专利汇可以提供Method of forming wafer for semiconductor device专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且PURPOSE: To form a semiconductor crystal layer of a desired thickness at a high accuracy on an insulating body, by forming on two silicon substrate a silicon layer and a glass layer, respectively, bonding these substrates and subjecting the same to a processing.
CONSTITUTION: A monocrystal N type silicon layer 3, oxidated film 5 and a phosphorous glass layer 6 on the major surface of a P-type silicon substrate 1. A silicon oxidated film 8 and, then, a phosphorous glass layer 9 are formed on a separately prepared silicon substrate 7. These two silicon substrates are heat-bonded to each other with the phosphorous glass layers 6, 9 opposing to and contacting with each other. Subsequently, the substrate 1 is subjected to treatment for forming a porous structure, and the porous substrate 1 is then removed after conversion to an oxide.
COPYRIGHT: (C)1980,JPO&Japio,下面是Method of forming wafer for semiconductor device专利的具体信息内容。
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