一种改善MMIC功率放大器性能的芯片布局方法
专利汇可以提供一种改善MMIC功率放大器性能的芯片布局方法专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 公开了一种改善MMIC功率 放大器 性能的芯片布局方法，涉及 微波 单片集成 电路 的制作方法技术领域。包括以下步骤：（1）将有源器件形成于 半导体 基板 的 正面 ，无源器件形成于半导体基板的背面；（2）通过有源器件上的栅极PAD以及漏极PAD下的金属通孔将有源器件和无源器件进行电连接；（3）通过有源器件上的源极PAD与零势面的直接 接触 实现有源器件的源极接地；（4）对上述器件进行封装，在封装过程中需要倒装。所述方法可以将源极寄生电感值降低到最小，同时改善芯片的 散热 特性，降低芯片对半导体基板厚度的要求，方便加工，提高成品率。，下面是一种改善MMIC功率放大器性能的芯片布局方法专利的具体信息内容。
1.一种改善MMIC功率放大器性能的芯片布局方法，其特征在于包括以下步骤：
1）将功率放大器的有源器件形成于半导体基板的正面，并将功率放大器的无源器件形成于半导体基板的背面；
2）通过有源器件上的栅极PAD以及漏极PAD下的金属通孔将有源器件和无源器件进行电连接；
3）通过有源器件上的源极PAD与零势面的直接接触实现有源器件的源极接地；
4）对经过步骤（3）处理后的器件进行封装，在封装过程中需要倒装；
具体的：
1）芯片的正面用于形成功率放大器的有源器件，功率放大器第一级包含两个有源器件，第二级含四个有源器件，总共六个有源器件形成在芯片的正面；
2）芯片的背面用于形成功率放大器的无源器件，无源器件包含微带传输线、电容、电阻、电感，组成功率放大器的匹配网络，用来使功率放大器实现增益指标，功率指标以及驻波比指标，这些无源器件均形成在芯片的背面；
3）有源器件以有源区为基础形成，其中，漏极和源极为与有源区半导体以欧姆接触形式接触的金属，栅极为与有源区半导体以肖特基接触形式接触的金属；栅极PAD和漏极PAD是一层金属，分别用于实现栅极和漏极的电学连接，PAD下的通孔用于实现有源器件和无源器件的连接；
对于每一个有源器件，源极PAD分两部分，位于两个漏极中间的源极与其中一个源极PAD相连,该源极PAD是一层面积比较小的金属，位于该源极的正上方；与其余两个源极相连的为第二个源PAD，该源PAD是一层金属，它不仅覆盖在有源器件两边的源极上，同时也覆盖了除有源器件之外的整个半导体基板的上表面；
4）栅极与有源区形成肖特基接触，源极与漏极跟有源区形成的欧姆接触，源极PAD的金属层的厚度应当高于栅极PAD和漏极PAD的金属层的厚度，源极PAD与零势面直接接触成为等势体，从而实现源极的接地。
一种改善MMIC功率放大器性能的芯片布局方法
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发明内容
具体实施方式
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