专利汇可以提供一种对于PVT不敏感的高精度振荡器专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本 发明 提供了一种对于PVT不敏感的高 精度 振荡器 ,包括,第一金属‑ 氧 化物 半导体 场效应管M1、第二金属‑氧化物半导体场效应管M2、第三金属‑氧化物半导体场效应管M3、第一双极型晶体管Q1、第一 电阻 R1、第二电阻R2、第四金属‑氧化物半导体场效应管M4和第一比较器。本发明的对于PVT不敏感的高精度振荡器在 电路 架构中引入正反 温度 系数,并且可以近似相互抵消,并且消除输出时钟与电源 电压 之间的关系,从而在各工艺 角 ,各 电源电压 下,保证整个温度范围内,都可以输出精度较为精准的时钟。,下面是一种对于PVT不敏感的高精度振荡器专利的具体信息内容。
1.一种对于PVT 不敏感的高精度振荡器,包括,第一金属-氧化物半导体场效应管、第二金属-氧化物半导体场效应管、第三金属-氧化物半导体场效应管、第一双极型晶体管、第一电阻、第二电阻、第四金属-氧化物半导体场效应管和第一比较器,其特征在于,第一金属-氧化物半导体场效应管的漏极与第一电阻的一端相连接,第一电阻的另一端与第一金属-氧化物半导体场效应管的栅极以及第一双极型晶体管的集电极相连接,第一双极型晶体管的发射极与第二电阻相连接,第二电阻的另一端接地,
第二金属-氧化物半导体场效应管的漏极和第四金属-氧化物半导体场效应管的栅极与第一比较器的输入脚相连接,第二金属-氧化物半导体场效应管的漏极与第三金属-氧化物半导体场效应管的漏极相连接,第一比较器的输出脚与第三金属-氧化物半导体场效应管的栅极相连接,第三金属-氧化物半导体场效应管的源极接地;
所述第二 金属-氧化物半导体场效应管的栅极与所述第一金属-氧化物半导体场效应管的栅极相连接;
第一金属-氧化物半导体场效应管的源极与第二金属-氧化物半导体场效应管的源极以及第四金属-氧化物半导体场效应管的源极和漏极相连接;
所述第一金属-氧化物半导体场效应管沟道的宽长比大于10;
所述第二金属-氧化物半导体场效应管沟道的宽长比小于1;
所述第四金属-氧化物半导体场效应管,提供充放电电容的作用,并与第二金属-氧化物半导体场效应管相同的沟道的宽长比;
所述第一金属-氧化物半导体场效应管的电流I1=(VREF0-Vbe,1)/R2,其中,VREF0 为第一双极型晶体管的基极电压,Vbe,1为第一双极型晶体管的基极与发射极结电压,R1为所述第一电阻,R2为所述第二电阻;
场效应管电子迁移率up正比于温度的负2.2 次方,双极型晶体管结电压Vbe,1正比于温度的2 次方。
2.根据权利要求1 所述的对于PVT 不敏感的高精度振荡器,其特征在于,所述第三金属-氧化物半导体场效应管实现开关功能。
3.根据权利要求1 所述的对于PVT 不敏感的高精度振荡器,其特征在于,所述第一比较器是具有迟滞功能的比较器。
4.根据权利要求1 所述的对于PVT 不敏感的高精度振荡器,其特征在于,所述第二金属- 氧化物半导体场效应管的过驱动电压Vdsat,2=I1*R1=(R1/R2)*(VREF0-Vbe,1),其中,VREF0 为第一双极型晶体管的基极电压,Vbe,1为第一双极型晶体管的基极与射极结电压,R1为所述第一电阻,R2为所述第二电阻。
5.根据权利要求4所述的对于PVT 不敏感的高精度振荡器,其特征在于,所述第二金
2
属-氧化物半导体场效应管的电流的计算公式为I2=(W2/L2/2)*up*Cox,p*V dsat,2,其中,W2为第二金属-氧化物半导体场效应管的沟道的宽度,L2为第二金属-氧化物半导体场效应管的沟道的长度,up为场效应管电子迁移率,Cox,p为单位面积的栅极电容量,Vdsat,2为第二金属-氧化物半导体场效应管的过驱动电压。
6.根据权利要求5所述的对于PVT 不敏感的高精度振荡器,其特征在于,所述对于PVT 不敏感的高精度的周期T=VREF1*C/I2,其中,C 是由第四金属-氧化物半导体场效应管提供的电容量,VREF1 为第一比较器的参考电压,I2 为第二金属-氧化物半导体场效应管的电流。
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