激光熔接等方式将需要电性连接的线之间的绝缘交叉处熔接，从而便于完成对待修复TFT116的修复。如图4所示，线a与线b绝缘交叉，在激光熔接后，线a可以通过图4中绝缘层
1036中的虚线区域中填充的导电物质与线b电性连接。

[0069] 请再次参照图1及图2，在所述阵列基板100为图3所示的TN(Twisted Nematic，扭曲向列型)显示模式的阵列基板时，由于像素电极118所在的第一像素ITO层107与该阵列基板100上所有TFT(包括TFT116及冗余TFT)的漏极所在的第二金属层105之间设置有第二绝缘层106，因此在本实施例的一种实施方式中，每个所述第一连接部135与该第一连接部135延伸方向的一个第一冗余TFT121的漏极绝缘交叉设置，第二连接部145与该第二连接部145延伸方向的一个第二冗余TFT122的漏极绝缘交叉设置。即，每个第一连接部135的一端与一个靠近第一冗余TFT121的像素电极118连接，另一端与对应的一第一冗余TFT121的漏极绝缘交叉设置；每个第二连接部145的一端与一个靠近第二冗余TFT122的像素电极118连接，另一端与对应的一第二冗余TFT122的漏极绝缘交叉设置。

[0070] 如图1所示，第一连接部135a的一端与像素电极118a电性连接，另一端与位于该第一连接部135a的延伸方向上的一第一冗余TFT121a的漏极绝缘交叉设置。在与像素电极118a电性连接的TFT116a失效时，可熔接第一连接部135a与第一冗余TFT121a的绝缘交叉处c1、一第二修复线133和与第一冗余TFT121a的栅极电性连接的第一修复线131、与待修复TFT116的栅极连接的扫描线114的绝缘交叉处a1、b1。由此，所述驱动芯片150可经与待修复TFT116a连接的扫描线114、a1及b1所在第二修复线133、与第一冗余TFT121a的栅极连接的第一修复线131对所述第一冗余TFT121a的栅极进行控制，并经与待修复TFT116a连接的数据线112对第一冗余TFT121a的源极进行控制，从而实现对该第一冗余TFT121a的漏极进行控制，进而实现对与该第一冗余TFT121a的漏极连接的像素电极118a的控制，以避免由于待修复TFT116a失效，导致与待修复TFT116a连接的像素电极118a不被控制而出现显示异常。

[0071] 如图2所示，第二连接部145b的一端与像素电极118b电性连接，另一端与位于该第二连接部145b的延伸方向上的一第二冗余TFT122b的漏极绝缘交叉设置。在与像素电极118b电性连接的TFT116b失效时，由于图2中的第四修复线143的一端与待修复TFT116b连接的数据线112连接，因此仅需熔接图2中的b2处及该第二连接部145b与该第二冗余TFT122b的漏极绝缘交叉处c2处即可。由此，可使得驱动芯片150经所述第二冗余TFT122b对与待修复TFT116b连接的像素电极118b进行控制。

[0072] 在所述阵列基板100为图3所示的TN(Twisted Nematic，扭曲向列型)显示模式的阵列基板时，在本实施例的另一种实施方式中，每个所述第一连接部135与该第一连接部135延伸方向的一个第一冗余TFT121的漏极之间存在空隙，即不是绝缘交叉设置；同理，每个所述第二连接部145与该第二连接部145延伸方向一个第二冗余TFT122的漏极之间存在空隙，即不是绝缘交叉设置。在需要通过熔接实现修复时，可利用熔接使图3中的绝缘层
1036出现一通孔，该通孔和该通孔对应的一上述空隙中填充有导电物质，从而实现不同层之间的电性连接。

[0073] 请参照图5，图5是IPS(In-Plane Switching，平面转换)显示模式的阵列基板100的局部剖面示意图。该阵列基板100从下到上依次为：玻璃基板101、第一金属层102、第一绝缘层103、半导体层104、第二金属层105、第一像素ITO层107、第二绝缘层106、第二像素ITO层108。其中，所述第一金属层102中设置有扫描线114，所述半导体层104中设置有硅岛，所述第二金属层105中设置有数据线112及阵列基板100中所有TFT(包括TFT116、冗余TFT)的源漏极，所述第一像素ITO层107中设置有像素电极118。由于第一绝缘层103、第二绝缘层106的存在，位于不同层的线之间的交叉处为绝缘设置，不会直接电性连接。比如，数据线
112与扫描线114即为绝缘交叉设置。其中，IPS显示模式也称宽视角显示模式。

