Longitudinal semiconductor device
专利汇可以提供Longitudinal semiconductor device专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且PURPOSE:To enable high power of a longitudinal semiconductor device by forming an insulating region in contact with the bottom surface or the like of a source region or the like surrounded by a gate region and forming a floating gate region in contact with the portion directly thereunder, thereby improving the withstand voltage between the source and the gate. CONSTITUTION:A silicon N type layer 21 epitaxially grown is formed on an N type silicon semiconductor substrate 20 becoming drain, and N type source region 22, P type gate region 23 and P type floating gate region 24 are respectively formed thereon. An insulator 25 is interposed between the floating gate region 24 and the source 22. Thus, the withstand voltage between the gate and the source is increased, and accordingly there can be obtained a longitudinal FET adapted for high power.，下面是Longitudinal semiconductor device专利的具体信息内容。
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5 浮栅的制备方法
