专利汇可以提供一种红外接收电路专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本实用新型公开了一种红外接收 电路 ,包括电源模 块 、高压直流电源、 雪 崩光电 二极管 、前置放大电路、主放大电路和 单片机 ,高压直流电源用于为雪崩 光电二极管 提供偏置 电压 使其工作在雪崩状态; 雪崩光电二极管 用于接收红外回波 信号 并输出微 电流 信号;前置放大电路用于将微电流信号进行第一次放大;主放大电路用于将微电流信号进行第二次放大并 输出电压 信号;单片机用于检测电压信号进而实现红外回波信号的探测。本实用新型的技术方案,采用简单的电路结构实现红外接收电路,大大降低了成本;同时,通过采用AD500‑8型雪崩光电二极管作为红外接收管,大大提高了红外接收电路的接收灵敏度和增益,从而大大提高了红外探测的 精度 和距离。,下面是一种红外接收电路专利的具体信息内容。
1.一种红外接收电路,其特征在于,包括电源模块、高压直流电源、雪崩光电二极管、前置放大电路、主放大电路和单片机,其中,
所述电源模块用于为所述前置放大电路、主放大电路和单片机提供供电电压;
所述高压直流电源用于为所述雪崩光电二极管提供偏置电压使其工作在雪崩状态;
所述雪崩光电二极管用于接收红外回波信号并输出微电流信号;
所述前置放大电路与所述雪崩光电二极管相连接,用于将微电流信号进行第一次放大;
所述主放大电路与所述前置放大电路相连接,用于将微电流信号进行第二次放大并输出电压信号;
所述单片机与所述主放大电路相连接,用于检测电压信号进而实现红外回波信号的探测。
2.根据权利要求1所述的红外接收电路,其特征在于,所述所述雪崩光电二极管采用Pacific Silicon Sensor公司生产的AD500-8型雪崩光电二极管。
3.根据权利要求1或2所述的红外接收电路,其特征在于,所述高压直流电源的正端与第一电阻R1的一端相连接,所述第一电阻R1的另一端与第一电容C1的一端和雪崩光电二极管的负极相连接,所述高压直流电源的负端以及所述第一电容C1的另一端接地,所述雪崩光电二极管的正极与所述前置放大电路相连接。
4.根据权利要求3所述的红外接收电路,其特征在于,所述前置放大电路进一步包括第一运放芯片U1、第二电阻R2、第二电容C2、第三电容C3和第四电容C4,其中,所述第一运放芯片U1的第二引脚与所述雪崩光电二极管的正极、所述第二电阻R2的一端、所述第二电容C2的一端相连接,所述第一运放芯片U1的第三引脚接地,所述第一运放芯片U1的第四引脚与电源模块-5V输出端和所述第四电容C4的一端相连接,所述第一运放芯片U1的第七引脚与电源模块+5V输出端和所述第三电容C3的一端相连接,所述第一运放芯片U1的第六引脚与所述第二电阻R2的另一端和所述第二电容C2的另一端相连接作为第一输出端,所述第三电容C3的另一端和所述第四电容C4的另一端均与地相连接。
5.根据权利要求4所述的红外接收电路,其特征在于,所述第一运放芯片U1采用OP07通用运算放大器。
6.根据权利要求1所述的红外接收电路,其特征在于,所述主放大电路进一步包括第二运放芯片U2、第三运放芯片U3、第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5、第六电阻R6、第七电阻R7、第五电容C5、第六电容C6、第七电容C7和第八电容C8,其中,所述第三电阻R3的一端与第一输入端相连接,所述第三电阻R3的另一端与所述第二运放芯片U2的第二引脚、第四电阻R4的一端相连接,所述第二运放芯片U2的第三引脚接地,所述第二运放芯片U2的第四引脚与电源模块-5V输出端和第六电容C6的一端相连接,所述第二运放芯片U2的第七引脚与电源模块+5V输出端和第五电容C5的一端相连接,所述第五电容C5的另一端和第六电容C6的另一端均接地,所述第二运放芯片U2的第六引脚与所述第四电阻R4的另一端和所述第五电阻R5的一端相连接,所述第五电阻R5的另一端与所述第三运放芯片U3的第三引脚相连接,所述第三运放芯片U3的第二引脚与所述第六电阻R6的一端和第七电阻R7的一端相连接,所述第六电阻R6的另一端接地,所述第三运放芯片U3的第四引脚与电源模块-5V输出端和第八电容C8的一端相连接,所述第三运放芯片U3的第七引脚与电源模块+5V输出端和第七电容C7的一端相连接,所述第七电容C7的一端和第八电容C8的另一端均接地,所述第三运放芯片U3的第六引脚与所述第七电阻R7的另一端相连接作为第二输出端与单片机的AD采样端相连接。
7.根据权利要求6所述的红外接收电路,其特征在于,所述第二运放芯片U2和第三运放芯片U3采用OP07通用运算放大器。
8.根据权利要求1所述的红外接收电路,其特征在于,所述高压直流电源产生110V直流电压。
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