A semiconductor substrate with a planar metal pattern and anodized insulating layers
专利汇可以提供A semiconductor substrate with a planar metal pattern and anodized insulating layers专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且A silicon semiconductor substrate has on its planar surface a planar multilevel metal-insulator pattern that includes at least one layer comprising conducting metal and insulating material. The insulating material is a high purity, non-porous in-situ formed compound of the metal. The pattern is formed by blanketing a predefined, apertured, insulating layer located on the substrate surface with a metal film, forming an oxidation resistant mask over the film in a pattern which mirrors a desired to-be-formed circuit pattern and anodizing the exposed conductive film in an oxidizing ambient, thereby converting the exposed portions of the metal film to an insulating medium, leaving the metal beneath the mask in a desired circuit pattern separated by and/or embedded within the insulating medium.，下面是A semiconductor substrate with a planar metal pattern and anodized insulating layers专利的具体信息内容。
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