专利汇可以提供半导体器件及其制造方法专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本 发明 提供一种 半导体 器件及其制造方法,该制造方法包括:提供衬底;在所述衬底上依次形成有第一介质层、 浮栅 、第二介质层和控制栅,以及形成于所述浮栅、第二介质层和控制栅 侧壁 的间隔 氧 化层,所述第一介质层为氧化层;沿字线区域湿法蚀刻间隔氧化层和第一介质层,以减薄第一介质层形成隧穿氧化层,以及减薄间隔氧化层形成侧壁氧化层,以使控制栅转 角 处的侧壁氧化层与隧穿氧化层的厚度比为125%至145%。本发明能够提高半导体器件的控制栅与字线之间抗压能 力 ,能够使半导体器件的擦除性能更加稳定、擦除效果更好,能够提高半导体器件的 质量 。,下面是半导体器件及其制造方法专利的具体信息内容。
1.一种半导体器件的制造方法,其特征在于,包括:
提供衬底;
在所述衬底上依次形成有第一介质层、浮栅、第二介质层和控制栅,以及形成于所述浮栅、第二介质层和控制栅侧壁的间隔氧化层,所述第一介质层为氧化层;
沿字线区域湿法蚀刻间隔氧化层和第一介质层,以减薄位于字线区域下方的第一介质层形成隧穿氧化层,以及减薄间隔氧化层形成侧壁氧化层,以使控制栅转角处的侧壁氧化层与隧穿氧化层的厚度比为125%至145%。
2.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法,其特征在于,所述控制栅转角处的侧壁氧化层厚度与隧穿氧化层的厚度比为142%。
3.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法,其特征在于,在字线区域形成的所述第一介质层的厚度为172纳米,通过湿法蚀刻所述第一介质层之后形成的隧穿氧化层的厚度为103纳米;形成所述间隔氧化层厚度为204纳米,通过湿法蚀刻所述间隔氧化层形成的侧壁氧化层的厚度为124纳米;在湿法蚀刻之前,所述控制栅转角处的间隔氧化层厚度为215纳米;在湿法蚀刻之后,所述控制栅转角处的侧壁氧化层厚度为147纳米。
4.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法,其特征在于,所述半导体器件为分栅式闪存。
5.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法,其特征在于,所述第二介质层为ONO叠层。
6.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法,其特征在于,所述隧穿氧化层和侧壁氧化层均为二氧化硅。
7.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法,其特征在于,所述衬底上形成有源极和漏极。
8.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法,其特征在于,所述衬底为硅、锗、绝缘体上硅、金刚石上硅、第Ⅲ簇或者第Ⅴ簇半导体化合物。
9.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法,其特征在于,在所述侧壁氧化层之间的隧穿氧化层上的字线区域形成字线。
10.一种半导体器件,其特征在于,采用如权利要求1-9中任一项所述的半导体器件的制造方法形成。
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