[0074] 在所述阵列基板100为图5所示的IPS显示模式的阵列基板时，请参照图6及图7，图6是本申请实施例提供的阵列基板100的俯视结构示意图之三，图6是本申请实施例提供的阵列基板100的俯视结构示意图之四。由于像素电极118所在的第一像素ITO层107与该阵列基板100上所有TFT(包括TFT116、冗余TFT)的漏极所在的第二金属层105相邻，因此在本实施例中，每个第一连接部135与该第一连接部135延伸方向的一个第一冗余TFT121的漏极之间存在空隙；每个第二连接部145与该第二连接部145延伸方向的一个第二冗余TFT122的漏极之间存在空隙。即，每个第一连接部135的一端与一个靠近第一冗余TFT121的像素电极
118连接，另一端与对应的一第一冗余TFT121的漏极靠近但不连接；每个第二连接部145的一端与一个靠近第二冗余TFT122的像素电极118连接，另一端与对应的一第二冗余TFT122的漏极靠近但不连接。其中，图6及图7中边缘处的方框表示位于第二像素ITO层108的整面ITO。

[0075] 如图6所示，第一连接部135c的一端与像素电极118c电性连接，另一端与位于该第一连接部135c的延伸方向上的一第一冗余TFT121c的漏极靠近但不连接。在与像素电极118c电性连接的TFT116c失效时，通过熔接图6中的绝缘交叉处a3、b3及与待修复TFT116c对应的第一连接部135c和对应的一第一冗余TFT121c的漏极之间的空隙所在位置c3处，即可实现修复。

[0076] 同理，如图7所示，第二连接部145d的一端与像素电极118d电性连接，另一端与位于该第二连接部145b的延伸方向上的一第二冗余TFT122d的漏极靠近但不连接。在与像素电极118d电性连接的TFT116d失效时，由于图7中的第四修复线143的一端与待修复TFT116d连接的数据线112连接，因此仅需熔接图7中的b4处及与待修复TFT116d对应的第二连接部145d和对应的一第二冗余TFT122d的漏极之间的空隙所在位置c4处，即可实现修复。

[0077] 请参照图8，图8是本申请实施例提供的阵列基板100的俯视结构示意图之五。所述阵列基板100包括数据线112、扫描线114、TFT116和由TFT116控制的像素电极118、冗余TFT、第一修复线131、第二修复线133及像素修复线137。其中，冗余TFT为多个，多个冗余TFT包括至少一行设置在阵列基板100边缘的第一冗余TFT121。利用设置的第一冗余TFT121、第一修复线131、第二修复线133及像素修复线137可对显示区内任意失效的待修复TFT116进行修复。

[0078] 在本实施例中，多条数据线112及多条扫描线114交叉形成多个像素区域，多个像素区域组成显示区。在所述显示区内以呈阵列排列方式设置有多个TFT116及多个像素电极118，其中，每个所述像素区域内设置有一个TFT116及一个像素电极118，所述TFT116的源极与所述数据线112电性连接、栅极与所述扫描线114电性连接、漏极与所述像素电极118电性连接。所述冗余TFT、第一修复线131、第二修复线133设置在所述显示区外围。位于同一行的多个所述第一冗余TFT121的栅极与一条所述第一修复线131电性连接；每个第一冗余
TFT121的源极与显示区内对应列的TFT116连接的数据线112电性连接。关于数据线112、扫描线114、TFT116、像素电极118、第一冗余TFT121、第一修复线131及第二修复线133的描述可参见上文对图1至图7的描述，在此不再赘述。

[0079] 在本实施例中，所述像素修复线137为多条，每一条所述像素修复线137位于一列像素电极118的一侧并延伸至其中至少一个第一冗余TFT121的漏极对应位置处；所述第二修复线133与至少一条第一修复线131及至少一条扫描线114绝缘交叉设置。其中，每条像素修复线137与对应的第一冗余TFT121的漏极不直接电性连接。在显示区内任意TFT116失效时，可通过激光熔接等方式使失效的待修复TFT116、与待修复TFT116所在列对应的第一冗余TFT121和对应的同一条像素修复线137电性连接，并将一第二修复线133与待修复TFT116连接的扫描线114、与待修复TFT116连接的像素电极118连接的第一冗余TFT121连接的第一修复线131的绝缘交叉处熔接。由此，即可对显示区内任意位置处失效的TFT116完成修复。

[0080] 可选地，请再次参照图8，所述阵列基板100还包括驱动芯片150。所述驱动芯片150与所述数据线112及扫描线114电性连接，以经TFT116对像素电极118进行控制，实现画面的显示功能。

[0081] 请再次参照图8，所述多个冗余TFT包括分别位于所述显示区相对两端的两行第一冗余TFT121，每条像素修复线137的相对两端分贝延伸至其中一行的其中一个第一冗余TFT121的漏极对应位置处。如图8所示，显示区外上下两侧各设置有至少一行第一冗余TFT121。由此，可根据实际失效的TFT116的位置及实际需求从多个第一冗余TFT121选出合适的第一冗余TFT121完成修复。

