专利汇可以提供低纹波LED控制装置的保护电路专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本实用新型涉及一种低纹波LED控制装置的保护 电路 ,包括去纹波去频闪电路和保护电路;去纹波去频闪电路包括控 制芯 片和第一场效应管;控制芯片的栅极 电压 输出端口连接第一场效应管的栅极;控制芯片的 电流 传感输入端口连接第一场效应管的第一极;控制芯片的LED电压限制端口连接第一场效应管的第二极;第一场效应管的第二极作为LED控制装置的负极输出端;所述保护电路为 二极管 串联 电路;二极管串联电路两端并联在第一场效应管的第一极和第二极之间。本实用新型可以保护功率MOSFET不失效,提高电路可靠性。(ESM)同样的 发明 创造已同日 申请 发明 专利,下面是低纹波LED控制装置的保护电路专利的具体信息内容。
1.一种低纹波LED控制装置的保护电路,其特征在于:包括去纹波去频闪电路和保护电路;去纹波去频闪电路包括控制芯片(IC1)和第一场效应管(Q1);控制芯片(IC1)的栅极电压输出端口(VG)连接第一场效应管(Q1)的栅极;控制芯片(IC1)的电流传感输入端口(VS)连接第一场效应管(Q1)的第一极;控制芯片(IC1)的LED电压限制端口(VLMT)连接第一场效应管(Q1)的第二极;第一场效应管(Q1)的第二极作为LED控制装置的负极输出端;所述保护电路为二极管串联电路;二极管串联电路两端并联在第一场效应管(Q1)的第一极和第二极之间。
2.如权利要求1所述的低纹波LED控制装置的保护电路,其特征在于:还包括并联的第六电阻(R6)和第七电阻(R7),此并联电路的第一端连接第一场效应管(Q1)的第一极,此并联电路的第二端接地;控制芯片(IC)的电流纹波控制端口(VC)通过第四电容(C4)接地;控制芯片(IC)的栅极电压输出端口(VG)通过第五电容(C5)接地。
3.如权利要求2所述的低纹波LED控制装置的保护电路,其特征在于:所述控制芯片(IC1)的型号为JW1221A;控制芯片(IC)的第四引脚连接第一场效应管(Q1)的栅极;控制芯片(IC)的第五引脚连接第一场效应管(Q1)的源极;控制芯片(IC)的第六引脚通过第五电阻(R5)连接第一场效应管(Q1)的漏极;控制芯片(IC)的第三引脚通过第四电容(C4)接地;控制芯片(IC)的第四引脚通过第五电容(C5)接地。
4.如权利要求1所述的低纹波LED控制装置的保护电路,其特征在于:所述保护电路包括相互串联的第二二极管(D2)、第三二极管(D3)和第四二极管(D4);保护电路的正极端连接至场效应管(Q1)的第二极;保护电路的负极端连接至场效应管(Q1)的第一极。
5.如权利要求1所述的低纹波LED控制装置的保护电路,其特征在于:所述保护电路的导通电压为2.7V~3.3V。
6.如权利要求1、2、4、5任一项所述的低纹波LED控制装置的保护电路,其特征在于:所述第一极为源极,所述第二极为漏极;或者所述第一极为漏极,所述第二极为源极。
7.如权利要求1所述的低纹波LED控制装置的保护电路,其特征在于:还包括电源电路;
所述电源电路的第一输出端作为LED控制装置的正极输出端;所述电源电路的第二输出端作为控制芯片(IC1)的供电端。
8.如权利要求7所述的低纹波LED控制装置的保护电路,其特征在于:所述电源电路为单级原边恒流控制电路;单级原边恒流控制电路包括PWM发生芯片(IC2);PWM发生芯片(IC2)的PWM的发生端口连接第二场效应管(Q2)的栅极;第二场效应管(Q2)的源极通过第一电阻(R1)接地;第二场效应管(Q2)的漏极连接至隔离电路的的原边;隔离电路的副边连接输出整流电路;输出整流电路的输出端作为LED控制装置的正极输出端。
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