专利汇可以提供一种增益与阻抗匹配分离的无电感低噪声放大器专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本 发明 公开了一种增益与阻抗匹配分离的无电感低噪声 放大器 ,涉及射频集成 电路 技术领域,包括 推挽放大器 、 电压 缓冲器 和反馈 电阻 ,所述推挽放大器输入端作为所述 低噪声放大器 输入端,所述推挽放大器输出端连接至所述电压缓冲器输入端,所述电压缓冲器输出端作为所述低噪声放大器输出端,所述反馈电阻两端分别连接至所述电压缓冲器输出端和所述推挽放大器输入端。本发明提供的电路结构同时满足低噪声放大器的增益放大和输入阻抗匹配的要求,避免阻性反馈共源极放大电路的反馈电阻限制对系统增益和MOS管 沟道 电阻同时限制的问题,将输入阻抗与射频接收机天线之间匹配更加灵活,电路的系统增益更大,放大器的噪声更低,大大减小电路设计与实现难度。,下面是一种增益与阻抗匹配分离的无电感低噪声放大器专利的具体信息内容。
1.一种增益与阻抗匹配分离的无电感低噪声放大器,其特征在于,所述低噪声放大器包括推挽放大器、电压缓冲器和反馈电阻,所述推挽放大器输入端作为所述低噪声放大器输入端,所述推挽放大器输出端连接至所述电压缓冲器输入端,所述电压缓冲器输出端作为所述低噪声放大器输出端,所述反馈电阻两端分别连接至所述电压缓冲器输出端和所述推挽放大器输入端。
2.如权利要求1所述的增益与阻抗匹配分离的无电感低噪声放大器,其特征在于,所述推挽放大器作为主增益级,所述电压缓冲器提供电压缓冲,所述反馈电阻用于调节输入阻抗和系统增益。
3.如权利要求1所述的增益与阻抗匹配分离的无电感低噪声放大器,其特征在于,所述推挽放大器包括第一组放大元件和第二组放大元件,所述第一组放大元件和第二组放大元件输入端并接作为所述推挽放大器输入端,所述第一组放大元件和第二组放大元件输出端并接作为所述推挽放大器输出端。
4.如权利要求1所述的增益与阻抗匹配分离的无电感低噪声放大器,其特征在于,所述电压缓冲器由电压跟随器的结构组成。
5.如权利要求1所述的增益与阻抗匹配分离的无电感低噪声放大器,其特征在于,所述反馈电阻满足与射频天线辐射阻抗的匹配要求。
6.如权利要求3所述的增益与阻抗匹配分离的无电感低噪声放大器,其特征在于,所述第一组放大元件包括第一NMOS晶体管,所述第二组放大元件包括第一PMOS晶体管,所述第一NMOS晶体管和第一PMOS晶体管的栅极并接作为所述推挽放大器输入端,所述第一NMOS晶体管和第一PMOS晶体管的漏极并接作为所述推挽放大器输出端,所述第一NMOS晶体管的源极接地,所述第一PMOS晶体管的源极连接至电源。
7.如权利要求3所述的增益与阻抗匹配分离的无电感低噪声放大器,其特征在于,所述第一组放大元件和第二组放大元件采用共源共栅放大器结构。
8.如权利要求4所述的增益与阻抗匹配分离的无电感低噪声放大器,其特征在于,所述电压跟随器为源跟随器。
9.如权利要求7所述的增益与阻抗匹配分离的无电感低噪声放大器,其特征在于,所述第一组放大元件包括第二NMOS晶体管和第三NMOS晶体管,所述第二组放大元件包括第二PMOS晶体管和第三PMOS晶体管,所述第二NMOS晶体管和第二PMOS晶体管的栅极并接作为所述推挽放大器输入端,所述第三NMOS晶体管和第三PMOS晶体管的漏极并接作为所述推挽放大器输出端,所述第二NMOS晶体管的源极接地,所述第二PMOS晶体管的源极连接至电源,所述第二NMOS晶体管的漏极连接至所述第三NMOS晶体管的源极,所述第二PMOS晶体管的漏极连接至所述第三PMOS晶体管的源极,所述第三NMOS晶体管的栅极连接至第一直流偏置电压,所述第三PMOS晶体管的栅极连接至第二直流偏置电压。
10.如权利要求8所述的增益与阻抗匹配分离的无电感低噪声放大器,其特征在于,所述源跟随器包括第四PMOS晶体管和第四NMOS晶体管,所述第四PMOS晶体管和第四NMOS晶体管的栅极并接作为所述源跟随器输入端,所述第四PMOS晶体管和第四NMOS晶体管的源极并接作为所述源跟随器输出端,所述第四PMOS晶体管的漏极接地,所述第四NMOS晶体管的漏极连接至电源。
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