[0082] 请再次参照图8，所述阵列基板100还包括设置在所述显示区外围的第三修复线141、第四修复线143及第五修复线147。所述多个冗余TFT还包括至少一列第二冗余TFT122，每个所述第二冗余TFT122的栅极与显示区内对应行的TFT116连接的扫描线114电性连接；
位于同一列的多个所述第二冗余TFT122的源极与一条所述第三修复线141电性连接。关于第二冗余TFT122、第三修复线141及第四修复线143的描述可参见上文对图1至图7的描述，在此不再赘述。

[0083] 在本实施例中，每个第二冗余TFT122的漏极与一条所述第五修复线147电性连接，其中，所述第五修复线147的一部分位于一行像素电极118的一侧。由此，在对显示区的任意失效TFT116进行修复时，可通过激光熔接等方式使失效的待修复TFT116连接的像素电极118与对应的第五修复线147电性连接，并熔接一第四修复线143和与待修复TFT116连接的数据线112、与待修复TFT116对应的一第二冗余TFT122(该第二冗余TFT122经一第五修复线
147和与待修复TFT116连接的像素电极118连接)连接的第三修复线141的绝缘交叉处。由此，可利用第三修复线141、第四修复线143、第五修复线147及第二冗余TFT122对显示区内任意位置处的失效TFT116进行修复。通过上述设置，可根据实际需要选择合适的第一冗余TFT121或第二冗余TFT122完成修复。

[0084] 可选地，在本实施例的一种实施例中，一条第五修复线147的相对两端分别与其中一列的其中一个第二冗余TFT122的漏极电性连接。

[0085] 在本实施例中，为避免第五修复线147与数据线112、扫描线114等线直接电性连接，及增加阵列基板100的厚度，每条所述第五修复线147包括分离的第一段148及第二段149。所述第一段148与所述数据线112位于同一层，所述第二段149与所述扫描线114同于为一层，所述第一段148与所述第二段149绝缘交叉设置。在需要时，可通过激光熔接等方式将所述第一段148与所述第二段149电性连接。灭个所述第一段148与一个第二冗余TFT122的漏极电性连接，所述第二段149设置在一行像素电极118的一侧。

[0086] 如图8所示，在TFT116e失效时，可熔接图8中的B7、B8、B9、B10四处或B3、B6、B5、B2四处或B1、B2、B3、B4四处或B8、B10、B11、B12四处，即可利用设置的冗余TFT对与待修复TFT116e连接的像素电极118e进行控制。

[0087] 可选地，若所述阵列基板100为图3所示的TN显示模式的阵列基板，该像素修复线137可与对应列的像素电极118绝缘交叉设置。

[0088] 请参照图9，图9是本申请实施例提供的阵列基板100的俯视结构示意图之六。若所述阵列基板100为图5所示的IPS显示模式的阵列基板，该像素修复线137可与对应列的像素电极118靠近但不连接。同理，若在TFT116f失效时，可熔接图9中的F7、F8、F9、F10四处或F3、F6、F5、F2四处或F1、F2、F3、F4四处或F8、F10、F11、F12四处，即可利用设置的冗余TFT对与待修复TFT116f连接的像素电极118f进行控制。

[0089] 本申请实施例还提供一种显示面板，所述显示面板包括图1至图9所示的阵列基板100。

[0090] 综上所述，本申请实施例提供一种阵列基板及显示面板，该阵列基板的显示区外围设置有第一修复线、第二修复线、第一连接部及包括至少一行第一冗余TFT的多个冗余TFT。位于同一行的多个第一冗余TFT的栅极与一条第一修复线连接。每个第一冗余TFT的源极与显示区内对应列的TFT所连接的数据线连接。在位于显示区边缘且靠近第一冗余TFT的一行像素电极中，每个像素电极与一个第一连接部连接，且该第一连接部从该像素电极向一个第一冗余TFT的漏极延伸。在显示区内的某列TFT的一端的TFT失效时，由于已有至少一个第一冗余TFT的源极与失效的待修复TFT连接的数据线连接，因此只需从所述至少一个冗余TFT中选出一个第一冗余TFT；再基于绝缘交叉设置的第二修复线和至少一条第一修复线及至少一条扫描线，通过熔接将待修复TFT连接的扫描线经一条第二修复线与选择的第一冗余TFT连接的第一修复线连接；最后通过熔接使待修复TFT所连接的像素电极通过第一连接部与选择的第一冗余TFT的漏极连接即可。由此，通过简单操作即可对因显示区内的某列TFT一端的TFT失效而成为不良品的阵列基板进行修复，从而降低生产成本，提高阵列基板的生产良品率及效益。

[0091] 以上所述仅为本申请的优选实施例而已，并不用于限制本申请，对于本领域的技术人员来说，本申请可以有各种更改和变化。凡在本申请的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。

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